Search — Iraqi Digital Repository

Search results: 17 out of 17

الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية ZnO الرقيقة غير المشوبة والمشوبة ب Co ذات التراكيب النانوية المحضرة باستخدام تقنية الترسيب البخاري الكيميائي تحت الضغط الجوي الاعتيادي == Structural and Optical Properties of Nanostructure Undoped ZnO and Co Doped Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Technique

Author name: منار ثاير منصور

Supervisor name: صلاح قدوري هزاع

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

دراسة الخصائص الفيزيائية لاغشية اوكسيد الكادميوم المشوبة بالانديوم والمحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري وتطبيقاتها في المتحسسات الغازية == Studying The Physical Properties of Indium Doped Cadmium Oxide Thin Films Prepared by Chemical Pyrolysis Spraying Method as Gas Sensors Applications

Author name: حسين محمد علي لطيف

Supervisor name: عباس فاضل عيسى | شذى شمعون بطرس

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Wasit University - College Of Science - Physics Department

Language: Arabic

University location: Wasit

First pages:

تاثير درجة حرارة القاعدة على الخواص التريكيبية والبصرية لاغشية Cu2ZnSnS4) CZTS) الرقيقة المحضرة بطريقة التحليل الكيميائي الحراري == Effect of Substrate Temperature on Structural and Optical Properties of Cu2ZnSnS4(CZTS) Films Prepared by Chemical Spray Pyrolysis Method

Author name: شهلاء منذر عبد المحسن ضاحي

Supervisor name: نبيل علي بكر

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Diyala - College Of Science

Language: Arabic

University location: Diyala

First pages:

Abstract: تم في هذا العمل تحضير اغشيةCu2ZnSnS4 (CZTS) بطريقة التحلل الكيميائي الحرارية. وذلك بانمائها على قواعد زجاجية نظيفة ومسخنة عند الدرجات الحرارية °C((200,250,300,350,400,450.درست الخواص التركيبية والبصرية لهذه الاغشية باستخدام حيود الاشعة السينية (XRD)ومجهر القوة الذرية AFMومطياف الاشعة فوق البنفسجية - المرئية. اظهرت نتائج فحوصات الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة كانت ذات تركيب متعدد التبلور ومن الـنـوع الرباعي وبالاتجاه السائد (112). وتم حساب حجم البلوريات بطريقة شيرر وكانت اعلى قيمة لها هي(34.401)nm عند درجة الحرارة°C .(450) واجري تحليل وليامسون - هول لجميع العينات والذي تضمن حجم البلوريات ولاجهادات المايكروية . اما نتائج مجهر القوة الذريةAFM فقد اظهرت تجانس ونعومة اغشية CZTS. كما تمت دراسة الخصائص البصرية للاغشية من خلال تسجيل طيفي النفاذية والامتصاصية ولمدى الاطـوال الـمـوجـية nm (900 - 300 ). تم حساب فـجـوة الـطاقة البصرية للانتقال الالكتروني المباشر الـمـسـمـوح باستخدام معادلة (Tauc) وقد وجد انها تقل بزيادة درجات الحرارة وتتراوح قيمهاeV (1.85 - (2.3. وقد وجد ايضا ان قيم طاقـة اورباخ تتراوح بين 477) meV - 643). وتم حساب الثوابت البصرية للاغشية المحضرة والتي تضمنت (معامل الامتصاص وثابت العزل بجزايه الحقيقي والخيالي والتوصيلية البصرية) كدالة لطاقة الفوتون ومعامل الانكسار ومعامل الخمود كدالة للطول الموجي. | In this work, Copper zinc tin sulfide (CZTS) films are prepared by using a chemical spray pyrolysis technique. CZTS thin films have been grown on clean preheated glass at different substrate temperature of (200,250,300,350,400 and 450) oC. The structural and optical properties of these films have been studied using XRD, AFM, and UV - Visible spectroscopy. The XRD results showed that all films are polycrystalline in nature with tetragonal structure and preferred orientation along (112) plane. The crystallite size was calculated using Scherrer’s formula and it is found that the CZTS thin films have maximum crystallite size of (34.401 nm) at substrate temperature of 450 oC. Williamson - Hall analysis was carried out for all samples and the crystallite size along with microstrains were estimated. AFM results show homogenous and smooth thin films. The absorbance and transmittance spectra have been recorded in the wavelength range of (300 - 900) nm in order to study the optical properties. The optical energy gap for allowed direct electronic transition was calculated using (Tauc equation). It is found that the band gap decreases as the substrate temperature increases and the optical allowed energy gap for the direct electronic transitions was in the range of (2.3 - 1.85) eV. The Urbach energy values range between (477 - 643) meV. The optical constants including (absorption coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant and optical conductivity) is also calculated as a function of photon energy. Refractive index and extinction coefficient are estimated as a function of wavelength.

