البحث — المستودع الرقمي العراقي

المستخلص: This study was carried out to prepare a porcelain samples of raw material 50 wt % kaolin dukhla, 25 wt % erzma sand glass and 25 wt% feldspar, boro silicate glass (Pyrex) used as a flux in the porcelain (ceramic) body, instead of feldspar, yielding a new material which has new properties with grain size equal to 53μ.Pyrex which was added to the porcelain to get the mixtures of sample. The all mixtures prepared and 10 wt % of distilled water was added, the resulting blends were die pressed of 25 MPa, to produce specimens with diameter of 25 mm and thickness of 5 mm, then they were dried and sintered for different temperatures (1200, 1250, and 1300) C° for 1 hour in an electric furnace. Physical properties measurements such as density, porosity, water absorption and length shrinkage percentage, were carried out, also mechanical properties (compression strength) and thermal properties. (Thermal conductivity and heat capacity) were measured The result of the physical properties measurement are found to be improved at increasing the ratio of Pyrex mixture, such as increase in density and shrinkage which a company with the decrease of porosity and water absorption, also the same changes were happened for these properties with increasing sintering temperature for all mixtures, and the highest increment in shrinkage have been shown at 1250 C°.The thermal conductivity and heat capacity have increased the ratio of Pyrex mixture, and there are small increment in these measurements, at increasing temperature for mixtures 3 and 4, but the increment is high for mixture no. (2).The results of mechanical properties measurements (diametrical strength) are found to be improved and increased at the increase of the ratio of Pyrex mixture and the mixture no. (3) have a highest strength. Also this improvement and increment in strength was continued for mixtures 2 and 3, with the increase of the sintering temperature whereas decreases for mixture (4) improvement in physical and mechanical properties for a new porcelain make suit usage in brick walls industry (porcelain tiles).

تاثير اضافة Al2O على الخصائص الكهربائية للفارستور من نوع ZnO == The Effect of (Al2O3) Additive on Electrical Properties of (ZnO) - Based Varistor

اسم المؤلف: عباس فاضل شنون

اسم المشرف: ايسر جمعة ابراهيم

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2016

الموضوع الدقيق: فيزياء الحالة الصلبة والمواد

الدرجة: ماجستير

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: ZnO based varistor samples having composition formela as shown below : - (X) is a variable take values (X = 0 , 0.1 , 0.5 , 1) % mol were prepared by a solid state reaction and sintered in air at a different sintering temperatures (1000,1100 and 1200)ᴼC for 2h by a heating rate of (5ᴼC. min - 1). The microstructure and electrical properties of sintered samples were investigated by using X - ray diffraction (XRD), energy dispersive spectroscopy (EDX), scanning electron microscopy (SEM), as well as electrical meas urements. XRD analyses showed that the crystallite size was decreased with the increase of Al2O3 concentration while it was increased with the increase of sintering temperature. Also from SEM images and by using linear intercept method we note that the grain size decreases with the increase of Al2O3 concentration while it increases with the increase of sintering temperature. Since the breakdown voltage is influenced by the size and the number of grains , so it was increased with the increase of Al2O3 concentration at certain sintering temperature to reach (2220V) at sample contains (1% of Al2O3) and sintered at 1000ᴼC for 2h, this is due to form a spinal phase (ZnAl2O4) which inhibits the grain growth.Also the breakdown voltage was decreased with the increase of sintering temperature at certain Al2O3 concentration to reach (255V) at sample sintered at 1200ᴼC for 2h and contains (0.1% l of Al2O3).By plotting the (J - E) curves of varistor samples we can notes that the adding of (0.1 and 0.5) % of Al2O3 dopants enhances the nonlinear behavior of ZnO varistor by increasing the nonlinear coefficient to reach its maximum values (46, 48) respectively which are sintered at 1000ᴼC for 2h, while the increase of Al2O3 concentration to(1% ) decreases the nonlinear coefficient to (29.2) which are sintered at 1000ᴼC for 2h .Compound ZnO Bi2O3 Sb2O3 CoO MnO2 Cr2O3 Al2O3 % mol 96.5 - X 0.7 1 0.8 0.5 0.5 X The increase of sintering temperature decreases the nonlinear coefficient to reach its minimum values (6.9, 8) at samples sintered at 1200ᴼC for 2h and contain a different amounts of Al2O3 concentration, this is due to the bad volatilization of bismuth that insured by (EDX) test.The leakage current was increased with the increase of both Al2O3 concentration and sintering temperature to reach its maximum value (0.33mA) at a sample which contains (1% ) of Al2O3 concentration and sintered at 1200ᴼC for 2h, that is because the Aluminum increases the free electrons (donor density ) at the conduction band.Deilectric constant decreases with the increase of the frequancy of the applied voltage for the samples which containe 0.1% of Al2O3 and sintered at (1000 and 1200)ᴼC for 2h and for the sample contain 1% of Al2O3 and sintered at 1000ᴼC, the deilectric constant decreases with the increase of sintering temperature while tangent factor increases with the increase of Al2O3 concentration, this is due to the increase of leakage current.

