Search — Iraqi Digital Repository

Search results: 18 out of 43

تحضير ودراسة بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية (Bi2O3 : Al) الرقيقة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ == Preparation and study of some Physical properties for( Bi2O3 : Al) Evaporated Thin Films under vacuum

Author name: نصر عيسى نجم

Supervisor name: بشرى كاظم حسون الميالي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: حضرت اغشـيــة ( Bi2O3 ) على قواعد زجاجية بسمــك مختلـف( 450 , 350 , 250 ) nm وبـدقـة تصـل الـى ( ∓ 20 ) nm والمشـوب بمادة الالمنيـوم ( Al ) وبنسـب تشـويب مختلفة ( 3 , 2 , 1 ) % عنـد السمك ( 20 ∓ 450 ) nm والمحضرة بطريقـة التبخـر الحـراري في الفراغ وقد كان معدل ترسيب ( 1.20 nm / sec ) ,اضافة الى ذلك تم اكسدة اغشية البزموث ( Bi ) بدرجة حرارة ( 523 ) K وبزمن لا يزيد عن ساعة واحدة بوجود الهواء , وتـم دراسـة تاثيـر التلديـن علـى الخـواص التركيبيـة والبصـرية للاغشيـة النقيـة والمشـوبـة بـدرجات حــرارة ( 773 , 673 , 573 , R.T ) K ولمدة ساعة واحدة . استخـدمـت تقنية حيـود الاشعة لدراسـة الخصائص التركيبية للاغشية المحضرة واظهرت نتائج قياس حيود الاشعة السينية ( X - ray ) ان جميـع الاغشيـة المحضـرة النقيـة والمشوبـة تكون ذات تركيب متعـدد التبلـور ومـن النـوع الرباعـي والاتجاه السائد (201) لكل الاغشية المحضرة وزيادة معدل الحجم الحبيبي بزيادة سمك الغشاء , وهذا ما اشارت اليه قياسات مجهر القوة الذرية (AFM) كذلك يزداد معـدل الحجـم الحبيبي بزيادة نسب التشويب ما عدا النسبة ( 3 ) % . اظهرت الخصائص البصـرية ان النفاذية تتغير مع تغيـر كـل من سمك الغشاء ودرجة حرارة التلدين ونسب التشويب بالالمنيوم , وكذلـك تـم ايجاد فجـوة الطاقـة البصـرية للاغشيـة كافة فتبيـن انها مـن النـوع المباشـر المسموح لجميع الاغشية المحضرة وتزداد مع زيادة سمـك الغشاء, بينما تقـل مـع زيادة كـل من درجة حرارة التلدين ونسب التشويب عدا النسبة ( 3 % ) . اضافـة الى ذلـك تم حساب قيـم الثـوابـت البصريـة مثـل (معامل الامتصاص ومعامل الانكسار ومعامـل الخمـود وثابـت العـزل المعقد (الحقيقي والخيالي ) والتوصيلية الضـوئية ) كدالة الاطوال الموجية ( 1100 - 300 ) nm للاغشـية المحضرة . | This research includes studying the structural and optical properties of pure Bismuth Oxide ( Bi2O3 ) thin film at different thicknesses ( 250 , 350 and 450 ± 20 ) nm and doped by Aluminum ( Al ) of ( 450 ± 20 ) nm thickness with different doping ratios ( 1 , 2 , 3 ) % which is prepared by thermal evaporation method from depositing Bismuth film on glass substrates at R.T ( 300 ) K with deposition rate ( 1.20 nm / sec ) then oxidation Bismuth films at ( 523 ) K for one hour in air , Also it includes studing the effect of annealing temperature at ( R.T , 573 , 673 and 773 ) K for one hour on structural and optical properties for pure and doped films . The results of x - ray diffraction have been showed that pure and doped prepared films have polycrystalline structure with tetragonal phase with preferred orientation ( 201 ) for all prepared films the grain size increases with the increase of film thickness and this is in agreement with ( AFM ) measurements also it increases after doping except at ratio ( 3 % ) . This research also includes studing the optical properties of prepared pure and doped films . The transmission and absorption values changed with the changing of film thickness , annealing temperature and doping ratio with ( Al ) , the optical energy gap for allowed direct transition was evaluated and it increases with the increase of film thickness while it decreases with annealing temperature and doping percentage by ( Al ) except ratio ( 3 % ) . The optical properties results include calculating the optical constant (absorption coefficient , refractive index ,extinction coefficient, dielectric Constant with two parts real and imaginary and optical conductivity ) in the range of wave length ( 300 - 1100 ) nm for pure and doped films before and after annealing

دراسة الخصائص التحسسية لاغشية اوكسيد الخارصين والمحضرة بطريقة (ZnO : Al) المشوبة بالالمنيوم التبخير الحراري == Study of the Sensing Properties of the Aluminum - Doped Zinc Oxide thin films Prepared by Thermal Vacuum Evaporation Technique