دراسة الخواص الضوئية والكهربائية لاغشية ثنائي اوكسيد القصدير المحضرة بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي CVD == Study of the Optical and Electrical Properties of Tin Oxide Films Prepared by Chemical Vapour Deposition Method (CVD)

Author name: سناء محمود حسين الدليمي

Supervisor name: ميخائيل عيسى منصور

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: University of Al Mosul - College Of Science - Physics Department

Language: Arabic

University location: Mosul

First pages:

Abstract: تم تصميم وتنفيذ منظومة الترسيب البخاري الكيميائي ذي المفاعل الافقي(Chemical Vapor Deposition, CVD) لتحضير اغشية رقيقة من املاحها. تم استخدام المنظومة لتحضير اغشية اوكسيد القصدير SnO2 من كلوريده على ارضيات من الزجاج على شكل مجموعات بعوامل ترسيب مختلفة (درجة حرارة الارضية ،معدل انسياب الهواء، زمن الترسيب وموقع النموذج) ومن ثم دراسة الخواص الفيزيائية لتلك الاغشية.درست البنية البلورية لمجموعة من الاغشية باستخدام طريقة حيود الاشعة السينية(X - Ray Diffraction) وتبين بان الاغشية تمتلك تركيبا بلوريا متعدد البلورات (Polycrystalline) من النوع الرباعي القائم (Tetragonal) وان الاتجاهات المفضلة لنمو الحبيبات البلورية هي (110) و(200) وان حجم الحبيبات يتراوح ما بين (465 - 159)A ويعتمد ذلك على ظروف الترسيب. درس ايضا تاثير عوامل الترسيب على معدل الترسيب، ووجد بانه لا يتغير مع الزمن بتثبيت بقية العوامل ولكنه يزداد مع ارتفاع درجة حرارة الارضيات ومع زيادة معدل انسياب الهواء ثم يستقر عند قيم معينة تعتمد على ظروف الترسيب. ومن خلال دراسة تاثير موقع النموذج على الخواص الفيزيائية لاغشية SnO2 وجد بان افضل موقع داخل المفاعل لترسيب تلك الاغشية يبعد عن نهايته حوالي 17 cm. درست ايضا الخواص البصرية للاغشية وذلك بقياس النفاذية ضمن مدى الطول الموجي(300 - 1100)nm وتم حساب معامل الامتصاص، طاقة حافة الامتصاص وفجوة الطاقة البصرية، وتبين بان اغشية SnO2 تمتلك نفاذية تتراوح ما بين (95 - 80)% ومعامل امتصاص  > 104 cm - 1 وطاقة فجوة بصرية Eopt  4 eV ضمن منطقة الطيف المرئي. ومن خلال دراسة العلاقة بين معامل الامتصاص وطاقة الفوتون الساقط تبين بان الانتقالات الالكترونية كانت مباشرة. تمت دراسة الخواص الكهربائية للاغشية المرسبة بدرجات حرارة ارضيات مختلفة وكذلك بمعدلات انسياب هواء مختلفة وتثبيت بقية العوامل، ووجد بان افضل توصيلية كهربائية كانت عند درجة حرارة ارضية 475C وعند معدل انسياب هواء 2.3 L/mins.. ومن خلال دراسة تاثير ارتفاع درجة حرارة الغرفة على التوصيلية الكهربائية للاغشية تبين بان هناك مستويي طاقة للشوائب قريبين من حزمة التوصيل.تم تحضير خلايا شمسية من نوع SnO2/n - Si ونوع SnO2/SiO2/n - Si بتكوين سمك مختلفة من مادة SiO2 بطريقة الاكسدة الحرارية للسليكون. تمت دراسة خواص التيار - فولتية في الظلام وعند الاضاءة بقدرة 11.7 mW/cm2 ، وتبين بان كفاءة التحويل للخلية بدون اوكسيد كانت بحدود 5.01% ، اما للخلية ذات طبقة SiO2 < 20 A فكانت بحدود 5.9% .درست ايضا الاستجابة الطيفية بقياس التيار الضوئي للخلية SnO2/n - Si للمدى (300 - 1200) nm ووجد بان افضل استجابة كانت عند الطول الموجي  = 600 nm . | A chemical vapour deposition system with horizontal reactor has been designed and executed for preparing thin films from its salts. It was used to deposit groups of tin oxide (SnO2) films from its chloride on glass substrates with different deposition factors (substrate temperature, air flow rate, deposition time and sample position in the reactor), then their physical properties were studied.Crystal structure of group of SnO2 films was studied using X - Ray diffraction method, it appears that the films have polycrystalline structure of tetragonal type, with (110) and (200) as preferred directions and grain size between (159 - 465) A, depend on deposition condition.The effect of deposition factors on deposition rate was studied, it was found that the deposition rate does not change with increasing time and fixing other factors but it increases with the increase in substrate temperature and with the increase in air flow rates up to specific values depend on deposition condition. By studying the effect of sample position or physical properties it was found that the best position inside the reactor is about 17 cm from its end. Optical properties were also studied by measuring the transmission percent within the wavelength range (300 - 1100) nm, it was found that SnO2 films have a transmission percent  (80 - 95)%, absorption coefficient  > 104 cm - 1 and optical energy gap Eopt  4 eV within the visible region. Studying the relation between absorption coefficient and the energy of incident light verified that the electronic transition is direct. Electrical properties of films deposited at different substrate temperature as well as, different air flow rates, with fixing other factors shows that the highest electrical conductivity is at substrate temperature 475 C and air flow rate 2.3 L/min. The effect of temperature on electrical conductivity has been studied and it was found that there are two impurity energy levels closer to conduction band.The solar cells type SnO2/n - Si and SnO2/SiO2/n - Si with different SiO2 thickness made by silicon thermal oxidation, have been prepared. Current - voltage characteristics for those cells in dark and under 11.7 mw/cm2 illumination were studied.It was found that the efficiency for the cell without oxide layer was 5.01% while for cell with SiO2 < 20 A was 5 - 9%. The spectral response study at wavelength range (300 - 1200) nm show that the highest photocurrent was at  = 600 nm.