السليكون العشوائي للثنائي الباعث للضوء من النقاط الكميه == Amorphous silicon Light Emitting Diode Quantum Dots

اسم المؤلف: ولاء خليل جميل خليل

اسم المشرف: موفق كاظم عبد الرضا

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2015

الموضوع الدقيق: الفيزياء

الدرجة: ماجستير

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: في هذه الدراسة استخدمت الحسابات النظرية لنبيطة ثنائي الباعث للضوء للنقاط الكميه من السيليكون العشوائي. وعن طريق هذه الحسابات فقد تبنينا فكرة التقيد الكمي. وقد وجد ان الانبعاث الكمي الضوئي يظهر اعتمادا مهما لحجم النقاط الكمية والتي تتراوح من (١ - ٤) نانومتر. ان الكفاءة الكمية الداخلية تتاثر بدرجة الحرارة حيث تكون اكثر كفاءة عند درجة حرارة الغرفة. يمكن لفجوة الطاقة ان تتناغم وفقا للتحكم بحجم النقاط الكمية من السليكون العشوائي. وقد اظهرت النتائج الازاحة نحو الطاقا العاليه في تاثير حالة التقييد الكمي, لهيكل النقاط الكمية للسيليكون العشوائي. وهذا التقييد الكمي يجعل السليكون مرشح للعرض بكامل الوان الطيف البصري. مما يقودنا هذا السلوك البصري الى تفسير تغير مادة النقاط الكمية للسيليكون العشوائي لتصبح مادة ذات فجوة حزمية مباشرة بعد ان كانت غير مباشرة في طبيعتها الحجمية. تمت دراسة الكفاءة الكمية الداخلية بوصفها دالة الى الطول الموجي وتيار الحقن. لقد وجدنا ان النتائج المستحصلة متفقه اتفاقا جيدا مع النتائج التجريبية المنشورة. لذا, فاننا نؤكد على ان مادة النقاط الكمية من السليكون العشوائي هي خيار واعد لنبائط انبعاث الضوء المرئي والقابلة للتناغم الطاقي وذات انجازية عاليه | In this work, theoretical calculations were used by considering the amorphous silicon quantum dots light emitting diode (a - SiQDs LED) as the device of investigation. By these calculations, the effect of quantum confinement was a doped. It is found that the light emission shows significant size dependence in the range (1 - 4) nm of the quantum dots. The internal quantum efficiency is affected by temperature and it is more efficient at room temperature. The energy gap can be tuned by controlling the size of a - SiQDs. The blue shift is attributed to quantum confinement effect in a - SiQDs structure, where quantum confinements make silicon like candidate for full - color display. It led to the interpretation that the a - SiQDs material has been changed to be a direct band gap material. Internal quantum efficiency as a function of wavelength and injection current has been studied. It is found that the obtained results are in good agreement with the experimental published data. Therefore, a - SiQDs material was asserted to be a promising candidate for visible, tunable and high performance light emitting devices.