Author name: مهند شاكر كشكول محمود ال شربه

Supervisor name: ابراهيم رمضان عاكول

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخصائص الكهربائية والتحسسية لاغشية (ZnO : Al) الرقيقة وبالنسب%(5,4,3,2,1) المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة وبسمك (275±15)nm وبمعدل ترسيب (1.7±0.3nm/s) ومن ثم عانت جميع الاغشية اكسدة حرارية جافة بدرجةoC350 ولمدة ثلاث دقائق.تبين من خلال نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) ان جميع اغشية(ZnO : Al) كانت ذات تركيب متعددة التبلورمع اتجاه تفضيلي هو(101) اكثر وضوحا من باقي الاتجاهات وذات تركيب سداسي (فورتزايت). ومعدل الحجم الحبيبي لاوكسيد الخارصين ZnO النقي (44.9nm)، التشويب بالالمنيوم ادى الى نقصان الحجم الحبيبي، اي تدهور التركيب البلوري ، يصل الحجم الحبيبي الى ادنى قيمة عند 3% ثم يقل تاثير التشويب بعدها,كما بين مخطط الحيود (XRD) لاغشية ZnO : Al وجود طورين للالومينا (Al2O3) هما α وδ تزداد نسبة تواجدهما مع زيادة نسبة التشويب. اظهرت القياسات الكهربائية ان التوصيلية الكهربائية المستمرة تزداد بزيادة نسبة التشويب حتى لتصل اقصى قيمة(Ω cm) - 1 144.875عند نسبة 3% ثم تبدا بالنقصان مع زيادة نسبة التشويب .وبينت القياسات ان الاغشية كافة تمتلك طاقتين للتنشيط (Ea1) و(Ea2) تزداد قيمتهما بزيادة نسبة التشويب، وتبين من خلال دراسة تاثير هول وتاثير سيباك ان جميع الاغشية هي من النوع السالب (n - type) .اما التحركية وكثافة الحاملات لاغشية (ZnO : Al) فقد ازدادتا مع ازدياد نسبة التشويب لتصل اقصى قيمة 59.39 cm2 V - 1s - 1 وcm - 3 1019×1.52 على التوالي عند نسبة تطعيم 3% بعدها بداتا تقل مع زيادة نسبة التشويب . تم تعريض العينات الى بخار الايثانول والميثانول وبدرجات تطبيقية مختلفة(30,40,و65 ) Co وبتسليط فولتية تتراوح (0 - 15) فولت, اظهرت القياسات التحسسية تحسس عالي لبخار الايثانول والميثانول عند تركيز 750ppm للبخار وكانت نسبة التشويب 3% هي الافضل دائما حيث سجلت اعلى قيمة للتحسس بلغت 73% عند درجة حرارة تطبيقية Co 30 تزداد لتصل 85% عند Top= 40 Co , في حين لم تظهر الاغشية تحسس لغاز(Co2 ) الا عند درجة حرارة (Co 205 ) وبتركيز ppm 1500 للغاز وبشكل ضعيف جدا بلغت نسبة التحسس 8% عند نسبة تشويب 3%, وكان التحسس معدوم بالنسبة لغاز (N2 ) وتبين ان التحسسية تتناسب عكسيا مع الحجم الحبيبي ,وطرديا مع درجة الحرارة التطبيقية ولمدى معين كما ان سرعة الاستجابة ومنحني (العودة ) يتحسن بشكل ضئيل مع زيادة درجة الحرارة. واظهرت النتائج عند تسليط فولتية خارجية خلال اخذ القياسات التحسسيةعلى الغشاء يزيد من تيار الخارج لكن في نفس الوقت تقل التحسسية . | In this work, electrical and sensing properties are investigated for Aluminum - doped Zinc Oxide thin films with different aluminum doping concentration (1,2,3,4 and 5%) prepared by thermal vacuum evaporation on glass substrate at (R.T) with (275±15)nm thickness deposition rate (1.7±0.3 nm/s) ,all films undergo dry thermal oxidation at (350 оC )for three minutes .The X - ray diffraction technique showed that all prepared films are polycrystalline with preferential orientation in the (101) direction. The peaks correspond to a hexagonal wurzite structure with the average grain size of pure ZnO (44.9nm) ,the doping resulted in decreasing grain size i.e deteriorates the crystallinity of the films until 3%doped.Other phases indicated from XRD were (δ) Al2O3.and(α) Al2O3 . Alumina concentration increased with increasing doping concentration. The grain size of ZnO : Al films is smaller compared to the grain size of ZnO films at same deposition parameters .The electrical properties showed the conductivity variation of Al - doped ZnO films with different doping concentrations first increase with increased Al concentrations. Maximum conductivity 144.875 (Ωcm) - 1 was obtained at a doping concentration of 3%, then the conductivity started to decrease significantly with increased in the Al doping concentration . Also, the doping affected the activation energy, by increasing it is value with increasing in doping concentration.The results obtained from Hall effect and Seebeck measurements have shown that ZnO : Al film is ( n - type ).The mobility of the ZnO : AI films increases with dopant concentration, and reaches maximum value of about 59.39 Cm2 V - 1 S - 1, at doping concentration 3%. Above 3% the mobility of the film decreases with increasing AI - concentration. The carrier concentration of the film increases with increasing dopant concentration, such behavior was expected, after a certain level of doping at 3%.The carrier concentration of the film decreases with increasing dopant concentration. Thin films specimens were examined for chemical sensing using vapor ethanol and methanol (at 30,40and65 оC) .The thin film surface exposed to 750 ppm vapor concentrations. The measuring, carried out with an applied voltage varied from (0 - 15) volts .The sensing measurements showed high sensitivity to ethanol and methanol. AZO 3% recorded the best result 73% for ethanol at operation temperature 30 оC increased to 85% at 40 оC.The sensitivity to CO2 was observed hardly of about 8% at 205 оC, and did not record any detection to N2 gas.The result showed that the sensitivity directly proportional with the operation temperature for limited range, and little improves response time and recover curve.Sensitivity is inversely proportional to the grain size and the applied voltage.