دراسة الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية ثنائي اوكسيد القصدير SnO2 : Br

Author name: ياسمين كمال جميل

Supervisor name: رعد سعيد عبد الراوي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخواص التركيبية بالفحص بالاشعة السينية لمادة غشاء ثنائي اوكسيد القصدير (SnO2) النقي والمحضر بطريقة الرش الكيميائي الحراري وبدرجة حرارة (773 Ko) وكان الرش على قواعد زجاجية رقيقة السمك وبمولارية (0.1 mol) . بعد ذلك تمت عملية الخلط بين هذه المادة والبروم وتم ترسيبها بالطريقة المذكورة اعلاه وبالنسب (5 - 30 %) ، وقد وجد ان المادة متعددة التبلور (نقية ومخلوطة) . اما الخصائص البصرية لمادة الغشاء (النقية والمخلوطة) فقد تم دراستها وشملت (النفاذية - الامتصاصية - الانعكاسية) وقد تبين ان النفاذية للغشاء تزداد بازدياد نسبة الخلط وبالتالي تؤدي هذه الزيادة الى نقصان في الامتصاصية بازدياد نسبة الخلط . ومن خلال قياسات النفاذية والامتصاصية ولمدى الاطوال الموجية (300 - 900 nm) تم استحصال قيم (معامل الامتصاص ، الانتقالات الالكترونية (المباشرة - غير المباشرة) والثوابت البصرية كدالة لطاقة الفوتون .كانت قيمة فجوة الطاقة (Eg) تتراوح ما بين (3.2 - 3.5 eV) وذلك بازدياد نسبة الخلط .الثوابت البصرية الاخرى كمعامل الانكسار ، معامل الخمود وثابت العزل الكهربائي بجزايه (الحقيقي والخيالي) حسبت كدالة لطاقةالفوتون . | Thin film of pure (SnO2) and mixed with Bromine have been prepared on a glass slide substrate using chemical spray pyrolysis technique and with a temperature reached to (773 Ko) and above. The use percentage of mixing were (5 % - 10 % - 20 % - 30 %) under investigation. Physical properties of our deposited thin films have been studied, including : structural and optical properties. The structural properties of films were covered by the study of (X - ray diffraction) analysis.The result showed that all samples are of polycrystalline structure. The optical properties were also calculated and the data recorded that the absorbance and transmittance were in spectrum range (300 - 900 nm). And result showed that the absorbance decreases with mixing, while transmittance increases with mixing. From both absorbance and transmittance spectra we obtained the absorption coefficient, kind transitions and the optical constant as a function of photon energy. The vale of Eg was found to vary between ( 3.2 - 3.5 eV) as mixing percentage increased. The optical constants such as refractive index, extinction coefficient , real and Imaginary part of dielectric constant have been studied also as a function of photon energy.

دراسة تاثير درجة حرارة التلدين والسمك على الخواص البصرية لاغشية (Fe2O3) الرقيقة المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري == The Study of Effect of Annealing and Thickness on Optical Properties of Iron Oxide (Fe2O3) Thin Film Prepared By Chemical Spray Pyrolysis

Author name: وداد هنو عباس

Supervisor name: ابتسام محي عبد العزيز النعيمي | هناء محمد ابراهيم

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: حضرت اغشية اوكسيد الحديديك باستخدام طريقة الترسيب الكيمياء الحراري على قواعد من زجاج البوروسيليكات عند درجة الحرارة C O (420 + 2).اذ تمت دراسة نمط حيود الاشعة السينية للاغشية المحضرة وبدرجات حرارة تلديــــن oC(500,550,600 ) اذ اظهرت نتائج نمط حيود الاشعة السينية ان الاغشية ذات تركيب متعدد التبلور .كذلك تمت دراسة تاثير حرارة التلدين وبدرجات(450,500,550,600)oC ،وبسمك 200nm على الخواص البصرية . وتم كذلك تحضير اغشية اوكسيد الحديديك بسمك (100,300,500,700,900)nm ، ودراسة تاثير اختلاف السمك على الخواص البصرية .اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية (360 - 900)nm ، ومن ثم حساب فجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات الالكترونية المباشرة ، ومعامل الامتصاص ، والانعكاسية والثوابت البصرية المتمثلة بـ (معامل الخمود، معامل الانكسار، ثابت العزل الكهربائي بجزئية الحقيقي والخيالي ) ، اذ اظهرت الدراسة ان زيادة حرارة التلدين تسبب في زيادة قيم فجوة الطاقة الممنوعة ، وان زيادة السمك ادى الى نقصان في قيم فجوة الطاقة الممنوعة . | In this research, the Optical properties of (Fe2O3) thin films prepared by chemical spray pyrolysis on glass substrates heated to (420+2)oC. The X - ray diffraction technique showed that all prepared films are polycrystalline with annealing temperature (500, 550, 600)oC are polycrystalline.This research involved, the study of effect of annealing with temperature(450, 500, 550, 600)oC with thickness 200nm on the optical properties.Also the study include, the study of effect of difference of thickness (100, 300, 500, 700, 900)nm on the optical properties.The optical properties are included recording of the absorbance and transmittance spectra for prepared films in range of wave lengths (360 - 900)nm, then the energy gap of the direct transition was calculated, also; the studied and measured of absorption coefficient, extinction coefficient, reflectance, refractive index, and dielectric constant in its two parts were calculated. The study showed that the annealing processes were carried on these films at different a temperature cause increase in the energy gap. While the difference of thickness cause a decreasing in the energy gap in increase of thickness.