مقارنة نظرية بين HgCdTe وAlGaAs لنظامي البئر الكمي الليزري ذو التركيبين غير المتجانسين == Theoretical Comparison between HgCdTe and AlGaAs Heterostructure Quantum Well Laser Systems

اسم المؤلف: وديان كاظم عبد الزبيدي

اسم المشرف: ابتسام محمد تقي سلمان

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2016

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: ماجستير

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: هذا البحث يصف مقارنة نظرية بين نظامي ولليزر البئر الكمي ذو التركيب غير المتجانس. حيث تم دراسة تاثير العوامل المختلفة لهذا التركيب مثل عرض البئر وعرض الحاجز للبئر الكمي المفرد والمتعدد على عوامل الليزرمثل عامل التقيد البصري وتيار العتبة وكثافة تيار العتبة والربح البصري وقدرة الخرج والكفاءة . بالاضافة الى دراسة كثافة الحالات للبئر الكمي.افضل قيمة لعامل التقييد البصري (0.308) للتركيب ذو ثلاثة ابار كمية و(W=21.5nm) و(0.0224) للتركيب ذو خمسة ابار كمية و(W=11.3nm). عامل التقيد له تحسن كبير في التركيب المتعدد الابار افضل من التركيب ذو البئر الكمي المفرد . واظهرت النتائج ان عامل التقييد للتركيب المتعدد الابار اكبر منه للبئر الكمي المنفرد بمقدار 18 مرة للتركيب وبمقدار 25 مرة للتركيب . هذا التحقيق لتحسين عمل نبيطة الليزر دايود من خلال تاثير عامل التقييد البصري على الربح وتيار العتبة والقدرة الخارجة والكفاءة تحت الانحياز الامامي في المنطقه الفعالة، كانت كثافة تيار العتبة ووكفاءة (89% ل و97% لـ ) | This work is description of theoretical comparison between two systems and for heterostructure quantum well laser. Where studied the effects of the variation parameters for this structure such as a well width, barrier width for Single and Multi - Quantum Well, on laser parameters such as optical confinement factor, threshold current, threshold current density, optical gain, output power and efficiency. In addition we studied the density of states for quantum well.The optical confinement factor has the best value (0.308) for 3QWs at (W=21.5nm) and (0.0224) for 5QWs at (W=11.3nm). It introduced a significant improvement in MQW is much higher than SQW for two systems. The results showed that optical confinement factor of 3QW are much higher (by a factor 18) for and (by a factor 25) for 5QW, from optical confinement factor of SQW. This investigated for improve the work of laser diode device through the effect of optical confinement factor on the gain, threshold current, output power and efficiency under forward bias in active region, where threshold current density , with efficiency (89%for and 97% for )

دراسة نظرية لطيف مستويات الطاقة الواطئة ولنوى خفيفة باستعمال انموذج القشرة النووي 3016S14,3014Si16,188Ne10 == Theoretical Study Of Low Lying Spectrum For Light Nuclei By Using Nuclear Shell Model 3016S14,3014Si16,188Ne10

اسم المؤلف: هدى بطرس بهنام مقادسي

اسم المشرف: هادي جبار مجبل العكيلي

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2015

الموضوع الدقيق: الفيزياء النووية والبيئية

الدرجة: ماجستير

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: ان طاقات الربط والتهيج حسبت لنوى (_8^18)Ne_10 , (_16^30)S_14 , (_14^30)Si_16 وللمستويات الدنيا باستعمال حسابات انموذج القشرة النووي ولبروتونين في القشرة S,dلنوى (_16^30)S_14 بينما لنيوترونين لنواة (_14^30)Si_(16 ) ,(_8^18)Ne_10 ولمدارات خارج القلب المغلق .عناصر مصفوفة التفاعل تم الحصول عليها من خلال استخدام جهد تفاعل USD,USDA ,USDBنتائج الحسابات النظرية لطاقات الربط والتهيج والمحسوبة باستعمال عناصر المصفوفة النظرية اظهرت تطابقا مع النتائج العملية .حسابات انموذج القشرة استعملت لفهم ودراسة خصائص المستويات الدنيا ولعدد الكتلة لنوى A=18,30 .استعمل القلب المغلق مع التفاعل المتبقي للجسمين ما بين النكليونات الخارجية O8816 ,14 14Si28 .لحالات التماثل الموجبة فان جميع التشكيلات لقشرة S,d اخذت بالحساب باعتبار ان هناك قشرة مغلقة مع جسيمين في مستويات القشرة .S,dتفاعل الجسمين الفعال للنوى اختير على اساس جهد USD,USDA,USDB .اظهرت قيم طاقات الربط والتهيج تطابق جيد مع القيم العملية .واعتبرت الجهود USD,USDA,USDB هي المدخلات الاساسية لحساب الطاقات النووية والتي تتضمن تفاعل نكليون - نكليون .الحسابات اظهرت لنا امكانية اكبر لفضاء تفاعل النكليونات كون طاقات الحالات الارضية متقاربة . | Binding and excitation energies have been calculated at low lying levels for (_8^18)Ne_10 , (_16^30)S_14 and (_14^30)Si_16 nuclei using shell - model calculation with two protons in the S - d shell for (_8^18)Ne_10 , and (_16^30)S_14 while two neutrons for (_14^30)Si_16 in orbits outside the closed core. The effective two - body matrix elements are obtained from the USDA, USDB and (USD) potential interaction. Results of calculated binding and excitation energies are show a good agreement with experimental data with calculated by using theoretical matrix elements . The shell model calculation is used to investigate properties of levels at low lying in the mass number of nuclei A =18 and 30. An inert core with a residual two - particle interaction between the outer nucleons of (_8^16)O_8 , and (_14^28)Si_14 as summed. For the positive parity states all configurations in the s - d shell are taken into account are described by a closed shell, two nucleons in the S - d shell . The effective two - particle interaction is chosen to be a described by the USD,USDA ,and USDB potential. Good agreement with experiment is obtained for the binding and excitation energies. It is considered USDA , USDB and USD potential for two - body matrix element interaction as the most input parameters to the calculation is the nuclear energies, which contains realistic two (N - N) interactions. Provided the calculation is performed in a large enough basis space, the ground - state energy will converge

