البحث — المستودع الرقمي العراقي

نتائج البحث: 10 من أصل 10

دراسة تحليلية لمنظومة كشف وتتبع ليزرية == AN ANALYTICAL STUDY ON A LASER DETECTION AND TRACKING SYSTEM

اسم المؤلف: هشام عبد الملك عبد المجيد

اسم المشرف: محمد صالح مهدي

الموضوع العام: علوم الليزر

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: دكتوراه

الجامعة: الجامعة التكنولوجية - كلية الرشيد للهندسة والعلوم

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

نمذجة وتحليل السماحات في تصنيع عناصر بصرية == tolerance analysis and modeling in manufacturing optical elements

اسم المؤلف: منذر سمين شكر

اسم المشرف: محمد صالح مهدي | علي هاني الحمداني

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: دكتوراه

الجامعة: الجامعة التكنولوجية - كلية الرشيد للهندسة والعلوم

اللغة: العربية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

تصنيع ودراسة خصائص الخلايا الشمسية نوع In2O3/Si المصنعة بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة == Fabrication and Characterization of In2O3/Si Solar Cells by Means of Rapid Thermal Oxidation

اسم المؤلف: دلال فؤاد يوسف

اسم المشرف: رائد عبد الوهاب اسماعيل | ضياء نوري رؤوف

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: ماجستير

الجامعة: الجامعة التكنولوجية

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

تقنيات تحليل مطورة لصور الرادار ذو الفتحة التركيبية == Adaptive Synthetic Aperture Radar (SAR) Image Analysis Techniques

اسم المؤلف: مهدي منشد شلال

اسم المشرف: صالح مهدي علي | فريد فارس رشيد

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: دكتوراه

الجامعة: الجامعة التكنولوجية - كلية الرشيد للهندسة والعلوم

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

دراسة استخدام الليزر في قتل عزلات بكتيرية مرضية محلية == A stady for using the laser on killing local isolates of pathogenic bacteria

اسم المؤلف: عمار هادي القيسي

اسم المشرف: جاسم الحلو الموسوي | اكرم نوري المشهداني

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: ماجستير

الجامعة: الجامعة التكنولوجية

اللغة: العربية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

تحسين خصائص حاجز شوتكي نوع Si/Cu == Enhanacement of Schottky Barrier Type Si/Cu

اسم المؤلف: زينب ناصر جميل الركابي

اسم المشرف: علي مطشر موسى | عدوية جمعة حيدر الزهيري

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: ماجستير

الجامعة: الجامعة التكنولوجية

اللغة: العربية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

دراسة الخصائص الكهربائية والبصرية لاغشية Ge Se4 وGeSe4Te الرقيقة == STUDY OF THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTES FOR GeSe4,GeSe4Te THIN FILMS

اسم المؤلف: هناء صالح سبع العبادي

اسم المشرف: سحر عيسى العسلي

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2005

الموضوع الدقيق: فيزياء الليزر والكهروبصريات

الدرجة: ماجستير

الجامعة: الجامعة المستنصرية - كلية العلوم - قسم الفيزياء

اللغة: العربية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: تم في هذا البحث دراسة بعض الخصائص الكهربائية والبصرية للاغشية العشوائية المرسبة من سبيكة (GeSe4) وسبيكة (GeSe4) المضاف اليها التليريوم وهي (GeSe4Te0.7) و(GeSe4Te2.1) اذ تم ترسيبها على قواعد زجاجية بتقنية التبخير الحراري الفراغي في درجة حرارة الغرفة وبسمك (100± 2.5nm ). استخدمت تقنية حيود الاشعة السينية لمعرفة نوع التركيب البلوري وقد اظهرت انها عشوائية التركيب. تمت دراسة تاثير اضافة التليريوم في تركيب الاغشية على بعض الخصائص الكهربائية فقد كان لذلك تاثيرا في زيادة التيار مقابل جهد معين عند زيادة نسبة التليريوم وكذلك فان لزيادة نسبة التليريوم تاثيرا في تناقص المقاومية الكهربائية وطاقة التنشيط الكهربائية (Ea) وطاقة التنشيط للتنطط ومعامل هول (RH) ومعامل سيبك (S) وزيادة تركيز حاملات الشحنة والتحريكية. اظهرت نتائج معامل سيبك ان قيمته موجبة لجميع الاغشية اي انها ذات توصيلية (P - Type). وقد اكدت ذلك نتائج تاثير هول. وتمت دراسة تاثير اضافة التليريوم في تركيب الاغشية على بعض الخصائص البصرية فقد كان لزيادة نسبة التليريوم تاثيرا في نقصان النفاذية وان النفاذية تزداد مع زيادة الطول الموجي للمدى الطيفي (400 - 900 nm). ومن ناحية اخرى تزداد الامتصاصية ومعامل الامتصاص مع زيادة نسبة التليريوم. وقد وجدنا ان زيادة التليريوم تؤدي الى تناقص فجوة الطاقة البصرية غير المباشرة وزيادة عرض ذيول الحزمة للحالات الموضعية وازاحة حافة الامتصاص باتجاه الطاقات القليلة. اظهرت نتائج الثوابت البصرية زيادة قيمة (K) و(n) و(Є1) و(Є2) مع زيادة نسبة التليريوم. وان زيادة نسبة التليريوم تزيح القمة لقيمة معامل الانكسار (n) وثابت العزل (Є1) و(Є2) باتجاه الاطوال الموجية الطويلة ضمن المدى المدروس (400 - 900 nm). | In this work, some of electrical and optical characteristics of (GeSe4) alloy and (GeSe4) added (Te), where they are (GeSe4Te0.7), (GeSe4Te2.1) amorphous thin films deposited on glass substrates by vacuum deposition with resistive heating technique, at room temperature and (100 ± 2.5 nm) thickness. X - ray diffraction spectroscopy has been used to be sure films are amorphous. The effect of add (Te) to the films composite were studied on some electrical properties, where at a certain value of using Voltage, the current increases (at any voltages used) with telerium (Te). Also there are a decrease in electrical resistivity (ρ), electrical activation energy (Ea), activation energy of hopping, Hall coefficient (RH), and increase in activation energy of thermoelectric powers (Es), seebeck coefficient S, carrier concentration and their mobilities. Seebeck effect measurements showed a positive values for all thin films and they have a p - type electric conductivities. Hall Effect measurements showed that the charge carriers are holes. The effect of add (Te) to the film composite on some optical properties were studied. There is a decreased in transmittance with the increase in atomic (Te). Also the transmittance increase with increases of wavelength for the range 400 - 900 nm. From the other side the absorptivity and absorption coefficient increased with increases of (Te). Also there are a decreased in indirect optical energy gap, increase of localized states at the band tail width, and a shift in absorption edge toward the low energies with increases of atomic Te. The optical constants measurements showed an increase of K, n, Є1 & Є2 with increases of atomic (Te). Also the increase of atomic (Te) shifting the peak position of n, Є1 and Є2 toward long wave lengths for the range 400 - 900nm.