ازالة الغشاوة من الصور الرقمية باستخدام التقنيات الترددية المعتمدة على دالة النشر النقطي == Deblurring Digital Images by Using Frequency Domain Techniques Based on Point Spread Function

Author name: مالك عطیة دشر

Supervisor name: حازم كاطع دواي الخزاعي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية ZnO الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Author name: كامران ياسين قادر

Supervisor name: نادر فاضل حبوبي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية (ZnO) الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري ، اذ ان الاغشية المحضرة هي بسمك(2000,3000,4000,5000,6000,7000)Ǻ مرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية لاغشية اوكسيد الخارصين ان هذه الاغشية متعددة التبلور ومن النوع السداسي ولها اتجاه تفضيلي هو (002). اشتملت دراسة الخواص البصرية على قياس طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية)nm 900(390 - ، وجد ان الامتصاصية تزداد بينما تقل النفاذية بزيادة سمك الغشاء لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. ووجد ايضا عند حساب الانعكاسية انها تزداد بزيادة السمك لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. حسبت قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر المسموح وكانت تتراوح من eV (2.8 - 3.05) ، اذ انها تقل بزيادة سمك الغشاء . اما قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر الممنوع فكانت تتراوح من eV (2.68 - 2.83) . وايضا درس تاثير السمك على معامل الانكسار ، معامل الخمود ، معامل الامتصاص ، ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي ، والتوصيلية الضوئية ، وجد ان تغير السمك يؤثر على قيم هذه المعلمات. | In this research , the study of structural properties and the effect of thickness on the optical properties of (ZnO) thin films prepared by chemical spray pyrolysis . The thickness of the prepared thin films (2000,3000,4000,5000,6000,7000) Ǻ , which were deposited on glass substrate at a temperature of (400 ) . The optical properties including the measuring of absorbance and transmission spectra in the wavelength range (390 - 900) nm . It was found that absorbance increases while transmission decrease as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . And it was found that reflectance increases as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . The forbidden energy gap for direct allowed transition were calculated and it was in the range (2.8 - 3.05) eV , it decrease as the film thickness increase , and their values of the direct forbidden transition were in the range (2.68 - 2.83) eV . The effect of thickness on the refractive index , extinction coefficient , real and imaginary part of dielectric constant and optical conductivity were also studied , it was found that thickness variation affect on the values of these parameters .

تاثير اغشية (SnO2) كالكترود على كفاءة الخلية الشمسية == The effect of SnO2 thin film as an electrode on the efficiency of solar cells

