Share
دراسة الخصائص الكهربائية والبصرية لاغشية Ge Se4 وGeSe4Te الرقيقة == STUDY OF THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTES FOR GeSe4,GeSe4Te THIN FILMS
Author name:
هناء صالح سبع العبادي
Supervisor name:
سحر عيسى العسلي
General topic:
Physics
Specific topic:
Laser Physics and Electro-optics
Degree:
Master
University:
Mustansiriyah University - College Of Science
Language:
Arabic
University location:
Baghdad
First pages:
26T1977 - p.pdf
Abstract:
تم في هذا البحث دراسة بعض الخصائص الكهربائية والبصرية للاغشية العشوائية المرسبة من سبيكة (GeSe4) وسبيكة (GeSe4) المضاف اليها التليريوم وهي (GeSe4Te0.7) و(GeSe4Te2.1) اذ تم ترسيبها على قواعد زجاجية بتقنية التبخير الحراري الفراغي في درجة حرارة الغرفة وبسمك (100± 2.5nm ). استخدمت تقنية حيود الاشعة السينية لمعرفة نوع التركيب البلوري وقد اظهرت انها عشوائية التركيب. تمت دراسة تاثير اضافة التليريوم في تركيب الاغشية على بعض الخصائص الكهربائية فقد كان لذلك تاثيرا في زيادة التيار مقابل جهد معين عند زيادة نسبة التليريوم وكذلك فان لزيادة نسبة التليريوم تاثيرا في تناقص المقاومية الكهربائية وطاقة التنشيط الكهربائية (Ea) وطاقة التنشيط للتنطط ومعامل هول (RH) ومعامل سيبك (S) وزيادة تركيز حاملات الشحنة والتحريكية. اظهرت نتائج معامل سيبك ان قيمته موجبة لجميع الاغشية اي انها ذات توصيلية (P - Type). وقد اكدت ذلك نتائج تاثير هول. وتمت دراسة تاثير اضافة التليريوم في تركيب الاغشية على بعض الخصائص البصرية فقد كان لزيادة نسبة التليريوم تاثيرا في نقصان النفاذية وان النفاذية تزداد مع زيادة الطول الموجي للمدى الطيفي (400 - 900 nm). ومن ناحية اخرى تزداد الامتصاصية ومعامل الامتصاص مع زيادة نسبة التليريوم. وقد وجدنا ان زيادة التليريوم تؤدي الى تناقص فجوة الطاقة البصرية غير المباشرة وزيادة عرض ذيول الحزمة للحالات الموضعية وازاحة حافة الامتصاص باتجاه الطاقات القليلة. اظهرت نتائج الثوابت البصرية زيادة قيمة (K) و(n) و(Є1) و(Є2) مع زيادة نسبة التليريوم. وان زيادة نسبة التليريوم تزيح القمة لقيمة معامل الانكسار (n) وثابت العزل (Є1) و(Є2) باتجاه الاطوال الموجية الطويلة ضمن المدى المدروس (400 - 900 nm). | In this work, some of electrical and optical characteristics of (GeSe4) alloy and (GeSe4) added (Te), where they are (GeSe4Te0.7), (GeSe4Te2.1) amorphous thin films deposited on glass substrates by vacuum deposition with resistive heating technique, at room temperature and (100 ± 2.5 nm) thickness. X - ray diffraction spectroscopy has been used to be sure films are amorphous. The effect of add (Te) to the films composite were studied on some electrical properties, where at a certain value of using Voltage, the current increases (at any voltages used) with telerium (Te). Also there are a decrease in electrical resistivity (ρ), electrical activation energy (Ea), activation energy of hopping, Hall coefficient (RH), and increase in activation energy of thermoelectric powers (Es), seebeck coefficient S, carrier concentration and their mobilities. Seebeck effect measurements showed a positive values for all thin films and they have a p - type electric conductivities. Hall Effect measurements showed that the charge carriers are holes. The effect of add (Te) to the film composite on some optical properties were studied. There is a decreased in transmittance with the increase in atomic (Te). Also the transmittance increase with increases of wavelength for the range 400 - 900 nm. From the other side the absorptivity and absorption coefficient increased with increases of (Te). Also there are a decreased in indirect optical energy gap, increase of localized states at the band tail width, and a shift in absorption edge toward the low energies with increases of atomic Te. The optical constants measurements showed an increase of K, n, Є1 & Є2 with increases of atomic (Te). Also the increase of atomic (Te) shifting the peak position of n, Є1 and Є2 toward long wave lengths for the range 400 - 900nm.