تصنيع ودراسة خصائص كاشف ضوئي وخلية شمسية لاغشية CuO الرقيقة == Fabrication and Study Properties Photodetector and solar cell CuO Thin film

اسم المؤلف: هبة ممتاز علي

اسم المشرف: سمير عطا مكي

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2016

الموضوع الدقيق: الاغشية الرقيقة

الدرجة: ماجستير

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: العربية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: في هذا البحث , تم تصنيع كاشف ضوئي وخلية شمسية من مادة اوكسيد النحاس CuO)) ثم دراسة خصائصه والمحضرة من ترسيب اغشية (CuO) النقية ,وبسمك مختلف 400,350,300,250) nm) بطريقة التبخير الحراري في الفراغ اذ تم تحضير هذه الاغشية بترسيب معدن النحاس النقي (Cu) على قواعد زجاجية وسيليكونية بدرجة حرارة الغرفة (300)K، ومن ثم اكسدة هذه الاغشية المحضرة بدرجة حرارة (300)ºC لمدة ساعة كاملة بوجود تدفق الهواء. اظهرت نتائج فحوصات حيود الاشعة السينية (XRD) ومجهر القوة الذرية (AFM) ان جميع الاغشية المحضرة من النوع متعدد التبلور وذات اتجاهية (111) , (1 ̅11) ان الحجم الحبيبي متجانس ومنتظم ومعدل خشونة السطح RMS)) يزداد بزيادة السمك . عند اجراء قياسات الخواص البصرية تبين ان لاغشية (CuO) امتصاصية عالية في مدى الاطوال الموجية للمنطقة المرئية nm(700 - 400), ان كلتا قيمتي النفاذية وفجوة الطاقة يتناقصان من (1.8 - 1.4 eV) بالاعتماد على زيادة السمك للاغشية المحضرة.اظهرت القياسات الكهربائية للاغشية المحضرة تغير المقاومية الكهربائية كدالة لتغير درجة الحرارة ضمن المدى الحراري (303 - 423)K ، حيث التوصيلية تزداد بزيادة كل من درجة الحرارة والسمك وتبين من خلال قياسات تاثير هول ان نوع التوصيلية لاغشية مادة CuO من النوع الموجب - القابل (p - type), , تزداد تركيز حاملات الشحنة وتقل التحركية بازدياد السمك. اظهرت نتائج قياسات (تيار - جهد) في حالة الظلام للكاشف الضوئي المحضر تم حساب عامل المثالية للكواشف المصنعة اذ وجدنا انها تزداد بزيادة السمك , اذ بلغ اقل قيمة له (3.431) عند سمك nm (300), وجدنا ان الاستجابة الطيفية للكواشف المصنعة تعمل ضمن المنطقة الطيفية (400 - 900)nm مع وجود قمتين للكاشف ( - CuO/n - Sip) ، تظهر القمة الاولى عند الطول الموجي (688)nmاي ضمن منطقة المدى المرئي من الطيف الكهرومغناطيسي , والقمة الثانية عند الطول الموجي (810)nm اي ضمن منطقة مدى الاشعة تحت الحمراء القريبة, وكذلك الحال لبقية الكواشف المصنعة مع حدوث ازاحة طيفية في قمة الاستجابة الاولى ضمن المنطقة المرئية عند زيادة السمك . ولوحظ ان افضل نتائج الكواشف الضوئية المحضرة كانت عند سمك nm(300) حيث بلغت اعلى قيمة للاستجابة الطيفية 0.68)A/W), والكشفية النوعية كانت بحدود 1012 6.808)cm.Hz1/2.W - 1) عند الطول الموجي nm(708)، واعلى زمن فترة حياة الحاملات μ sec (10) , والتي تم الحصول عليها عند درجة حرارة الغرفة .في هذا البحث تم تصنيع خلية شمسية من المفرق الهجين (p - CuO/n - Si) المحضر من ترسيب اغشية ( (CuOالمحضرة بسمك مختلف بطريقة التبخير الحراري في الفراغ على قواعد سيليكونية احادية البلورة باتجاهية (111) من النوع (p - type) كما اظهرت خصائص (تيار الدائرة القصيرة وفولتية الدائرة القصيرة ) في حالة الاضاءة ان الخلية الشمسية ذات سمك nm((300 تمتلك اعلى قيم للكفاءة مقارنة بقية الخلايا الشمسية الاخرى ، اذ بلغت الكفاءة التحويلية (η=5.9%) في حالة الظلام, ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد، ولوحظ تناقص السعة بزيادة كل من جهد الانحياز العكسي والسمك في حين يزداد عرض منطقة النضوب وقيمة جهد البناء الداخلي بزيادة السمك | In this research photodetector and solar cell fabrication from copper oxides (CuO) its properties were studied, which prepared by deposition CuO at different thickness (250,300,350 and 400)nm via thermal evaporation under vacuum method These films have been prepared by (Cu) Pure metal was deposited on glass and silicon substrate in room temperature (300K) and then oxidation prepared (Cu) films at temperature (300)ºC for one hour with exist air flow. The XRD investigation showed that all the films and atomic force microscopy properties (AFM), that all prepared films are polycrystalline with preferred orientation along (1 ̅11),(111) plane for all films that grain size all the films were homogeneous and smooth and root mean square )RMS) rise increases thickness.The optical measurements showed that the thin films (CuO) high absorbency over the visible region wavelength of (400 - 900)nm ,transmission and the optical energy band gap decrease from (1.8 - 1.4) eV with the increase thin film thickness.The electrical measurements showed variation of the resistivity as a function of temperature in the range (303 - 503)K ,The results showed that increasing in electrical conductivity with increasing both temperature and thickness , observe the Hall effect were (n - type) semiconductor and , also the value of Hall coefficient increasing thickness with increasing the increasing concentration and decrease mobility increasing thickness.The I - V characteristics measurements showed of prepared detectors under dark calculate the ideality factor detectors fabricated find increasing with increasing thickness then value less (3.431) on thickness (300nm) ,found the detectors fabricated showed a range of spectral responsively between (400 - 900) nm with two peaks (p - CuO/n - Si) one peak at (688)nm wavelength - visible region, while the second peak at (810)nm wavelength - IR region The same response for the detectors fabricated with wavelength shifted in the first peak response within IR region and The response time increase with increase thickness The good result of the spectral responsively found at thickness (300)nm which has a peak response about (0.68) A/W and a specific detectivity of )6.808) cm.Hz1/2.W - 11012at (861) nm wavelength with Maximum carrier life time which thickness (300)nm about (10) µ sec obtained at room temperature In this research was solar cell fabricated from (p - CuO/n - Si) heterojunction which prepared from deposited films by using thermal evaporation technique from (CuO) with different thickness, and different (p - type) single crystal silicon substrate with orientation (111). All illumination and (Short Circuit Current and Open Circuit Voltage) characteristics measurements showed solar cell with (300)nm thickness have higher efficiency among other cells, the efficiency (η) value from (η =5.9%) that the heterojunction is abrupt. The capacitance decreases with increasing reverse bias voltage, also with increasing thickness.The width of depletion layer and the value of built - in potential increases with increasing of thickness