Author name: انغام زهير نجم

Supervisor name: بتول درعم بلاوه

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: في هذاالبحث حضرت اغشية 2) SnO) النانوية الرقيقة بطريقة الرش الكيميائي الحراري لمحلول كلوريدات القصدير المائية (Sncl2.2H2O ) وبتركيز (0.05 ) مولاري وبدرجة حرارة ثابتة تقريبا وباسماك مختلفة وعلى نوعين من القواعد النوع الاول هي القواعد الزجاجية وذلك من اجل دراسة الخصائص البصرية والتركيبية للغشاء . اما النوع الثاني فكان قواعد من خلايا شمسية سليكونية من نوع اتصال (p - n) لدراسة تاثير الغشاء كقطب توصيل على كفاءة الخلية الشمسية . تم في هذا البحث تشخيص الاغشية من خلال حيود الاشعة السينية وتبين بان الغشاء ذات طبيعة متعددة التبلور وباتجاهية سائدة (110,101,211 ) .اوضحت قياسات الخواص البصرية من خلال دراسة سلوك منحني النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ان الاغشية ذات نفاذية عالية للاطوال الموجية في المنطقة الطيفية nm(900 - 600) وهذا مايؤهلها للاستخدام كقطب توصيل مضاد للانعكاس ضمن هذه المنطقة وان النفاذية تزداد بنقصان السمك وان منحني الامتصاصية والانعكاسية يسلك سلوكا معاكسا لمنحني النفاذية .اظهرت دراسة الانتقالات الالكترونية حدوث جميع الانتقالات الالكترونية .ومن خلال دراسة قيم معامل الامتصاص اتضح بان الانتقالات الالكترونية المباشرة المسموحة هي الانتقالات السائدة وان قيمة فجوة الطاقة تتراوح بين 3.1 - 2.7)eV) وتم حساب بعض الثوابت البصرية والتي شملت معامل الانكسار ومعامل الخمود. اظهرت قياسات (تيار - فولتية) تحسن ملحوظا في كفاءة الخلية الشمسية بعد الطلاء بغشاء SnO2 كقطب توصيل.تزداد كفاءة الخلية الشمسية مع زيادة تركيز الغشاء حيث كانت اعلى كفاءة 16.43% عند السمك (100) nm و15.97% عند السمك (90)nm . | Nanostructure SnO2 thin films have been prepared by the thermal - chemical technique for (SnCl2.2H2O) watery tin chloride solution in(0.05)M concentration at constant temperature and different thickness on two kinds of substrates ,first type the glass substrate for the study optical and structural properties of the films ,while the second type was silicon solar cell of p - n junction to study the effect of the films as electrode on the efficiency of solar cell. From the diffraction of X - Ray it was appear that the films has poly crystalline and directionality is prevalent in (110,101,211).Through the study of the transmittance and absorbance as a function of wavelength shows that the films have high transmittance in spectrum regional (600 - 900)nm and that is make it ready to use as anti - reflection electrode. Transmittance is increasing while the thickness is reduced,reflectance and absorbance curve act in opposite direction to the transmittance curve. The study of electron transition shown that all the electron transition is happened and through the study of the values of absorbant coefficient shown that the allowed direct electronic transitions is the prevalent transition, and the value of energy gap is (2.7 - 3.1 ) eV. Also optical constant like refractive index (n) and extinction coefficient (ko) have been calculated. The efficiency of solar cell increased with the increased the thickness of the films, maximum efficiency of the solar cell is 16.43% corresponding to (100)nm and 15.97% corresponding to (90)nm

الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية Bi2 (Te1 - x Sex) 3 الرقيقة == Structural and electrical properties of Bi2 (Te 1 - x Se x) 3 thin films

Author name: هديل فاضل حسين عمران

Supervisor name: اخلاص هميم شلال

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Education For Pure Sciences

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تم تحضير عينات لسبائك Bi2(Te1 - xSex)3بنسب مختلفة من محتوى (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,and 1.0) Se ,وحضرت الاغشية الرقيقة باستخدام منظومة التبخير الحراري على قواعد من مادة الزجاج وعند ضغط واطئ ( (10 - 5 تور وبمعدل ترسيب (12) نانومتر بالدقيقة عند درجة حرارة الغرفة وبسمك ثابت مقداره (450±30) نانومتر. تم التحقق من تراكيز كل من العناصر المكونة للسبائك البزموث والتيلريوم والسلينيوم من خلال الفحص بجهاز فلورة الاشعة السينية حيث تعتمد هذه التقنية على القيم القياسية لهذه العناصر .وذلك للتاكد من ان السبائك Bi2(Te1 - xSex)3 هي ذات نقاوة جيدة. اظهرت قياسات حيود الاشعة السينية لسبائك واغشيةBi2(Te1 - xSex)3 بانها تمتلك تركيب متعدد التبلور بالمنشور السداسي المنتظم، بمجموعة الفضاء R3m، مع التوجيه القوي للسطح (015). لوحظ ان هناك قمم حيود اضافية، تتوافق مع الانعكاسات عن السطوح البلورية ، (006) و(0015)، نلاحظ ان هناك العديد من الانعكاسات عن السطوح البلورية( 015) (006)، (1010) وانعكاس قوي وحاد عن السطح (015) ، وهذا يعني ان جميع الاغشية ذات تركيب جيد على طول المستوى (015) بشدات مختلفة لكل غشاء رقيق وكما اظهرت قياسات بجهاز AFM او مورفولوجية السطح للاغشية Bi2(Te1 - xSex)3 ان هناك زيادة في حجم الحبيبة ومتوسط خشونة السطح مع زيادة نسبة (x). اظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية المستمرة وجود طاقتي للتنشيط، وبالتالي ظهور اليتين للنقل للحاملات في الاغشيةBi2(Te1 - xSex)3الرقيقة ولجميع مديات درجات الحرارة , حيث ان الطاقة التنشيط الاولى (Ea1) تحدث في درجة الحرارة المنخفضة للمدى (323 - 383) K في حين ان طاقة التنشيط الثانية (Ea2) تحدث في درجة الحرارة المرتفعة للمدى (383 - 433). تشير نتائج قياسات تاثير هول ان جميع الاغشية الرقيقة ولجميع قيم x تمتلك توصيلية كهربائية من النوع p والتي تتطابق مع توصيلية المركبات الاصلية Bi2Te3 وBi2Se3 مما يعني عدم وجود انحراف في نسبة السلينيوم Se / او التليريوم Te في السبائك المصنعة، حيث ان هذا الانحراف يؤدي الى تغيير نوع التوصيلية في الاغشية الرقيقة لBi2(Te1 - xSex)3. تقل تراكيز حاملات الشحنة مع ارتفاع نسبة Se للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3، من القيمة 2.32*1019cm - 3)) عند x=0 الى القيمة) ( 9.40*1017cm - 3 عند x=1 , في حين اظهرت حركية هول μH سلوكا مغايرا حيث تزداد مع زيادة نسبة السلينيوم Se في الاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3 من 3.51*10 - 1 cm2/V.s) ) الى القيمة 7.54 cm2/V.s) ) عند تغير قيم x من (0) الى (1) على التوالي. تم قياس الخصائص الكهروحرارية للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3 للمدى الحراري من K ( 383 - 433) , حيث ان قيم معامل سيباك ، تنخفض مع زيادة نسبة Se لجميع العينات للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3، بينما انخفض معامل القدرة مع زيادة نسبة السلينيوم Se في الاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3. التوصلية الحرارية Kel للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3 كما تم ترسيبها , تنخفض بشكل ملحوظ مع زيادة نسبة Se, من القيمة (1.031*10 - 5 ( w/cm.k)) الى القيمة 8.96*10 - 6 ) (w/cm.k))) اخيرا وجدنا ان هذا العامل (ZT) يقل مع زيادة نسبة (Se) في الاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3, من (0.704) الى القيمة(0.129) عند عند تغير قيم x من (0) الى (1) على التوالي. | The Bi2(Te1 - x Sex)3 alloys with different values of the percentage of Se (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9 and 1)have been prepared, Thinfilms of these alloys were prepared using thermal evaporation technique under vacuum of (10 - 5 ) Torr on glass substrates, at room temperature with deposition rate (12nm/min) with constant thickness (450±30 nm). The concentrations of Bi, Se and Te in the Bi2(Te1 - x Sex)3 alloys were identified by X - ray Fluorescence (XRF) technique , to be ensure that they are in good stoichiometric percentage in the Bi2(Te1 - x Sex)3 alloys. The X - ray diffraction measurements for bulk and thin films of Bi2(Te1 - xSex)3 indicate the polycrystalline structure with rohmbohedral structure, with space group R3m, and with a strong (015) preferred orientation. and it can be noticed that there are additional peaks, (0015) and (006 ) reflections planes, which is meaning that all films present a very good texture along the (015) plane axis, different intensities for each thin film. AFM measurements or The surface morphology for the thin films of Bi2(Te1 - x Sex)3,show that the average crystallite size and the average surface roughness increasing with increasing of the percentage Se(x). The D.C measurements showed two stages of activation energy and hence two transport mechanisms for thin films under study, in the temperature range, (Ea1) occurs within range (323 - 383)K , while (Ea2) within range (383 - 433) K. The values of Ea1 increase from (0.0066627at x=0 - 0.0073361 at x=1) eV The values of Ea2 increase from (0.011 - 0.013) eV The results Hall Effect measurements show that all thin films have p - type conductivity and that coincide with the original compounds Bi2Te3 and Bi2Se3, indicating there is no deviation in the percentage of Se and/or Te in our fabricated alloys, then this will be changing the type of thin films conductivity. The carrier concentrations of charge carriers nH decrease with increasing of Se percentage, from (2.32*1019cm - 3 ) at x=0 to(9.40*1017cm - 3 ) at x=1, while the mobility μH showed opposite manner which increases with increasing of Se percentage from (3.51*10 - 1 cm2/V.s) when x=0 to (7.54cm2/V.s) at x=1. Thermoelectric properties of Bi 2 (Te 1 - X Se X) 3 thinfilm were measured from (383 K to 433 K) The values of Seebeck coefficient, decreases as increasing of Se percentage in all samples of Bi 2 (Te 1 - X Se X) 3 thinfilm, while the power factor was decrease when we increase the (Se) percentage in Bi 2 (Te 1 - X Se X) 3 thinfilm. Thermal conductivity Kel for the as deposited Bi2(Te1 - x Se x)3 thinfilm, decreases sharply by increasing Se percentage from (1.03*10 - 5 w/cm.k).to (8.95*10 - 6 w/cm.k) .Finally we found that the figure of Merit (ZT) decreases by increasing (Se) percentage for all investigated Bi2(Te1 - xSex)3 thin films, from (0.704) at x= 0 to (0.129) at x=1.

حسابات انموذج القشرة لبعض النويات الغريبة حول القلب المغلق 132Sn == Shell Model Calculations of some Exotic Nuclei around the Core 132Sn

Author name: سارة مهدي عبيد الشريفي

Supervisor name: فـؤاد عطية مجيـد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Babylon - College Of Education For Pure Sciences - Physics Department

Language: English

University location: Babylon

First pages:

Abstract: اجريت حسابات انموذج القشرة وبنطاق واسع وبدون تقييد لدراسة مستويات الطاقة ومعدلات الانتقال المختزلة B(E2;0_1^+→├ 2_1^+ )┤ ، B(E2;2_1^+→├ 4_1^+ )┤ وطاقات الربط للنظائر134,136Sn ، 134,136Te ، 136,138Xe ، 138Ba . لقد اجريت الحسابات باستخدام برنامج انموذج القشره الحديث NushellX@MSU عن طريق توظيف التفاعلات المؤثرةjj56pna, jj56pnb, kh5082, cw5082, jj56cdb, khhe . لقد اجريت الحسابات قرب القلب المغلق 132Sn في فضاء النموذج jj56pn وبدون اي قيد مفروض على نيوكليونات التكافؤ خارج القلب المغلق.قورنت حسابات مستويات الطاقة ومعدلات الانتقال المختزله وطاقات الربط مع البيانات العملية المتوفرة حديثا. تم الحصول على نتائج ملائمة ومرضيه وذلك عن طريق مقارنه القيمة المطلقة للفرق بين المستويات 2_1^+ و4_+^1 النظرية والعملية لجميع النظائر قيد الدراسة. تم الحصول على طاقة الربط النووية بشكل ممتاز عن طريق حسابات انموذج القشرة الحالية. من خلال المقارنه بين الحسابات النظرية لمستويات الطاقة المتهيجه واحتمالية الانتقال الكهربائي المختزلة B(E2) مع البيانات العلمية، توصلنا الى استنتاج انه لا يوجد تفاعل مؤثر شامل في هذه المنطقة ونحتاج الى الكثير من البحوث لدراسة الخصائص النووية الاخرى التي يمكن ان تساعدنا في فهم افضل للنويات التي تقع بجوار 132Sn. | Unrestricted large - scale shell model calculations have been performed to study the energy levels, reduced transition probabilities B(E2; 0+ → 2+), B(E2; 2+ → 4+) and binding energies for 1 1 1 1134,136Sn, 134,136Te, 136,138Xe and 138Ba isotopes. The calculations have been performed using the recent shell model code NushellX@MSU byemploying j j56pna, j j56pnb, kh5082, cw5082, j j56cdb and khhe residual effective interactions. The calculations have been performed by taken the core at 132Sn in j j56pn model space without any restrictions imposed on the valence nucleons outside the core.The calculations of excitation energy levels, reduced transition probabilities and binding energies, were compared with the recent available experimental data. A satisfactory results were obtained by comparing the absolute difference between theoretical and experimental 2+ as well as 4+ states for all selected isotopes. The experimental binding energy is very well reproduced by the current shell model calculations. From the comparison between our theoretical calculationsfor excitation spectra and reduced electric transition probabilities B(E2) withthe corresponding experimental data, it is concluded that, there is no universal effective interaction in this mass region and more investigation needed to study other nuclear structure properties that might help us to better understand the nuclei lies in the vicinity of 132Sn core.

الخصائص التركيبية والطوبوغرافية والبصرية لاغشية (CdS : Li,Al) المحضرة بطريقه المحلول الغروي == Structural, Morphological and Optical Properties of CdS : Li,Al Films Prepared by Sol - Gel Method

Author name: براق كريم كاظم الحسناوي

Supervisor name: فؤاد شاكر هاشم الجبوري

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Babylon - College Of Education For Pure Sciences - Physics Department

Language: English

University location: Babylon

First pages:

Abstract: في هذا العمل, تم تحضير اغشية رقيقة من كبريتيد الكادميوم (CdS) النقية والمشوبة بالليثيوم والالمنيوم بنسب موليه مختلفة (05.0, 1 .0 و15.0٪). بتقنيه الطلاء الدوار بالمحلول الغروي, رسبت على قواعد من الزجاج بدرجة حرارة الغرفة K300 بسرعه دوران 1000 دوره بالدقيقة الواحدة وزمن دوران 10ثواني وحرارة تلدين 623 كلفن ولمدة 150 دقيقه.طيف حيود الاشعة السينية اظهر ان جميع الاغشية المرسبة كانت متعددة التبلور وذات تركيب سداسي والاتجاه مفضل على طول المستوي (002) ماعدا الاغشية المشوبة بنسب موليه 0.1 و0.15 من الليثيوم غيرت الاتجاه المفضل الى المستوي (100) ومعدل الحجم الحبيبي لاغشية CdS) ) تساوي 8.666 نانومتر ومع زياده نسب التشويب فان معدل الحجم الحبيبي يزداد حيث وجد بمدى (9.341الى 11.112 نانومتر ل(CdS : Li ) و(9.331 الى 10)نانومتر ل ((CdS : Al. تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام مجهر القوى الذرية (AFM) ان مربع معدل الجذر والخشونة يزداد بزيادة التشويب,البيانات من صور AFM)) تظهر الجسيمات محددة بشكل جيد كمعالم مع مورفولوجيا الحبيبية ويشير الى وجود حبيبات بلورية صغيرة. الدراسة البصرية لاغشية الرقيقة كبريتيد الكادميوم (CdS) النقية والمشوبة من الليثيوم Li) ) والالمنيوم(Al) اظهرت قيمة جيده للنفاذية التي تتجاوز (87.0 - 91.8%) ل (CdS ) وبين منطقة الضوء المرئي (اطول من 500) ومنطقة تحت الحمراء ولكنها تتناقص الى حدود89.3%) , 77.4) و(85 - 88%) مع نسب التشويب العالية من الليثيوم والالمنيوم (0.15مول %) . الامتصاصية العالية في منطقة الموجات فوق البنفسجية تجعلها مناسبة اكثر للتطبيقات كنوافذ للخلايا الشمسية. والانتقالات الالكترونية مباشرة مسموحة وفجوة الطاقة البصرية تساوي 3.08 eV للغشاء النقي (CdS) وتساوي 2.89 eV) الى 2.97eV ) CdS : Li وCdS : Al (2.927eV to 3.025 eV)) مما يدل على ان قيم فجوة الطاقة تتناقص باضافة نسب مولية مختلفة لكل من الليثيوم والالمنيوم السلوك العام للثوابت البصرية مثل معامل الامتصاص, معامل الانكسار ، معامل الخمود ، وثابت العزل الحقيقي والخيالي وفقدان العزل والتوصيلية البصرية تزداد مع زيادة نسب التشويب المولية الليثيوم والالمنيوم لجميع النماذج في مناطق الضوء المرئي وتحت الحمراء. | In this work, pure cadmium sulfide(CdS) and Li, Al - doped CdS with different percentages of (0.05, 0.1, and 0.15 mol%) thin films were prepared by using sol - gel spin coating technique, deposited on glass substrates at room temperature (RT) (300K) with the spin speed and spin time of 1000 rpm and 10 seconds and annealed at temperature 623 K for 150 min. The XRD pattern revealed that all deposited films are found to be polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure with a preferred orientation along the (002) plane, excepted the doping films by 0.1, and 0.15 mol% Li was led to change the preferable orientation to (100) plane. The average crystallite size for pure CdS films is equal to 8.666 nm. As the doping percentage increases, the crystallite size increase where is found to lie in the range of 9.341 nm to 11.112 nm for CdS : Li, and 9.331 nm to 10 nm for CdS : Al. The surface morphology of thin films is studied by using atomic force microscope (AFM). The roughness and root mean square values are increasing with the increasing of Li, Al doping concentration and the data from AFM images show well defined particle like features with granular morphology and indicates the presence of small crystalline grains. The optical study of pure cadmium sulfide(CdS) and Li, Al - doped CdS showed good transmittance value, that exceeds (87.0 - 91.8%) for CdS in VIS (longer than 500 nm) and NIR region, but it decreases to the range (77.4 - 89.3%), and (85 - 88%) , with a high doping ratio of lithium and aluminum (0.15 mol %), respectively. The high absorbance in UV region makes it more suitable for applications as a window in solar cell. The electronic transitions was directly allowed and the optical energy gap (Egopt ) were equal to( 3.08 eV) for pure CdS and( 2.89 eV to 2.97eV) for CdS : Li, and (2.927eV to 3.025 eV) for CdS : Al, which indicates that the optical energy gap values decrease with additive both Li and Al mole percent. The general behavior of the optical constants such as absorption coefficient, refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant, dielectric loss angle, and optical conductivity increases with the increasing of doped CdS by Li and Al mol % in all samples in the VIS and NIR regions

تصنيع ودراسة خصائص اغشية اوكسيد الباريوم الرقيقة == Fabrication and Study of Characterization of Barium Oxide Thin Films

Author name: حسن هلال حسن ونس الجناحي

Supervisor name: عبد العزيز عبيد موسى العكيلي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Babylon - College Of Science - Physics Department

Language: English

University location: Babylon

First pages:

Abstract: في هذه الدراسة تم ترسيب اغشية رقيقة من اوكسيد الباريوم على قواعد مختلفة تضمنت (الزجاج والسيليكون نوع (p)) والتي تم تحضيرها بتقنية الرش الكيميائي الحراري باختلاف عدد الرشات (30,20,10,5) حيث كان السمك (75,103,109, و(112 نانومتر للزجاج وبنفس عدد الرشات للزجاج كان السمك (91,74,50, و103) نانومتر للسيليكون وبدرجات حرارية مختلفة (450,400,350,300) C حيث كان السمك (71,68,65, و76) نانومتر للسيليكون وذلك لدراسة خصائص الاغشية الرقيقة وتطبيقاتها الكهرو بصريه مثل (الخلايا الشمسية والكواشف). ان الاغشية متعددة التبلور وكذلك احادية التبلور لاوكسيد الباريوم كانت تشير الى الخصائص التركيبية للاغشية الرقيقة المتمثلة بفحص حيود الاشعة السينية (XRD) , فقد كانت حساسيتها داله لسمك الغشاء ونوع القاعدة. فيما بينت قياسات مجهر القوه الذرية (AFM) ان الحجم الحبيبي يتراوح من (125.18 - 92.2) نانومتر على اعتبار ان الحجم الحبيبي يزداد مع السمك. وان فجوه الطاقة تقل بزياده السمك حيث استعمل مطياف للمدى (المرئي - فوق البنفسجي) ,كذلك تم ملاحظة ان فجوة الطاقة للاغشية الرقيقة تزداد بزياده التبلور للقاعدة. فضلا عن ان فجوة الطاقة تتراوح بين (2.6 - 2.4) الكترون - فولت لكل العينات.خصائص تيار - فولتية (في الظلام) للكواشف اظهرت خصائص جيدة للكاشف عند زيادة السمك ودرجة الحرارة. واكدت نتائج عامل المثالية هذا التحسن. خصائص سعة - فولتية اظهرت نقصان فولتية بناء الجهد البناء الداخلي بعد زيادة السمك ودرجة الحرارة. | In this study, Barium Oxide (BaO) thin films which were prepared by (CSP) on different substrates including glass substrate and p - Si wafer using chemical spray pyrolysis (CSP) technique at different thickness [different number of sprays (5, 10, 20, and 30)] at (75,103,109,and112) nm at glass substrate and (50,74,91,and103) nm respectively at silicon substrate and different temperature (300 , 350, 400 and 450) C at (65,68,71, and76) nm. (were employed to assess thin film properties and applications as optoelectronic devise (solar cells and photodetectors). The structural properties were characterized by X - ray diffraction (XRD) analysis which is indicated the formation of polycrystalline and single crystalline BaO phase. The structural properties of the thin films were found to be a sensitive function of film thickness and substrate type. Atomic force microscope (AFM) measurements show that the grain size is ranging from (92.2 - 125.1) nm. It is found that the crystallites i.e (grains) on different substrate surface increase with increasing of the thickness. The optical energy band gap (Eg) of BaO was found to be decreased with the increasing of thickness utilizing the optical data using UV - Vis spectrophotometer. The value of energy gap which is determined from UV - Vis spectrophotometer spectra ranged (2.4 - 2.6) eV for all samples.The I - V properties of the detectors in dark showed that the increased in thickness and temperature improved the junction properties, the ideality factor results asserted this improvement. The C - V characteristic shows decreasing of built in potential after the increased in thickness and temperature

دراسة الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية لاغشية PbxSe1 - x وتحضير PbxSe1 - x/Si == Study Structure, Optical, And Electrical Properties of PbxSe1 - X Thin Films And Preparation PbxSe1 - X / Si

Author name: احمد جمعة نوري

Supervisor name: عزت محمود العيسى

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

تحضير غشاء رقيق لخلية شمسية لاساس (CZT(S,Se) == Synthesis of Thin Film Solar Cell Based on CZT(S,se)

Author name: عدنان مرموص منصور

Supervisor name: ميسون فيصل احمد الياس | اقبال سهام ناجي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: University of Baghdad

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

الخصائص التركيبية والبصرية لجسيمات النحاس النانوية المحضرة بطريقة الاستئصال الليزري == Structural And Optical Properties of Copper Nanoparticles Synthesized By Laser Ablation

Author name: عبير حازم خالد

Supervisor name: رعد محمد صالح الحداد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

الخصائص الفيزيائية للمفرق الهجيني ZnS/Si النقية والمشوبة == Physical properties of pure and doped ZnS/Si heterojunction

Author name: رؤوف علي احمد

Supervisor name: مهدي حسن سهيل

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

دراسة بعض الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية سيلانيد الخارصين ZnSe المشوبة بالانديوم والمحضرة بطريقة التبخير الحراري

Author name: فلاح عبد الحميد ابراهيم

Supervisor name: رعد محمد صالح الحداد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

دراسة تاثير تشويب اغشية ثاني اوكسيد القصدير بالهالوجينات على الخواص الفيزياوية بطريقة الرش الكيميائي الحراري == Study The Effect Of Doped SnO2 With Halogen On The Physical Properties Prepared By Chemical Spray Pyrolysis Technique

Author name: نداء عبد الاله محمود

Supervisor name: عبد المجيدعيادة ابراهيم | عبد الله احمد رشيد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

تحسين كفاءة الخلية الشمسية السيليكونية باستخدام بعض الاكاسيد TCOs لطبقة مضادة للانعكاس == Improvement the Efficiency of the Silicon Solar Cell by Using Some Oxides TCOs to Layer Antireflection

Author name: محمد عودة داود

Supervisor name: ياسين نجم عبيد | رائد عبد الوهاب اسماعيل

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

دراسة الخصائص البصرية والكهربائية لاغشية PbS الرقيقة على ZnS الرقيقة بطريقة الرش الكيميائي الحراري == Study of optical and electrical properties for multilayer stacks of PbS and ZnS films deposited by chemical spraypyrolysis

Author name: صلاح طه محمد

Supervisor name: ياسين نجم عبيد | رعد سعيد عبد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

تصنيع خلية شمسية من الاغشية الرقيقة ل CuGaSe2/CdS

Author name: سالم حكمت سليم توما

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages: