السليكون العشوائي للثنائي الباعث للضوء من النقاط الكميه == Amorphous silicon Light Emitting Diode Quantum Dots
Author name:
ولاء خليل جميل خليل
Supervisor name:
موفق كاظم عبد الرضا
General topic:
Physics
Specific topic:
Physics
Degree:
Master
University:
University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department
Language:
English
University location:
Baghdad
First pages:
26T1987 - p.pdf
Abstract:
في هذه الدراسة استخدمت الحسابات النظرية لنبيطة ثنائي الباعث للضوء للنقاط الكميه من السيليكون العشوائي. وعن طريق هذه الحسابات فقد تبنينا فكرة التقيد الكمي. وقد وجد ان الانبعاث الكمي الضوئي يظهر اعتمادا مهما لحجم النقاط الكمية والتي تتراوح من (١ - ٤) نانومتر. ان الكفاءة الكمية الداخلية تتاثر بدرجة الحرارة حيث تكون اكثر كفاءة عند درجة حرارة الغرفة. يمكن لفجوة الطاقة ان تتناغم وفقا للتحكم بحجم النقاط الكمية من السليكون العشوائي. وقد اظهرت النتائج الازاحة نحو الطاقا العاليه في تاثير حالة التقييد الكمي, لهيكل النقاط الكمية للسيليكون العشوائي. وهذا التقييد الكمي يجعل السليكون مرشح للعرض بكامل الوان الطيف البصري. مما يقودنا هذا السلوك البصري الى تفسير تغير مادة النقاط الكمية للسيليكون العشوائي لتصبح مادة ذات فجوة حزمية مباشرة بعد ان كانت غير مباشرة في طبيعتها الحجمية. تمت دراسة الكفاءة الكمية الداخلية بوصفها دالة الى الطول الموجي وتيار الحقن. لقد وجدنا ان النتائج المستحصلة متفقه اتفاقا جيدا مع النتائج التجريبية المنشورة. لذا, فاننا نؤكد على ان مادة النقاط الكمية من السليكون العشوائي هي خيار واعد لنبائط انبعاث الضوء المرئي والقابلة للتناغم الطاقي وذات انجازية عاليه | In this work, theoretical calculations were used by considering the amorphous silicon quantum dots light emitting diode (a - SiQDs LED) as the device of investigation. By these calculations, the effect of quantum confinement was a doped. It is found that the light emission shows significant size dependence in the range (1 - 4) nm of the quantum dots. The internal quantum efficiency is affected by temperature and it is more efficient at room temperature. The energy gap can be tuned by controlling the size of a - SiQDs. The blue shift is attributed to quantum confinement effect in a - SiQDs structure, where quantum confinements make silicon like candidate for full - color display. It led to the interpretation that the a - SiQDs material has been changed to be a direct band gap material. Internal quantum efficiency as a function of wavelength and injection current has been studied. It is found that the obtained results are in good agreement with the experimental published data. Therefore, a - SiQDs material was asserted to be a promising candidate for visible, tunable and high performance light emitting devices.