دراسة الخصائص البصرية والكهربائية لاغشية SnO2 : Sb الرقيقة وتاثيرها كطلاء مضاد للانعكاس على كفاءة خلية شمسية سيليكونية نوع اتصال (p - n) == A Study of Electrical and Optical properties of SnO2 : Sb Thin Film and its Effect as Antireflection Coating on the (p - n) Junction Silicon Solar Cell

Author name: هشام مطر فاضل

Supervisor name: ياسين نجم عبيد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: حضرت اغشية (SnO2 ) الرقيقة النقية والمشوبة بالانتمون (Sb) وبنسب تشويب وزنية (1%─5%) بطريقة الرش الكيميائي الحراري لمحلول كلوريدات القصدير المائية (SnCl45H2O) وبتركيز (0.1) مولاري وبسمك متساوي وعلى نوعين من القواعد . النوع الاول هو القواعد الزجاجية ذلك لدراسة بعض الخصائص البصرية والكهربائية .اما النوع الثاني فكان قواعد من خلايا شمسية سيليكونية من نوع اتصال (p - n) لدراسة تاثير الاغشية كطلاء مضاد للانعكاس على كفاءة الخلية الشمسية .تم في هذا البحث دراسة الاغشية من خلال حيود الاشعة السينية وتبين بان الاغشية ذات طبيعة متعددة التبلور وباتجاهية سائدة (110,101,200,211) اوضحت قياسات الخواص البصرية من خلال دراسة سلوك منحني النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ان الاغشية ذات نفاذية عالية للاطوال الموجية في المنطقة الطيفية (600─900)nm وهذا مايؤهلها للاستعمال كطلاء مضاد للانعكاس ضمن هذه المنطقة، وان النفاذية تزداد عند نسب التشويب (1%─3%) وان افضل نفاذية عند نسبة التشويب (1%) ومنحني الامتصاصية والانعكاسية يسلك سلوكا معاكسا لمنحني النفاذية . وان قيم الانعكاسية كانت (9%─18%) ضمن المنطقة المرئية من الاطوال الموجية . اظهرت دراسة الانتقالات الالكترونية ان الانتقالات الالكترونية المباشرة وغير المباشرة تحدث .ومن خلال دراسة قيم معامل الامتصاص ان الانتقالات الالكترونية المباشرة المسموحة هي الانتقالات السائدة وان قيمة فجوة الطاقة تتراوح بين (3.76 ─ 3.9) e V اذ ان فجوة الطاقة ازدادت عند نسب التشويب (1%─3%) اما عند نسب التشويب (4%,5%) قد تناقصت فجوة الطاقة. وتـم حـساب بعض الثوابت البصرية التي شملت معامل الانكسار ومعامل الخمود .اظهرت دراسة الخواص الكهربائية ان جميع الاغشية من النوع السالب (n - type) وتم حساب التوصيلية الكهربائية المستمرة وطاقات التنشيط وتاثير هول وتاثير سيبك ، تبين ان الاغشية تمتلك طاقتي تنشيط ضمن المدى الحراري (20─200)ºC .وان التوصيلية الكهربائية المستمرة تزداد بزيادة نسبة التشويب حتى تصل الى (44.42)(Ω.cm) - 1 عند نسبة التشويب (3%) ثم تبدا قيم التوصيلية بالتناقص بزيادة نسبة التشويب . اظهرت خصائص (كثافة تيار - جهد) ان الطلاء باغشية (SnO2 ) النقية والمشوبة بالانتمون قد حسن كثيرا من كفاءة الخلية الشمسية اذ ازدادت كفاءة التحويل من (9.7%) قبل الطلاء الى (10.395%) بعد الطلاء للاغشية المشوبة عند نسبة تشويب (3%) وبنسبة مئوية للتحسن بلغت (7.165%) . | Thin films of pure (SnO2) and doped with Antimony have been prepared using the method of chemical spray pyrolysis technique for aqueous Tin Chloride with Molar Concentration equal (0.1) mol, with same thicknesses. The percentage of doping were in the range of (1%_5%) . Onto glass slide substrates, to study the structural ,optical and electrical properties .The second type is (p - n) junction silicon solar cells, to study the performance of these films as antireflection coating. The XRD technique test showed that these films shows polycrystalline structure with a preferred orientation (110,101,200,211) . The study of the optical properties by study the curves of transmittance, absorption and reflectance as a function to wave length appeared that the films have a higher Transmittance for the wave length in region (600_900) nm and it a good antireflection coating in this region . And the transmittance were found to be increase as the doping percentage increased . And the maximum value of transmittance with (1%) doping ratio . Absorption and Reflectance curves are there inverse of the transmittance .The reflectance value it was between (9%_18%) in this region .The calculations showed that the direct and indirect electronic transitions have been occurred ,and the calculations of Absorption coefficient showed that the preferred transitions is the allowed direct electronic transitions . The optical energies gap was calculated and it was between (3.76 - 3,9) eV .And it increase with (1%_3%) and decrease with (4%,5%) . The calculations also included some optical constants such that refractive index and Extinction coefficient also as a function of wave length . The electrical properties includes d.c. electric conductivity Hall effect and Seeback effect, the results showed that the type of (SnO2 : Sb) films is (n - type) and have two activation energies in the range (20 - 200) oC .The d.c. electric conductivity was increase and reach (44.42) (Ω.cm) - 1 with (3%) percentage,then it was began decrease with percentage increased . The study of (Jsc - Voc) current - voltage showed that the coating with SnO2 : Sb thin films can enhance the efficiency of the (p - n) junction solar cell. And so it quantum is (9.7 %) and after coating its became (10.395 %) with enhancement (7.165 %) as (3 %) percentage doping weight rati

تاثير زيادة النسب الحجمية للكادميوم على الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد الخارصين == The effect of increasing the volumetric ratios of Cadmium on the Structure and optical properties for Zinc Oxide Films

Author name: هدى نجم عبد

Supervisor name: خضير عباس مشجل

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: حضرت اغشية اوكسيد الخارصين (ZnO) غير المشوبة، والمشوبة بالكادميوم (ZnO : Cd)، وبنسب تشويب مختلفة (2, 4,6, 8) %،حضرت بتقنية التحلل الكيميائي الحراري هذه الاغشية ر’سبت على قواعد ساخنة من الزجاج بدرجة حرارة (673°K)، وبسمك ((400  20 nm. بينت نتائج حيود الاشعة السينية ان كافة الاغشية المحضرة كانت متعددة التبلور، وتمتلك تركيبا من النوع السداسي المحكم، والاتجاه السائد (002) وعندالتشويب بالكادميوم يتغير الاتجاه السائد الى (101), ان معدل حجم البلوريات في حالة التشويب يقل من (22nm) الى (17nm) عند زيادة نسبة التشويب. كذلك بينت صور مجهر القوة الذرية (AFM) ان هنالك اختلافا في طبيعة سطوح الاغشية المحضرة، وان قيم معدل الحجم الحبيبي يقل مع زيادة نسبة التشويب من (99nm) الى (71nm) . ان قيم معدل خشونة السطح وقيم الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة (RMS) تقل مع زيادة نسبة التشويب للاغشية المحضرة ومن ملاحظة الصورنستنتج ظهور بعض التراكيب النانوية للاغشية المحضرة.وتمت دراسة الخصائص البصرية للاغشية من خلال تسجيل طيفي النفاذية، والامتصاصية، ولمدى الاطوال الموجية (400 - 900nm)، وقد وجد ان اعظم قيمة للنفاذية هي (82%) عند الاغشية غير المشوبة, وكما وجد ان فجوة الطاقة البصرية للانتقال الالكتروني المباشر المسموح للاغشية غير المشوبة (3.20eV)، وتقل قيمتها الى (3.10 eV) عند نسبة التشويب (8%) على العكس من طاقة اورباخ التي تزداد مع زيادة نسبة التشويب فكانت للاغشية غيرالمشوبة (350 meV) وعند نسبة تشويب (8%) وصلت الى (826 meV)،كما تم حساب الثوابت البصرية للاغشية المحضرة التي تتضمن معامل الانكسار, معامل الخمود, ثابت العازل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي بوصفها دالة للطول الموجي، ان جميع هذه الثوابت تزداد مع زيادة نسبة التشويب، اما قيم الانعكاسية كدالة للطول الموجي فقد تم حسابها من طيف النفاذية والامتصاصية فانها تزداد بزيادة التشويب, اما بالنسبة لمعامل الامتصاص كدالة لطاقة الفوتون فانه يزداد بزيادة التشويب ان اضافة الكادميوم ادى الى تغيير في الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد الخارصين. | Study undoped zinc oxide films (ZnO) and doped with Cadmium (ZnO : Cd) by different percentage doping (2,4,6,8)% which have been prepared by chemical spray pyrolysis technique, on the glass substrates heated at (673◦K) with thickness was of (400 ± 20)nm. The (XRD) investigation showed that ZnO films were polycrystalline and have a hexangonal wurtzite structure with a preferred orientation along (002) plane, and doping of Cadmium change the orientation along (101). the average crystallite from doping was decreased from (22nm) to (17nm) by increasing percentage doping .also the (AFM) images showed different in topography of the prepared films, and the grain size decreased with increasing percentage doping from (99 to 71 nm) .as the average surface roughness and root mean square values (RMS) decreased with increasing percentage doping prepared films, from these picture the results we conclude that have nanostructure prepared films. And the study optical properties films from The absorbance and transmittance spectra have been recorded in the wavelength rang of (400 - 900)nm,It was found that the maximum transmittance to (82%) for pure films. and the optical energy gap of direct allowed transition was (3.20eV) for pure and decrease the value reach (3.10eV) percentage doping (8%), its on the contrary of Urbach energy their values were increase as the doping percentage increase and equal to (350meV) for pure and percentage doping (8%) reached to (826meV), The calculated optical constants prepared films including refractive index , extinction coefficient, real and imaginary part of dielectric as a function of wavelenght,all these constants are increase with the increase of doping percentage, The reflectance values as a function of wavelength have been recorded from the absorbance and transmittance spectra are increase for increase doping. While the absorption coefficient as afunction of photon energy is increase for all doping percentage, the addition of cadmium changes the structural and optical properties for the film Zinc oxide .

تصنيع ودراسة خصائص كاشف ضوئي وخلية شمسية لاغشية CuO الرقيقة == Fabrication and Study Properties Photodetector and solar cell CuO Thin film

Author name: هبة ممتاز علي

Supervisor name: سمير عطا مكي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: في هذا البحث , تم تصنيع كاشف ضوئي وخلية شمسية من مادة اوكسيد النحاس CuO)) ثم دراسة خصائصه والمحضرة من ترسيب اغشية (CuO) النقية ,وبسمك مختلف 400,350,300,250) nm) بطريقة التبخير الحراري في الفراغ اذ تم تحضير هذه الاغشية بترسيب معدن النحاس النقي (Cu) على قواعد زجاجية وسيليكونية بدرجة حرارة الغرفة (300)K، ومن ثم اكسدة هذه الاغشية المحضرة بدرجة حرارة (300)ºC لمدة ساعة كاملة بوجود تدفق الهواء. اظهرت نتائج فحوصات حيود الاشعة السينية (XRD) ومجهر القوة الذرية (AFM) ان جميع الاغشية المحضرة من النوع متعدد التبلور وذات اتجاهية (111) , (1 ̅11) ان الحجم الحبيبي متجانس ومنتظم ومعدل خشونة السطح RMS)) يزداد بزيادة السمك . عند اجراء قياسات الخواص البصرية تبين ان لاغشية (CuO) امتصاصية عالية في مدى الاطوال الموجية للمنطقة المرئية nm(700 - 400), ان كلتا قيمتي النفاذية وفجوة الطاقة يتناقصان من (1.8 - 1.4 eV) بالاعتماد على زيادة السمك للاغشية المحضرة.اظهرت القياسات الكهربائية للاغشية المحضرة تغير المقاومية الكهربائية كدالة لتغير درجة الحرارة ضمن المدى الحراري (303 - 423)K ، حيث التوصيلية تزداد بزيادة كل من درجة الحرارة والسمك وتبين من خلال قياسات تاثير هول ان نوع التوصيلية لاغشية مادة CuO من النوع الموجب - القابل (p - type), , تزداد تركيز حاملات الشحنة وتقل التحركية بازدياد السمك. اظهرت نتائج قياسات (تيار - جهد) في حالة الظلام للكاشف الضوئي المحضر تم حساب عامل المثالية للكواشف المصنعة اذ وجدنا انها تزداد بزيادة السمك , اذ بلغ اقل قيمة له (3.431) عند سمك nm (300), وجدنا ان الاستجابة الطيفية للكواشف المصنعة تعمل ضمن المنطقة الطيفية (400 - 900)nm مع وجود قمتين للكاشف ( - CuO/n - Sip) ، تظهر القمة الاولى عند الطول الموجي (688)nmاي ضمن منطقة المدى المرئي من الطيف الكهرومغناطيسي , والقمة الثانية عند الطول الموجي (810)nm اي ضمن منطقة مدى الاشعة تحت الحمراء القريبة, وكذلك الحال لبقية الكواشف المصنعة مع حدوث ازاحة طيفية في قمة الاستجابة الاولى ضمن المنطقة المرئية عند زيادة السمك . ولوحظ ان افضل نتائج الكواشف الضوئية المحضرة كانت عند سمك nm(300) حيث بلغت اعلى قيمة للاستجابة الطيفية 0.68)A/W), والكشفية النوعية كانت بحدود 1012 6.808)cm.Hz1/2.W - 1) عند الطول الموجي nm(708)، واعلى زمن فترة حياة الحاملات μ sec (10) , والتي تم الحصول عليها عند درجة حرارة الغرفة .في هذا البحث تم تصنيع خلية شمسية من المفرق الهجين (p - CuO/n - Si) المحضر من ترسيب اغشية ( (CuOالمحضرة بسمك مختلف بطريقة التبخير الحراري في الفراغ على قواعد سيليكونية احادية البلورة باتجاهية (111) من النوع (p - type) كما اظهرت خصائص (تيار الدائرة القصيرة وفولتية الدائرة القصيرة ) في حالة الاضاءة ان الخلية الشمسية ذات سمك nm((300 تمتلك اعلى قيم للكفاءة مقارنة بقية الخلايا الشمسية الاخرى ، اذ بلغت الكفاءة التحويلية (η=5.9%) في حالة الظلام, ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد، ولوحظ تناقص السعة بزيادة كل من جهد الانحياز العكسي والسمك في حين يزداد عرض منطقة النضوب وقيمة جهد البناء الداخلي بزيادة السمك | In this research photodetector and solar cell fabrication from copper oxides (CuO) its properties were studied, which prepared by deposition CuO at different thickness (250,300,350 and 400)nm via thermal evaporation under vacuum method These films have been prepared by (Cu) Pure metal was deposited on glass and silicon substrate in room temperature (300K) and then oxidation prepared (Cu) films at temperature (300)ºC for one hour with exist air flow. The XRD investigation showed that all the films and atomic force microscopy properties (AFM), that all prepared films are polycrystalline with preferred orientation along (1 ̅11),(111) plane for all films that grain size all the films were homogeneous and smooth and root mean square )RMS) rise increases thickness.The optical measurements showed that the thin films (CuO) high absorbency over the visible region wavelength of (400 - 900)nm ,transmission and the optical energy band gap decrease from (1.8 - 1.4) eV with the increase thin film thickness.The electrical measurements showed variation of the resistivity as a function of temperature in the range (303 - 503)K ,The results showed that increasing in electrical conductivity with increasing both temperature and thickness , observe the Hall effect were (n - type) semiconductor and , also the value of Hall coefficient increasing thickness with increasing the increasing concentration and decrease mobility increasing thickness.The I - V characteristics measurements showed of prepared detectors under dark calculate the ideality factor detectors fabricated find increasing with increasing thickness then value less (3.431) on thickness (300nm) ,found the detectors fabricated showed a range of spectral responsively between (400 - 900) nm with two peaks (p - CuO/n - Si) one peak at (688)nm wavelength - visible region, while the second peak at (810)nm wavelength - IR region The same response for the detectors fabricated with wavelength shifted in the first peak response within IR region and The response time increase with increase thickness The good result of the spectral responsively found at thickness (300)nm which has a peak response about (0.68) A/W and a specific detectivity of )6.808) cm.Hz1/2.W - 11012at (861) nm wavelength with Maximum carrier life time which thickness (300)nm about (10) µ sec obtained at room temperature In this research was solar cell fabricated from (p - CuO/n - Si) heterojunction which prepared from deposited films by using thermal evaporation technique from (CuO) with different thickness, and different (p - type) single crystal silicon substrate with orientation (111). All illumination and (Short Circuit Current and Open Circuit Voltage) characteristics measurements showed solar cell with (300)nm thickness have higher efficiency among other cells, the efficiency (η) value from (η =5.9%) that the heterojunction is abrupt. The capacitance decreases with increasing reverse bias voltage, also with increasing thickness.The width of depletion layer and the value of built - in potential increases with increasing of thickness

دراسة اثر التلدين وتغير السمك على الخصائص البصرية لاغشية اوكسيد النحاس (CuO) المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري == The Study of The Effect of Annealing and Thickness Variation on The Optical Properties of Copper Oxide (CuO) Thin Films Prepared By Chemical Spray Pyrolysis

Author name: هاله عبد الصاحب وادي موسى

Supervisor name: نادر فاضل حبوبي | خضير عباس مشجل

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تتناول هذه الدراسة الخواص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد النحاس CuO المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية ساخنة بدرجة حرارة اساس oC(350). ودراسة اثر التلدين بدرجات حرارية مختلفة oC (400, 450, 500, 550). وكذلك دراسة تاثير تغير السمك على الخواص البصرية للعينات مختلفة السمك (1000, 2500, 3000, 5000, 9000, 10500). فقد اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور، وقد اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية nm (300 - 900)، ومن ثم حساب فجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات الالكترونية، اذ كانت قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال الالكتروني المباشر المسموح هي (2.85 - 1.95)eV وللانتقال غير المباشر المسموح هي (1.85 - 1.30)eV حيث ان فجوة الطاقة تقل تدريجيا كلمزااد السمك. اما عند تلدين اغشية CuO ذات السمك ( 3000) فان قيم فجوة الطاقة للانتقال المباشر المسموح هي (2.65 - 1.99)eV والانتقال غير المباشر المسموح هي (1.45 - 1.20)eV. وكذلك تم حساب ودراسة الامتصاصية، معامل الامتصاص، والانعكاسية والثوابت البصرية المتمثلة بــ(معامل الخمود، معامل الانكسار، ثابت العزل الكهربائي بجزيئة الحقيقي والخيالي، والتوصيلية الضوئية) كدالة لطاقة الفوتون، فقد اظهرت الدراسة ان التلدين وزيادة السمك للاغشية المحضرة تسبب في نقصان قيم فجوة الطاقة وزيادة في قيم كافة الثوابت البصرية. | This study deal with the structural and optical properties of copper oxide (CuO) thin films prepared on glass substrates heated to (350)oC using chemical spray pyrolysis techniques.The effect of annealing with different temperature (400, 450, 500, 550)oC have been studied. The effect of thickness variations (1000 - 10500) on the optical properties have been studied also.XRD analysis reveals that all the prepared thin films were polycrystalline. The absorbance and transmittance spectra in the wavelength range (300 - 900) nm, have been recorded the forbidden energy gap of the electronic transition were calculated, the value of the energy gap in the direct allowed transition for different thicknesses was (1.95 - 2.85)eV, and for the indirect allowed transition was (1.3 - 1.85)eV where the energy gap is decreased as the thicknesses increased. On the annealing of CuO thin films with (3000) thickness the energy gap of the direct allowed transition was varied from (1.99 - 2.65)eV and for the indirect allowed transition was varied from (1.2 - 1.45)eV The absorptance, absorption coefficient, reflectivity and the optical constants like extinction coefficient, refractive index, and dielectric constant in its two parts and conductivity as a function of photon energy were also calculated. The study raveled that annealing and the increase of thickness results in decreasing the energy gap and increase all the optical constants

تحضير ودراسة بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية (Bi2O3 : Al) الرقيقة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ == Preparation and study of some Physical properties for( Bi2O3 : Al) Evaporated Thin Films under vacuum

Author name: نصر عيسى نجم

Supervisor name: بشرى كاظم حسون الميالي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: حضرت اغشـيــة ( Bi2O3 ) على قواعد زجاجية بسمــك مختلـف( 450 , 350 , 250 ) nm وبـدقـة تصـل الـى ( ∓ 20 ) nm والمشـوب بمادة الالمنيـوم ( Al ) وبنسـب تشـويب مختلفة ( 3 , 2 , 1 ) % عنـد السمك ( 20 ∓ 450 ) nm والمحضرة بطريقـة التبخـر الحـراري في الفراغ وقد كان معدل ترسيب ( 1.20 nm / sec ) ,اضافة الى ذلك تم اكسدة اغشية البزموث ( Bi ) بدرجة حرارة ( 523 ) K وبزمن لا يزيد عن ساعة واحدة بوجود الهواء , وتـم دراسـة تاثيـر التلديـن علـى الخـواص التركيبيـة والبصـرية للاغشيـة النقيـة والمشـوبـة بـدرجات حــرارة ( 773 , 673 , 573 , R.T ) K ولمدة ساعة واحدة . استخـدمـت تقنية حيـود الاشعة لدراسـة الخصائص التركيبية للاغشية المحضرة واظهرت نتائج قياس حيود الاشعة السينية ( X - ray ) ان جميـع الاغشيـة المحضـرة النقيـة والمشوبـة تكون ذات تركيب متعـدد التبلـور ومـن النـوع الرباعـي والاتجاه السائد (201) لكل الاغشية المحضرة وزيادة معدل الحجم الحبيبي بزيادة سمك الغشاء , وهذا ما اشارت اليه قياسات مجهر القوة الذرية (AFM) كذلك يزداد معـدل الحجـم الحبيبي بزيادة نسب التشويب ما عدا النسبة ( 3 ) % . اظهرت الخصائص البصـرية ان النفاذية تتغير مع تغيـر كـل من سمك الغشاء ودرجة حرارة التلدين ونسب التشويب بالالمنيوم , وكذلـك تـم ايجاد فجـوة الطاقـة البصـرية للاغشيـة كافة فتبيـن انها مـن النـوع المباشـر المسموح لجميع الاغشية المحضرة وتزداد مع زيادة سمـك الغشاء, بينما تقـل مـع زيادة كـل من درجة حرارة التلدين ونسب التشويب عدا النسبة ( 3 % ) . اضافـة الى ذلـك تم حساب قيـم الثـوابـت البصريـة مثـل (معامل الامتصاص ومعامل الانكسار ومعامـل الخمـود وثابـت العـزل المعقد (الحقيقي والخيالي ) والتوصيلية الضـوئية ) كدالة الاطوال الموجية ( 1100 - 300 ) nm للاغشـية المحضرة . | This research includes studying the structural and optical properties of pure Bismuth Oxide ( Bi2O3 ) thin film at different thicknesses ( 250 , 350 and 450 ± 20 ) nm and doped by Aluminum ( Al ) of ( 450 ± 20 ) nm thickness with different doping ratios ( 1 , 2 , 3 ) % which is prepared by thermal evaporation method from depositing Bismuth film on glass substrates at R.T ( 300 ) K with deposition rate ( 1.20 nm / sec ) then oxidation Bismuth films at ( 523 ) K for one hour in air , Also it includes studing the effect of annealing temperature at ( R.T , 573 , 673 and 773 ) K for one hour on structural and optical properties for pure and doped films . The results of x - ray diffraction have been showed that pure and doped prepared films have polycrystalline structure with tetragonal phase with preferred orientation ( 201 ) for all prepared films the grain size increases with the increase of film thickness and this is in agreement with ( AFM ) measurements also it increases after doping except at ratio ( 3 % ) . This research also includes studing the optical properties of prepared pure and doped films . The transmission and absorption values changed with the changing of film thickness , annealing temperature and doping ratio with ( Al ) , the optical energy gap for allowed direct transition was evaluated and it increases with the increase of film thickness while it decreases with annealing temperature and doping percentage by ( Al ) except ratio ( 3 % ) . The optical properties results include calculating the optical constant (absorption coefficient , refractive index ,extinction coefficient, dielectric Constant with two parts real and imaginary and optical conductivity ) in the range of wave length ( 300 - 1100 ) nm for pure and doped films before and after annealing

ازالة الغشاوة من الصور الرقمية باستخدام التقنيات الترددية المعتمدة على دالة النشر النقطي == Deblurring Digital Images by Using Frequency Domain Techniques Based on Point Spread Function

Author name: مالك عطیة دشر

Supervisor name: حازم كاطع دواي الخزاعي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية ZnO الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Author name: كامران ياسين قادر

Supervisor name: نادر فاضل حبوبي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية (ZnO) الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري ، اذ ان الاغشية المحضرة هي بسمك(2000,3000,4000,5000,6000,7000)Ǻ مرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية لاغشية اوكسيد الخارصين ان هذه الاغشية متعددة التبلور ومن النوع السداسي ولها اتجاه تفضيلي هو (002). اشتملت دراسة الخواص البصرية على قياس طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية)nm 900(390 - ، وجد ان الامتصاصية تزداد بينما تقل النفاذية بزيادة سمك الغشاء لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. ووجد ايضا عند حساب الانعكاسية انها تزداد بزيادة السمك لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. حسبت قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر المسموح وكانت تتراوح من eV (2.8 - 3.05) ، اذ انها تقل بزيادة سمك الغشاء . اما قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر الممنوع فكانت تتراوح من eV (2.68 - 2.83) . وايضا درس تاثير السمك على معامل الانكسار ، معامل الخمود ، معامل الامتصاص ، ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي ، والتوصيلية الضوئية ، وجد ان تغير السمك يؤثر على قيم هذه المعلمات. | In this research , the study of structural properties and the effect of thickness on the optical properties of (ZnO) thin films prepared by chemical spray pyrolysis . The thickness of the prepared thin films (2000,3000,4000,5000,6000,7000) Ǻ , which were deposited on glass substrate at a temperature of (400 ) . The optical properties including the measuring of absorbance and transmission spectra in the wavelength range (390 - 900) nm . It was found that absorbance increases while transmission decrease as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . And it was found that reflectance increases as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . The forbidden energy gap for direct allowed transition were calculated and it was in the range (2.8 - 3.05) eV , it decrease as the film thickness increase , and their values of the direct forbidden transition were in the range (2.68 - 2.83) eV . The effect of thickness on the refractive index , extinction coefficient , real and imaginary part of dielectric constant and optical conductivity were also studied , it was found that thickness variation affect on the values of these parameters .

دراسة بعض الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية سيلانيد الخارصين ZnSe المشوبة بالانديوم والمحضرة بطريقة التبخير الحراري

Author name: فلاح عبد الحميد ابراهيم

Supervisor name: رعد محمد صالح الحداد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: University of Baghdad

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

تحسين كفاءة الخلية الشمسية السيليكونية باستخدام بعض الاكاسيد TCOs لطبقة مضادة للانعكاس == Improvement the Efficiency of the Silicon Solar Cell by Using Some Oxides TCOs to Layer Antireflection

Author name: محمد عودة داود

Supervisor name: ياسين نجم عبيد | رائد عبد الوهاب اسماعيل

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

دراسة الخصائص البصرية والكهربائية لاغشية PbS الرقيقة على ZnS الرقيقة بطريقة الرش الكيميائي الحراري == Study of optical and electrical properties for multilayer stacks of PbS and ZnS films deposited by chemical spraypyrolysis

Author name: صلاح طه محمد

Supervisor name: ياسين نجم عبيد | رعد سعيد عبد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

تصنيع خلية شمسية من الاغشية الرقيقة ل CuGaSe2/CdS

Author name: سالم حكمت سليم توما

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Master

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages: