Show: 25 50 75 100 Results

Search results: 25 out of 34

تصميم وبناء انابيب اوكسيد التيتانيوم النانوية المطعم بالفضة، البلاديوم والبلاتين كمتحسس غازي == Design and Construction of Ag, Pd and Pt doped TiO2 nanotubes as Gas Sensor

Author name: حيدر حميد حمدان
Supervisor name: غصون حميد محمد
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Doctorate
University: University of Baghdad
Language: English
University location: Baghdad

دراسة نظرية لنتاج ليزر القرص الرقيق Yb^(3+):YAG == Theoretical Study of Lasing Output for a Yb^(3+):YAG Thin-Disk Laser

Author name: رائد مهدي صالح
Supervisor name: مظهر شهاب احمد
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department
Language: English
University location: Baghdad
First pages:

التوصيلة الضوئية للسليكون العشوائي المهدرج المحضر بطريقة الترذيذ ذي القوس الكهربائي المحزم مغناطيسيا

Author name: ربيع عبد علي ماضي المشايجي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad
University location: Baghdad
Key words:
  • الاغشية الرقيقة - الخواص الكهربائية

دراسة الثوابت البصرية كدالة لدرجة حرارة الاساس لاغشية gese الرقيقة العشوائية

Author name: بشرى عباس حسن
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad
University location: Baghdad
Key words:
  • الثوابت الفيزيائية - اطروحات الفيزياء - الخواص الضوئية - الاغشية الرقيقة

Astudy Of The Structural And Optical Propertics Of Obliquely Deposited(Cds)Thin Films

Author name: AL - dawodi hussein ridha ahmed
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University
University location: Baghdad
Key words:
  • Thin Film - optical properties

الخواص الضوئية والكهربائية لاغشية المركب (Culnc2)

Author name: علي حسين عبد الرزاق جلوخان
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad
University location: Baghdad
Key words:
  • الاغشية الرقيقة - الخواص الكهربائية - اطروحات الفيزياء - الاغشية الرقيقة - الخواص الضوئية

الخواص الضوئية والكهربائية لمنظومة Cdte - Xcx

Author name: عماد خضير عباس الشكرجي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
University: University of Baghdad
University location: Baghdad
Key words:
  • الاغشية الرقيقة - الخواص الضوئية

دراسة تاثير عوامل التحضر والسمك على الصفات الكهربائية والضوئية للمركب Cdte

Author name: مريوان احمد رشيد
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
University: University of Baghdad
University location: Baghdad
Key words:
  • الاغشية الرقيقة

Study The Optical , Electrical And Structural Properties Of Silicon Based Solte Solar Cell

Author name: Al - Husseini . Mustafa Mohammed Ali Hussein
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Doctorate
University: University of Baghdad
University location: Baghdad
Key words:
  • Thin films - optical properties

الاغشية الرقيقة لتراكيب سيلينيد الخارصين النانوية المحضرة بواسطة الترسيب بالليزر النبضي وتطبيقاته == Zinc selenide nanostructures thin films prepared by pulsed laser deposition and its application

Author name: هالة عدنان احمد
Supervisor name: نظير جاسم محمد
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Science
Language: English
University location: Baghdad
First pages:

الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية ZnO الرقيقة غير المشوبة والمشوبة ب Co ذات التراكيب النانوية المحضرة باستخدام تقنية الترسيب البخاري الكيميائي تحت الضغط الجوي الاعتيادي == Structural and Optical Properties of Nanostructure Undoped ZnO and Co Doped Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Technique

Author name: منار ثاير منصور
Supervisor name: صلاح قدوري هزاع
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:

دراسة الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية ثنائي اوكسيد القصدير SnO2 : Br

Author name: ياسمين كمال جميل
Supervisor name: رعد سعيد عبد الراوي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Science
Language: Arabic
University location: Baghdad
Key words:
  • الخواص التركيبية والبصرية
  • الفحص بالاشعة السينية
  • طريقة الرش الكيميائي الحراري
  • غشاء SnO2 : Br
First pages:
Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخواص التركيبية بالفحص بالاشعة السينية لمادة غشاء ثنائي اوكسيد القصدير (SnO2) النقي والمحضر بطريقة الرش الكيميائي الحراري وبدرجة حرارة (773 Ko) وكان الرش على قواعد زجاجية رقيقة السمك وبمولارية (0.1 mol) . بعد ذلك تمت عملية الخلط بين هذه المادة والبروم وتم ترسيبها بالطريقة المذكورة اعلاه وبالنسب (5 - 30 %) ، وقد وجد ان المادة متعددة التبلور (نقية ومخلوطة) . اما الخصائص البصرية لمادة الغشاء (النقية والمخلوطة) فقد تم دراستها وشملت (النفاذية - الامتصاصية - الانعكاسية) وقد تبين ان النفاذية للغشاء تزداد بازدياد نسبة الخلط وبالتالي تؤدي هذه الزيادة الى نقصان في الامتصاصية بازدياد نسبة الخلط . ومن خلال قياسات النفاذية والامتصاصية ولمدى الاطوال الموجية (300 - 900 nm) تم استحصال قيم (معامل الامتصاص ، الانتقالات الالكترونية (المباشرة - غير المباشرة) والثوابت البصرية كدالة لطاقة الفوتون .كانت قيمة فجوة الطاقة (Eg) تتراوح ما بين (3.2 - 3.5 eV) وذلك بازدياد نسبة الخلط .الثوابت البصرية الاخرى كمعامل الانكسار ، معامل الخمود وثابت العزل الكهربائي بجزايه (الحقيقي والخيالي) حسبت كدالة لطاقةالفوتون . | Thin film of pure (SnO2) and mixed with Bromine have been prepared on a glass slide substrate using chemical spray pyrolysis technique and with a temperature reached to (773 Ko) and above. The use percentage of mixing were (5 % - 10 % - 20 % - 30 %) under investigation. Physical properties of our deposited thin films have been studied, including : structural and optical properties. The structural properties of films were covered by the study of (X - ray diffraction) analysis.The result showed that all samples are of polycrystalline structure. The optical properties were also calculated and the data recorded that the absorbance and transmittance were in spectrum range (300 - 900 nm). And result showed that the absorbance decreases with mixing, while transmittance increases with mixing. From both absorbance and transmittance spectra we obtained the absorption coefficient, kind transitions and the optical constant as a function of photon energy. The vale of Eg was found to vary between ( 3.2 - 3.5 eV) as mixing percentage increased. The optical constants such as refractive index, extinction coefficient , real and Imaginary part of dielectric constant have been studied also as a function of photon energy.

دراسة تاثير درجة حرارة التلدين والسمك على الخواص البصرية لاغشية (Fe2O3) الرقيقة المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري == The Study of Effect of Annealing and Thickness on Optical Properties of Iron Oxide (Fe2O3) Thin Film Prepared By Chemical Spray Pyrolysis

Author name: وداد هنو عباس
Supervisor name: ابتسام محي عبد العزيز النعيمي | هناء محمد ابراهيم
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: Arabic
University location: Baghdad
Key words:
  • اغشية رقيقة, اغشية (Fe2O3)
  • بطريقة الترسيب الكيمائي
  • الخواص البصرية الانتقالات الالكترونية .
First pages:
Abstract: حضرت اغشية اوكسيد الحديديك باستخدام طريقة الترسيب الكيمياء الحراري على قواعد من زجاج البوروسيليكات عند درجة الحرارة C O (420 + 2).اذ تمت دراسة نمط حيود الاشعة السينية للاغشية المحضرة وبدرجات حرارة تلديــــن oC(500,550,600 ) اذ اظهرت نتائج نمط حيود الاشعة السينية ان الاغشية ذات تركيب متعدد التبلور .كذلك تمت دراسة تاثير حرارة التلدين وبدرجات(450,500,550,600)oC ،وبسمك 200nm على الخواص البصرية . وتم كذلك تحضير اغشية اوكسيد الحديديك بسمك (100,300,500,700,900)nm ، ودراسة تاثير اختلاف السمك على الخواص البصرية .اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية (360 - 900)nm ، ومن ثم حساب فجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات الالكترونية المباشرة ، ومعامل الامتصاص ، والانعكاسية والثوابت البصرية المتمثلة بـ (معامل الخمود، معامل الانكسار، ثابت العزل الكهربائي بجزئية الحقيقي والخيالي ) ، اذ اظهرت الدراسة ان زيادة حرارة التلدين تسبب في زيادة قيم فجوة الطاقة الممنوعة ، وان زيادة السمك ادى الى نقصان في قيم فجوة الطاقة الممنوعة . | In this research, the Optical properties of (Fe2O3) thin films prepared by chemical spray pyrolysis on glass substrates heated to (420+2)oC. The X - ray diffraction technique showed that all prepared films are polycrystalline with annealing temperature (500, 550, 600)oC are polycrystalline.This research involved, the study of effect of annealing with temperature(450, 500, 550, 600)oC with thickness 200nm on the optical properties.Also the study include, the study of effect of difference of thickness (100, 300, 500, 700, 900)nm on the optical properties.The optical properties are included recording of the absorbance and transmittance spectra for prepared films in range of wave lengths (360 - 900)nm, then the energy gap of the direct transition was calculated, also; the studied and measured of absorption coefficient, extinction coefficient, reflectance, refractive index, and dielectric constant in its two parts were calculated. The study showed that the annealing processes were carried on these films at different a temperature cause increase in the energy gap. While the difference of thickness cause a decreasing in the energy gap in increase of thickness.

دراسة الخصائص البصرية والكهربائية لاغشية SnO2 : Sb الرقيقة وتاثيرها كطلاء مضاد للانعكاس على كفاءة خلية شمسية سيليكونية نوع اتصال (p - n) == A Study of Electrical and Optical properties of SnO2 : Sb Thin Film and its Effect as Antireflection Coating on the (p - n) Junction Silicon Solar Cell

Author name: هشام مطر فاضل
Supervisor name: ياسين نجم عبيد
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: حضرت اغشية (SnO2 ) الرقيقة النقية والمشوبة بالانتمون (Sb) وبنسب تشويب وزنية (1%─5%) بطريقة الرش الكيميائي الحراري لمحلول كلوريدات القصدير المائية (SnCl45H2O) وبتركيز (0.1) مولاري وبسمك متساوي وعلى نوعين من القواعد . النوع الاول هو القواعد الزجاجية ذلك لدراسة بعض الخصائص البصرية والكهربائية .اما النوع الثاني فكان قواعد من خلايا شمسية سيليكونية من نوع اتصال (p - n) لدراسة تاثير الاغشية كطلاء مضاد للانعكاس على كفاءة الخلية الشمسية .تم في هذا البحث دراسة الاغشية من خلال حيود الاشعة السينية وتبين بان الاغشية ذات طبيعة متعددة التبلور وباتجاهية سائدة (110,101,200,211) اوضحت قياسات الخواص البصرية من خلال دراسة سلوك منحني النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ان الاغشية ذات نفاذية عالية للاطوال الموجية في المنطقة الطيفية (600─900)nm وهذا مايؤهلها للاستعمال كطلاء مضاد للانعكاس ضمن هذه المنطقة، وان النفاذية تزداد عند نسب التشويب (1%─3%) وان افضل نفاذية عند نسبة التشويب (1%) ومنحني الامتصاصية والانعكاسية يسلك سلوكا معاكسا لمنحني النفاذية . وان قيم الانعكاسية كانت (9%─18%) ضمن المنطقة المرئية من الاطوال الموجية . اظهرت دراسة الانتقالات الالكترونية ان الانتقالات الالكترونية المباشرة وغير المباشرة تحدث .ومن خلال دراسة قيم معامل الامتصاص ان الانتقالات الالكترونية المباشرة المسموحة هي الانتقالات السائدة وان قيمة فجوة الطاقة تتراوح بين (3.76 ─ 3.9) e V اذ ان فجوة الطاقة ازدادت عند نسب التشويب (1%─3%) اما عند نسب التشويب (4%,5%) قد تناقصت فجوة الطاقة. وتـم حـساب بعض الثوابت البصرية التي شملت معامل الانكسار ومعامل الخمود .اظهرت دراسة الخواص الكهربائية ان جميع الاغشية من النوع السالب (n - type) وتم حساب التوصيلية الكهربائية المستمرة وطاقات التنشيط وتاثير هول وتاثير سيبك ، تبين ان الاغشية تمتلك طاقتي تنشيط ضمن المدى الحراري (20─200)ºC .وان التوصيلية الكهربائية المستمرة تزداد بزيادة نسبة التشويب حتى تصل الى (44.42)(Ω.cm) - 1 عند نسبة التشويب (3%) ثم تبدا قيم التوصيلية بالتناقص بزيادة نسبة التشويب . اظهرت خصائص (كثافة تيار - جهد) ان الطلاء باغشية (SnO2 ) النقية والمشوبة بالانتمون قد حسن كثيرا من كفاءة الخلية الشمسية اذ ازدادت كفاءة التحويل من (9.7%) قبل الطلاء الى (10.395%) بعد الطلاء للاغشية المشوبة عند نسبة تشويب (3%) وبنسبة مئوية للتحسن بلغت (7.165%) . | Thin films of pure (SnO2) and doped with Antimony have been prepared using the method of chemical spray pyrolysis technique for aqueous Tin Chloride with Molar Concentration equal (0.1) mol, with same thicknesses. The percentage of doping were in the range of (1%_5%) . Onto glass slide substrates, to study the structural ,optical and electrical properties .The second type is (p - n) junction silicon solar cells, to study the performance of these films as antireflection coating. The XRD technique test showed that these films shows polycrystalline structure with a preferred orientation (110,101,200,211) . The study of the optical properties by study the curves of transmittance, absorption and reflectance as a function to wave length appeared that the films have a higher Transmittance for the wave length in region (600_900) nm and it a good antireflection coating in this region . And the transmittance were found to be increase as the doping percentage increased . And the maximum value of transmittance with (1%) doping ratio . Absorption and Reflectance curves are there inverse of the transmittance .The reflectance value it was between (9%_18%) in this region .The calculations showed that the direct and indirect electronic transitions have been occurred ,and the calculations of Absorption coefficient showed that the preferred transitions is the allowed direct electronic transitions . The optical energies gap was calculated and it was between (3.76 - 3,9) eV .And it increase with (1%_3%) and decrease with (4%,5%) . The calculations also included some optical constants such that refractive index and Extinction coefficient also as a function of wave length . The electrical properties includes d.c. electric conductivity Hall effect and Seeback effect, the results showed that the type of (SnO2 : Sb) films is (n - type) and have two activation energies in the range (20 - 200) oC .The d.c. electric conductivity was increase and reach (44.42) (Ω.cm) - 1 with (3%) percentage,then it was began decrease with percentage increased . The study of (Jsc - Voc) current - voltage showed that the coating with SnO2 : Sb thin films can enhance the efficiency of the (p - n) junction solar cell. And so it quantum is (9.7 %) and after coating its became (10.395 %) with enhancement (7.165 %) as (3 %) percentage doping weight rati

تاثير زيادة النسب الحجمية للكادميوم على الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد الخارصين == The effect of increasing the volumetric ratios of Cadmium on the Structure and optical properties for Zinc Oxide Films

Author name: هدى نجم عبد
Supervisor name: خضير عباس مشجل
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: حضرت اغشية اوكسيد الخارصين (ZnO) غير المشوبة، والمشوبة بالكادميوم (ZnO : Cd)، وبنسب تشويب مختلفة (2, 4,6, 8) %،حضرت بتقنية التحلل الكيميائي الحراري هذه الاغشية ر’سبت على قواعد ساخنة من الزجاج بدرجة حرارة (673°K)، وبسمك ((400  20 nm. بينت نتائج حيود الاشعة السينية ان كافة الاغشية المحضرة كانت متعددة التبلور، وتمتلك تركيبا من النوع السداسي المحكم، والاتجاه السائد (002) وعندالتشويب بالكادميوم يتغير الاتجاه السائد الى (101), ان معدل حجم البلوريات في حالة التشويب يقل من (22nm) الى (17nm) عند زيادة نسبة التشويب. كذلك بينت صور مجهر القوة الذرية (AFM) ان هنالك اختلافا في طبيعة سطوح الاغشية المحضرة، وان قيم معدل الحجم الحبيبي يقل مع زيادة نسبة التشويب من (99nm) الى (71nm) . ان قيم معدل خشونة السطح وقيم الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة (RMS) تقل مع زيادة نسبة التشويب للاغشية المحضرة ومن ملاحظة الصورنستنتج ظهور بعض التراكيب النانوية للاغشية المحضرة.وتمت دراسة الخصائص البصرية للاغشية من خلال تسجيل طيفي النفاذية، والامتصاصية، ولمدى الاطوال الموجية (400 - 900nm)، وقد وجد ان اعظم قيمة للنفاذية هي (82%) عند الاغشية غير المشوبة, وكما وجد ان فجوة الطاقة البصرية للانتقال الالكتروني المباشر المسموح للاغشية غير المشوبة (3.20eV)، وتقل قيمتها الى (3.10 eV) عند نسبة التشويب (8%) على العكس من طاقة اورباخ التي تزداد مع زيادة نسبة التشويب فكانت للاغشية غيرالمشوبة (350 meV) وعند نسبة تشويب (8%) وصلت الى (826 meV)،كما تم حساب الثوابت البصرية للاغشية المحضرة التي تتضمن معامل الانكسار, معامل الخمود, ثابت العازل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي بوصفها دالة للطول الموجي، ان جميع هذه الثوابت تزداد مع زيادة نسبة التشويب، اما قيم الانعكاسية كدالة للطول الموجي فقد تم حسابها من طيف النفاذية والامتصاصية فانها تزداد بزيادة التشويب, اما بالنسبة لمعامل الامتصاص كدالة لطاقة الفوتون فانه يزداد بزيادة التشويب ان اضافة الكادميوم ادى الى تغيير في الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد الخارصين. | Study undoped zinc oxide films (ZnO) and doped with Cadmium (ZnO : Cd) by different percentage doping (2,4,6,8)% which have been prepared by chemical spray pyrolysis technique, on the glass substrates heated at (673◦K) with thickness was of (400 ± 20)nm. The (XRD) investigation showed that ZnO films were polycrystalline and have a hexangonal wurtzite structure with a preferred orientation along (002) plane, and doping of Cadmium change the orientation along (101). the average crystallite from doping was decreased from (22nm) to (17nm) by increasing percentage doping .also the (AFM) images showed different in topography of the prepared films, and the grain size decreased with increasing percentage doping from (99 to 71 nm) .as the average surface roughness and root mean square values (RMS) decreased with increasing percentage doping prepared films, from these picture the results we conclude that have nanostructure prepared films. And the study optical properties films from The absorbance and transmittance spectra have been recorded in the wavelength rang of (400 - 900)nm,It was found that the maximum transmittance to (82%) for pure films. and the optical energy gap of direct allowed transition was (3.20eV) for pure and decrease the value reach (3.10eV) percentage doping (8%), its on the contrary of Urbach energy their values were increase as the doping percentage increase and equal to (350meV) for pure and percentage doping (8%) reached to (826meV), The calculated optical constants prepared films including refractive index , extinction coefficient, real and imaginary part of dielectric as a function of wavelenght,all these constants are increase with the increase of doping percentage, The reflectance values as a function of wavelength have been recorded from the absorbance and transmittance spectra are increase for increase doping. While the absorption coefficient as afunction of photon energy is increase for all doping percentage, the addition of cadmium changes the structural and optical properties for the film Zinc oxide .

تصنيع ودراسة خصائص كاشف ضوئي وخلية شمسية لاغشية CuO الرقيقة == Fabrication and Study Properties Photodetector and solar cell CuO Thin film

Author name: هبة ممتاز علي
Supervisor name: سمير عطا مكي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: في هذا البحث , تم تصنيع كاشف ضوئي وخلية شمسية من مادة اوكسيد النحاس CuO)) ثم دراسة خصائصه والمحضرة من ترسيب اغشية (CuO) النقية ,وبسمك مختلف 400,350,300,250) nm) بطريقة التبخير الحراري في الفراغ اذ تم تحضير هذه الاغشية بترسيب معدن النحاس النقي (Cu) على قواعد زجاجية وسيليكونية بدرجة حرارة الغرفة (300)K، ومن ثم اكسدة هذه الاغشية المحضرة بدرجة حرارة (300)ºC لمدة ساعة كاملة بوجود تدفق الهواء. اظهرت نتائج فحوصات حيود الاشعة السينية (XRD) ومجهر القوة الذرية (AFM) ان جميع الاغشية المحضرة من النوع متعدد التبلور وذات اتجاهية (111) , (1 ̅11) ان الحجم الحبيبي متجانس ومنتظم ومعدل خشونة السطح RMS)) يزداد بزيادة السمك . عند اجراء قياسات الخواص البصرية تبين ان لاغشية (CuO) امتصاصية عالية في مدى الاطوال الموجية للمنطقة المرئية nm(700 - 400), ان كلتا قيمتي النفاذية وفجوة الطاقة يتناقصان من (1.8 - 1.4 eV) بالاعتماد على زيادة السمك للاغشية المحضرة.اظهرت القياسات الكهربائية للاغشية المحضرة تغير المقاومية الكهربائية كدالة لتغير درجة الحرارة ضمن المدى الحراري (303 - 423)K ، حيث التوصيلية تزداد بزيادة كل من درجة الحرارة والسمك وتبين من خلال قياسات تاثير هول ان نوع التوصيلية لاغشية مادة CuO من النوع الموجب - القابل (p - type), , تزداد تركيز حاملات الشحنة وتقل التحركية بازدياد السمك. اظهرت نتائج قياسات (تيار - جهد) في حالة الظلام للكاشف الضوئي المحضر تم حساب عامل المثالية للكواشف المصنعة اذ وجدنا انها تزداد بزيادة السمك , اذ بلغ اقل قيمة له (3.431) عند سمك nm (300), وجدنا ان الاستجابة الطيفية للكواشف المصنعة تعمل ضمن المنطقة الطيفية (400 - 900)nm مع وجود قمتين للكاشف ( - CuO/n - Sip) ، تظهر القمة الاولى عند الطول الموجي (688)nmاي ضمن منطقة المدى المرئي من الطيف الكهرومغناطيسي , والقمة الثانية عند الطول الموجي (810)nm اي ضمن منطقة مدى الاشعة تحت الحمراء القريبة, وكذلك الحال لبقية الكواشف المصنعة مع حدوث ازاحة طيفية في قمة الاستجابة الاولى ضمن المنطقة المرئية عند زيادة السمك . ولوحظ ان افضل نتائج الكواشف الضوئية المحضرة كانت عند سمك nm(300) حيث بلغت اعلى قيمة للاستجابة الطيفية 0.68)A/W), والكشفية النوعية كانت بحدود 1012 6.808)cm.Hz1/2.W - 1) عند الطول الموجي nm(708)، واعلى زمن فترة حياة الحاملات μ sec (10) , والتي تم الحصول عليها عند درجة حرارة الغرفة .في هذا البحث تم تصنيع خلية شمسية من المفرق الهجين (p - CuO/n - Si) المحضر من ترسيب اغشية ( (CuOالمحضرة بسمك مختلف بطريقة التبخير الحراري في الفراغ على قواعد سيليكونية احادية البلورة باتجاهية (111) من النوع (p - type) كما اظهرت خصائص (تيار الدائرة القصيرة وفولتية الدائرة القصيرة ) في حالة الاضاءة ان الخلية الشمسية ذات سمك nm((300 تمتلك اعلى قيم للكفاءة مقارنة بقية الخلايا الشمسية الاخرى ، اذ بلغت الكفاءة التحويلية (η=5.9%) في حالة الظلام, ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد، ولوحظ تناقص السعة بزيادة كل من جهد الانحياز العكسي والسمك في حين يزداد عرض منطقة النضوب وقيمة جهد البناء الداخلي بزيادة السمك | In this research photodetector and solar cell fabrication from copper oxides (CuO) its properties were studied, which prepared by deposition CuO at different thickness (250,300,350 and 400)nm via thermal evaporation under vacuum method These films have been prepared by (Cu) Pure metal was deposited on glass and silicon substrate in room temperature (300K) and then oxidation prepared (Cu) films at temperature (300)ºC for one hour with exist air flow. The XRD investigation showed that all the films and atomic force microscopy properties (AFM), that all prepared films are polycrystalline with preferred orientation along (1 ̅11),(111) plane for all films that grain size all the films were homogeneous and smooth and root mean square )RMS) rise increases thickness.The optical measurements showed that the thin films (CuO) high absorbency over the visible region wavelength of (400 - 900)nm ,transmission and the optical energy band gap decrease from (1.8 - 1.4) eV with the increase thin film thickness.The electrical measurements showed variation of the resistivity as a function of temperature in the range (303 - 503)K ,The results showed that increasing in electrical conductivity with increasing both temperature and thickness , observe the Hall effect were (n - type) semiconductor and , also the value of Hall coefficient increasing thickness with increasing the increasing concentration and decrease mobility increasing thickness.The I - V characteristics measurements showed of prepared detectors under dark calculate the ideality factor detectors fabricated find increasing with increasing thickness then value less (3.431) on thickness (300nm) ,found the detectors fabricated showed a range of spectral responsively between (400 - 900) nm with two peaks (p - CuO/n - Si) one peak at (688)nm wavelength - visible region, while the second peak at (810)nm wavelength - IR region The same response for the detectors fabricated with wavelength shifted in the first peak response within IR region and The response time increase with increase thickness The good result of the spectral responsively found at thickness (300)nm which has a peak response about (0.68) A/W and a specific detectivity of )6.808) cm.Hz1/2.W - 11012at (861) nm wavelength with Maximum carrier life time which thickness (300)nm about (10) µ sec obtained at room temperature In this research was solar cell fabricated from (p - CuO/n - Si) heterojunction which prepared from deposited films by using thermal evaporation technique from (CuO) with different thickness, and different (p - type) single crystal silicon substrate with orientation (111). All illumination and (Short Circuit Current and Open Circuit Voltage) characteristics measurements showed solar cell with (300)nm thickness have higher efficiency among other cells, the efficiency (η) value from (η =5.9%) that the heterojunction is abrupt. The capacitance decreases with increasing reverse bias voltage, also with increasing thickness.The width of depletion layer and the value of built - in potential increases with increasing of thickness

دراسة بعض التطبيقات التحسسية لاغشية اوكسيد القصدير المشوبة بالانديوم == Study Some Sensing Applications of Indium Tin Oxide(ITO)Thin Films

Author name: هبة نوري ذاكر
Supervisor name: علي جاسم محمد الجابري
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Science
Language: English
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: في هذا البحث تم تحضير اغشية ثنائي اوكسيد القصدير SnO2 النقية والمشوبة بالانديوم (In ) وبنسب تشويب مختلفة (5,10,15) % بطريقة الرش الكيميائي الحراري حيث رسبت على قواعد زجاجية .الجزء الاول من البحث تضمن دراسة الخصائص الفيزيائية للاغشية المحضرة : التركيبية , الكهربائية والتحسسية (الكهرواجهادية والامبيرومترية) حيث درست بشكل مكثف.طبوغرافية السطح للاغشية درست بتوظيف حيود الاشعة السينية والمجهر الماسح الالكتروني (SEM) ومجهر القوة الذري (AFM) . تاثير كبير لتركيز ايونات الانديوم على طوبوغرافية السطح تمت ملاحظته , حيث ان صور مجهر القوة الذري بينت تاثير زيادة تركيز ايونات الانديوم على كل من الخشونة ومعدل الحجم الحبيبي , اضافة الى تناقص الحجم الحبيبي من 136.16 الى 73.53 نانومتر في حين ازدادت الخشونة من 1.04 الى 2.86 وهذا بسبب وجود عدد من الهضاب التي توزعت بشكل عشوائي على السطح. اثبتت قياسات حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة بالرش ذات تركيب متعدد التبلور من نوع رباعي (Tetragonal) وباتجاه تفضيلي عند المستوي ,(110)مع وجود ثلاث قمم صغرى تعود للمستويات 101)),(200),(200) وهذه القمم تصغر وتضمحل بزيادة نسبة الاشابة بالانديوم .درست الخصائص الكهربائية المتضمنة منحني (I - V) عند الظلام , فقد بينت النتائج ان التيار المستمر يزداد مع زيادة نسبة الاشابة بالانديوم .الجزء الثاني من البحث فقد تضمن دراسة خصائص التحسس للاغشية المحضرة وبالذات الخصائص الكهرواجهادية , وتم اجراء القياسات بتعريض الاغشية لموجات تضاغطية بمدى واسع من الترددات (1 kHz - 10 MHz) ولفولتية انحياز ضمن المدى (0 - 15 V) لثلاث اوساط : الهواء , الماء ومحلول الكلوكوز المائي , وتم تسجيل التردد الرنيني المناظر لكل قيمة من قيم تركيز الكلوكوز (0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25)% لكل من الاغشية النقية والمشوبة انفة الذكر.استنادا الى ماذكر اعلاه فان بلورة ثنائي اوكسيد القصدير واحدة من البلورات الكهرواجهادية وذلك من خلال الاستجابة الجيدة للاغشية للترددات الرنينية , لقد اجريت القياسات المذكورة لتراكيز مختلفة عند درجة حرارة الغرفة وقد وجد ان تيار التحسس يزداد بزيادة تركيز الكلوكوز ويتناقص مع زيادة نسبة الاشابة بالانديوم . تزداد الخصائص التحسسية الكهرواجهادية والتيار بازدياد نسب الكلوكوز وازدياد نسب الاشابة بالانديوم وافضل تحسس عند 15% من تركيز الاشابة بالانديوم | In the present work, undoped SnO2 films and doped with In films with various doping concentration 5, 10 and 15% are prepared in chemical spray deposition method in which the films are deposited on glass substrates. The first part of the work studies the physical properties of the as deposited pure and In doped SnO2 thin films, including . Structural, electrical, and sensing (piezoelectric and amperomtric) properties of these films have been studied intensively. The surface topography of the films is studied by using the X - ray diffraction,and the Scanning Electron Microscopy (SEM) and the Atomic Force Microscopy(AFM)the influence of the indium concentration on film surface morphology has been cosederd . Film roughness (RMS) and average grain size are affected by varying indium addition concentrations, XRD measurements have proven that the sprayed films are polycrystalline structural of a tetragonal type with the (110) plane as preferential crystallographic orientation for all prepared samples in addition to three small peaks belong to the (101), (200) and (211) planes, these peaks decrease and vanishe with increasing of doping concentration. The grain size decreases from 136.16 to73.53nm and the roughness incrrease from 1.04 to 2.86 nm for (5, 10and15)% due to the existence of many hillocks, which are faceted and distributed randomly on the relatively smooth surface.The electrical properties includ (I - V) current in the dark condition have been studied, the results show that direct current increase with the increase of doping concentration. The second part of the work studies the sensing properties of the prepared films in a special case, the sensitive characteristics (piezoelectric). The measurements are carried out by exposing the thin film to mechanical waves in a range of sweeping frequencies of (1 kHz - 10MHz) at bias voltage in the range of (0 - 15V). The characteristic resonance frequency is recorded, due to the glucose concentration of (0.05, 0.1, 0.15, 0.2 and 0.25) in aqueous solution for undoped and doped Indium (5wt.%, 10wt and 15wt.%). The results were showed conclusively that the SnO2 crystal is one of the most candidate piezoelectric crystals, namely that these thin films have good response for resonance frequency. The glucose sensing behavior of the films is observed for various concentrations at room temperature . The sensing current is found to be increase with the increase in the glucose concentration and decreased with increase in a doping concentration. The sensitivity properties for piezoelectric and current increase with increase glucose concentration and increase with increase doping concentration and the best sensitivity at 15% of Indium concentration.

دراسة اثر التلدين وتغير السمك على الخصائص البصرية لاغشية اوكسيد النحاس (CuO) المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري == The Study of The Effect of Annealing and Thickness Variation on The Optical Properties of Copper Oxide (CuO) Thin Films Prepared By Chemical Spray Pyrolysis

Author name: هاله عبد الصاحب وادي موسى
Supervisor name: نادر فاضل حبوبي | خضير عباس مشجل
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: تتناول هذه الدراسة الخواص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد النحاس CuO المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية ساخنة بدرجة حرارة اساس oC(350). ودراسة اثر التلدين بدرجات حرارية مختلفة oC (400, 450, 500, 550). وكذلك دراسة تاثير تغير السمك على الخواص البصرية للعينات مختلفة السمك (1000, 2500, 3000, 5000, 9000, 10500). فقد اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور، وقد اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية nm (300 - 900)، ومن ثم حساب فجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات الالكترونية، اذ كانت قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال الالكتروني المباشر المسموح هي (2.85 - 1.95)eV وللانتقال غير المباشر المسموح هي (1.85 - 1.30)eV حيث ان فجوة الطاقة تقل تدريجيا كلمزااد السمك. اما عند تلدين اغشية CuO ذات السمك ( 3000) فان قيم فجوة الطاقة للانتقال المباشر المسموح هي (2.65 - 1.99)eV والانتقال غير المباشر المسموح هي (1.45 - 1.20)eV. وكذلك تم حساب ودراسة الامتصاصية، معامل الامتصاص، والانعكاسية والثوابت البصرية المتمثلة بــ(معامل الخمود، معامل الانكسار، ثابت العزل الكهربائي بجزيئة الحقيقي والخيالي، والتوصيلية الضوئية) كدالة لطاقة الفوتون، فقد اظهرت الدراسة ان التلدين وزيادة السمك للاغشية المحضرة تسبب في نقصان قيم فجوة الطاقة وزيادة في قيم كافة الثوابت البصرية. | This study deal with the structural and optical properties of copper oxide (CuO) thin films prepared on glass substrates heated to (350)oC using chemical spray pyrolysis techniques.The effect of annealing with different temperature (400, 450, 500, 550)oC have been studied. The effect of thickness variations (1000 - 10500) on the optical properties have been studied also.XRD analysis reveals that all the prepared thin films were polycrystalline. The absorbance and transmittance spectra in the wavelength range (300 - 900) nm, have been recorded the forbidden energy gap of the electronic transition were calculated, the value of the energy gap in the direct allowed transition for different thicknesses was (1.95 - 2.85)eV, and for the indirect allowed transition was (1.3 - 1.85)eV where the energy gap is decreased as the thicknesses increased. On the annealing of CuO thin films with (3000) thickness the energy gap of the direct allowed transition was varied from (1.99 - 2.65)eV and for the indirect allowed transition was varied from (1.2 - 1.45)eV The absorptance, absorption coefficient, reflectivity and the optical constants like extinction coefficient, refractive index, and dielectric constant in its two parts and conductivity as a function of photon energy were also calculated. The study raveled that annealing and the increase of thickness results in decreasing the energy gap and increase all the optical constants

الخصائص الكهروضوئية لاغشية TiO2 : CuO المحضرة بطريقة البلازما المنتجة بالليزر للتطبيقات الفوتونية == Optoelectronic properties TiO2 : CuO films prepared by Laser induce plasma for photovoltaic applications

Author name: نهى حسن حرب سلمان
Supervisor name: صباح نوري مزهر
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad - College Of Science For Girls - Physics Department
Language: English
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: تم في القياسات تحقق من الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية لاغشية ثنائي اوكسيد التيتانيوم TiO2)) النقية والمشوبة بمادة اوكسيد النحاس (CuO) والتي رسبت على ارضيات زجاجية منظفة بشكل مناسب بدرجة حرارة الغرفة وبتراكيز مختلفة من اوكسيد النحاس CuO (0,5,10,15,20)wt%. وقد استخدمت لذلك طريقة ترسيب الليزر النبضي (PLD) باستعمال ليزر النيدميوم ياك النبضي وبمعلمات ترسيب ثابتة وهي الطول الموجي 1064nm عند طاقة ثابتة 800mومعدل تكرار6Hz . وكان عدد النبضات المستخدمة (500), وقد لدنت الاغشية بدرجات حرارة مختلفة423, 523)K).تم تشخيص طبيعة تبلور الاغشية من خلال دراسة نمط حيود الاشعة السينية(XRD). اظهرت النتائج ان صفات الاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع الرباعي والاتجاه السائد (110).كما وجد ان الحجم الحبيبي يزداد مع زيادة درجات الحرارة والتراكيز.كذلك تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام مجهر القوى الذرية (AFM), اذا تبين ان الحجم الحبيبي للاغشية المحضرة قد اعتمد على درجة حرارة التلدين. كما ادت زيادة درجة حرارة التلدين الى زيادة خشونة السطح.تمت دراسة الخواص البصرية بطريقتين من خلال تسجيل طيفي النفاذية والامتصاصية لمدى الاطوال الموجية (300 - 1100)nm، ومن خلال فحص شده الاستضاءة الفوتونية(PL) . اذ وجد ان قيمة فجوة الطاقة تقل بزيادة تراكيز مادة CuO والتلدين في كلا الفحصين.ومن خلال دراسة الخصائص الكهربائية للاغشية المحضرة, بينت النتائج ان التوصيلية الكهربائية قد زادت بينما هبطت قيمه طاقة التنشيط مع زيادة تركيز CuO ودرجة حرارة التلدين . اخيرا تم التعرف على نوع حاملات الشحنه من خلال قياسات تاثير هول, وكانت كافه الاغشية المحضرة من النوع السالب n , وبزيادة التركيز ودرجة حرارة التلدين يزداد تركيز حاملات الشحنة بينما تقل التحركية. | In this measurement, structural, optical, electrical properties of TiO2 (Nanocrytalline and CuO additive TiO2) were investigated. are successfully deposited on suitably cleaned glass substrate at constant room temperature, and different concentrations of CuO (0,5,10, 15,20)% wt. Pulse laser deposition(PLD) technique was used at a constant deposition parameter such as : (pulse Nd : YAG laser with λ=1064 nm, constant energy 800 mJ, repetition rate 6 Hz and No. of pulse was (500).The films were annealed at different annealing temperatures 423K and 523 K. The XRD measurements show that as deposit TiO2 : CuO thin films had polycrystalline structure, and XRD data of thin films coincided with tetragonal. The preferred orientation was along (110) direction for Rutile phase . The results show that the crystallite size increases with the increase of concentration of CuO and annealing temperature. AFM measurements confirmed that the films have good crystalline and homogeneous surface.The Root Mean Square (RMS) values of thin films surface roughness and grain size increased with the increase of annealing temperature. The optical energy gap is calculated by two techniques UV - Visible spectrum and Photoluminescence(PL)spectrum. Both indicate that the energy gap decreased with the increase of concentration of CuO and annealing temperature. By studying the electrical properties of TiO2 : CuO thin film, D.c measurements show that the increase of CuO concentration in the prepared thin films increases the conductivity, while the activation energy (Ea1,Ea2)decreases. Hall Effect measurements show that all films have n - type charge carriers and the increase of CuO concentration and annealing temperature lead to increase the concentration of charge carriers , while the mobility decreases

تحضير ودراسة بعض الخصائص الفيزيائية لاغشية (Bi2O3 : Al) الرقيقة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ == Preparation and study of some Physical properties for( Bi2O3 : Al) Evaporated Thin Films under vacuum

Author name: نصر عيسى نجم
Supervisor name: بشرى كاظم حسون الميالي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: University of Baghdad - Ibn Al-Haytham College Of Education For Pure Sciences - Physics Department
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: حضرت اغشـيــة ( Bi2O3 ) على قواعد زجاجية بسمــك مختلـف( 450 , 350 , 250 ) nm وبـدقـة تصـل الـى ( ∓ 20 ) nm والمشـوب بمادة الالمنيـوم ( Al ) وبنسـب تشـويب مختلفة ( 3 , 2 , 1 ) % عنـد السمك ( 20 ∓ 450 ) nm والمحضرة بطريقـة التبخـر الحـراري في الفراغ وقد كان معدل ترسيب ( 1.20 nm / sec ) ,اضافة الى ذلك تم اكسدة اغشية البزموث ( Bi ) بدرجة حرارة ( 523 ) K وبزمن لا يزيد عن ساعة واحدة بوجود الهواء , وتـم دراسـة تاثيـر التلديـن علـى الخـواص التركيبيـة والبصـرية للاغشيـة النقيـة والمشـوبـة بـدرجات حــرارة ( 773 , 673 , 573 , R.T ) K ولمدة ساعة واحدة . استخـدمـت تقنية حيـود الاشعة لدراسـة الخصائص التركيبية للاغشية المحضرة واظهرت نتائج قياس حيود الاشعة السينية ( X - ray ) ان جميـع الاغشيـة المحضـرة النقيـة والمشوبـة تكون ذات تركيب متعـدد التبلـور ومـن النـوع الرباعـي والاتجاه السائد (201) لكل الاغشية المحضرة وزيادة معدل الحجم الحبيبي بزيادة سمك الغشاء , وهذا ما اشارت اليه قياسات مجهر القوة الذرية (AFM) كذلك يزداد معـدل الحجـم الحبيبي بزيادة نسب التشويب ما عدا النسبة ( 3 ) % . اظهرت الخصائص البصـرية ان النفاذية تتغير مع تغيـر كـل من سمك الغشاء ودرجة حرارة التلدين ونسب التشويب بالالمنيوم , وكذلـك تـم ايجاد فجـوة الطاقـة البصـرية للاغشيـة كافة فتبيـن انها مـن النـوع المباشـر المسموح لجميع الاغشية المحضرة وتزداد مع زيادة سمـك الغشاء, بينما تقـل مـع زيادة كـل من درجة حرارة التلدين ونسب التشويب عدا النسبة ( 3 % ) . اضافـة الى ذلـك تم حساب قيـم الثـوابـت البصريـة مثـل (معامل الامتصاص ومعامل الانكسار ومعامـل الخمـود وثابـت العـزل المعقد (الحقيقي والخيالي ) والتوصيلية الضـوئية ) كدالة الاطوال الموجية ( 1100 - 300 ) nm للاغشـية المحضرة . | This research includes studying the structural and optical properties of pure Bismuth Oxide ( Bi2O3 ) thin film at different thicknesses ( 250 , 350 and 450 ± 20 ) nm and doped by Aluminum ( Al ) of ( 450 ± 20 ) nm thickness with different doping ratios ( 1 , 2 , 3 ) % which is prepared by thermal evaporation method from depositing Bismuth film on glass substrates at R.T ( 300 ) K with deposition rate ( 1.20 nm / sec ) then oxidation Bismuth films at ( 523 ) K for one hour in air , Also it includes studing the effect of annealing temperature at ( R.T , 573 , 673 and 773 ) K for one hour on structural and optical properties for pure and doped films . The results of x - ray diffraction have been showed that pure and doped prepared films have polycrystalline structure with tetragonal phase with preferred orientation ( 201 ) for all prepared films the grain size increases with the increase of film thickness and this is in agreement with ( AFM ) measurements also it increases after doping except at ratio ( 3 % ) . This research also includes studing the optical properties of prepared pure and doped films . The transmission and absorption values changed with the changing of film thickness , annealing temperature and doping ratio with ( Al ) , the optical energy gap for allowed direct transition was evaluated and it increases with the increase of film thickness while it decreases with annealing temperature and doping percentage by ( Al ) except ratio ( 3 % ) . The optical properties results include calculating the optical constant (absorption coefficient , refractive index ,extinction coefficient, dielectric Constant with two parts real and imaginary and optical conductivity ) in the range of wave length ( 300 - 1100 ) nm for pure and doped films before and after annealing

دراسة الخصائص التحسسية لاغشية اوكسيد الخارصين والمحضرة بطريقة (ZnO : Al) المشوبة بالالمنيوم التبخير الحراري == Study of the Sensing Properties of the Aluminum - Doped Zinc Oxide thin films Prepared by Thermal Vacuum Evaporation Technique

Author name: مهند شاكر كشكول محمود ال شربه
Supervisor name: ابراهيم رمضان عاكول
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Science
Language: English
University location: Baghdad
Key words:
  • الخصائص التحسسية
  • اغشية اوكسيد الخارصين (ZnO : Al) المشوبة بالالمنيوم
  • متحسس كيميائي
First pages:
Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخصائص الكهربائية والتحسسية لاغشية (ZnO : Al) الرقيقة وبالنسب%(5,4,3,2,1) المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة وبسمك (275±15)nm وبمعدل ترسيب (1.7±0.3nm/s) ومن ثم عانت جميع الاغشية اكسدة حرارية جافة بدرجةoC350 ولمدة ثلاث دقائق.تبين من خلال نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) ان جميع اغشية(ZnO : Al) كانت ذات تركيب متعددة التبلورمع اتجاه تفضيلي هو(101) اكثر وضوحا من باقي الاتجاهات وذات تركيب سداسي (فورتزايت). ومعدل الحجم الحبيبي لاوكسيد الخارصين ZnO النقي (44.9nm)، التشويب بالالمنيوم ادى الى نقصان الحجم الحبيبي، اي تدهور التركيب البلوري ، يصل الحجم الحبيبي الى ادنى قيمة عند 3% ثم يقل تاثير التشويب بعدها,كما بين مخطط الحيود (XRD) لاغشية ZnO : Al وجود طورين للالومينا (Al2O3) هما α وδ تزداد نسبة تواجدهما مع زيادة نسبة التشويب. اظهرت القياسات الكهربائية ان التوصيلية الكهربائية المستمرة تزداد بزيادة نسبة التشويب حتى لتصل اقصى قيمة(Ω cm) - 1 144.875عند نسبة 3% ثم تبدا بالنقصان مع زيادة نسبة التشويب .وبينت القياسات ان الاغشية كافة تمتلك طاقتين للتنشيط (Ea1) و(Ea2) تزداد قيمتهما بزيادة نسبة التشويب، وتبين من خلال دراسة تاثير هول وتاثير سيباك ان جميع الاغشية هي من النوع السالب (n - type) .اما التحركية وكثافة الحاملات لاغشية (ZnO : Al) فقد ازدادتا مع ازدياد نسبة التشويب لتصل اقصى قيمة 59.39 cm2 V - 1s - 1 وcm - 3 1019×1.52 على التوالي عند نسبة تطعيم 3% بعدها بداتا تقل مع زيادة نسبة التشويب . تم تعريض العينات الى بخار الايثانول والميثانول وبدرجات تطبيقية مختلفة(30,40,و65 ) Co وبتسليط فولتية تتراوح (0 - 15) فولت, اظهرت القياسات التحسسية تحسس عالي لبخار الايثانول والميثانول عند تركيز 750ppm للبخار وكانت نسبة التشويب 3% هي الافضل دائما حيث سجلت اعلى قيمة للتحسس بلغت 73% عند درجة حرارة تطبيقية Co 30 تزداد لتصل 85% عند Top= 40 Co , في حين لم تظهر الاغشية تحسس لغاز(Co2 ) الا عند درجة حرارة (Co 205 ) وبتركيز ppm 1500 للغاز وبشكل ضعيف جدا بلغت نسبة التحسس 8% عند نسبة تشويب 3%, وكان التحسس معدوم بالنسبة لغاز (N2 ) وتبين ان التحسسية تتناسب عكسيا مع الحجم الحبيبي ,وطرديا مع درجة الحرارة التطبيقية ولمدى معين كما ان سرعة الاستجابة ومنحني (العودة ) يتحسن بشكل ضئيل مع زيادة درجة الحرارة. واظهرت النتائج عند تسليط فولتية خارجية خلال اخذ القياسات التحسسيةعلى الغشاء يزيد من تيار الخارج لكن في نفس الوقت تقل التحسسية . | In this work, electrical and sensing properties are investigated for Aluminum - doped Zinc Oxide thin films with different aluminum doping concentration (1,2,3,4 and 5%) prepared by thermal vacuum evaporation on glass substrate at (R.T) with (275±15)nm thickness deposition rate (1.7±0.3 nm/s) ,all films undergo dry thermal oxidation at (350 оC )for three minutes .The X - ray diffraction technique showed that all prepared films are polycrystalline with preferential orientation in the (101) direction. The peaks correspond to a hexagonal wurzite structure with the average grain size of pure ZnO (44.9nm) ,the doping resulted in decreasing grain size i.e deteriorates the crystallinity of the films until 3%doped.Other phases indicated from XRD were (δ) Al2O3.and(α) Al2O3 . Alumina concentration increased with increasing doping concentration. The grain size of ZnO : Al films is smaller compared to the grain size of ZnO films at same deposition parameters .The electrical properties showed the conductivity variation of Al - doped ZnO films with different doping concentrations first increase with increased Al concentrations. Maximum conductivity 144.875 (Ωcm) - 1 was obtained at a doping concentration of 3%, then the conductivity started to decrease significantly with increased in the Al doping concentration . Also, the doping affected the activation energy, by increasing it is value with increasing in doping concentration.The results obtained from Hall effect and Seebeck measurements have shown that ZnO : Al film is ( n - type ).The mobility of the ZnO : AI films increases with dopant concentration, and reaches maximum value of about 59.39 Cm2 V - 1 S - 1, at doping concentration 3%. Above 3% the mobility of the film decreases with increasing AI - concentration. The carrier concentration of the film increases with increasing dopant concentration, such behavior was expected, after a certain level of doping at 3%.The carrier concentration of the film decreases with increasing dopant concentration. Thin films specimens were examined for chemical sensing using vapor ethanol and methanol (at 30,40and65 оC) .The thin film surface exposed to 750 ppm vapor concentrations. The measuring, carried out with an applied voltage varied from (0 - 15) volts .The sensing measurements showed high sensitivity to ethanol and methanol. AZO 3% recorded the best result 73% for ethanol at operation temperature 30 оC increased to 85% at 40 оC.The sensitivity to CO2 was observed hardly of about 8% at 205 оC, and did not record any detection to N2 gas.The result showed that the sensitivity directly proportional with the operation temperature for limited range, and little improves response time and recover curve.Sensitivity is inversely proportional to the grain size and the applied voltage.

ازالة الغشاوة من الصور الرقمية باستخدام التقنيات الترددية المعتمدة على دالة النشر النقطي == Deblurring Digital Images by Using Frequency Domain Techniques Based on Point Spread Function

Author name: مالك عطیة دشر
Supervisor name: حازم كاطع دواي الخزاعي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Science
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:

دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية ZnO الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Author name: كامران ياسين قادر
Supervisor name: نادر فاضل حبوبي
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Doctorate
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: Arabic
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية (ZnO) الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري ، اذ ان الاغشية المحضرة هي بسمك(2000,3000,4000,5000,6000,7000)Ǻ مرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية لاغشية اوكسيد الخارصين ان هذه الاغشية متعددة التبلور ومن النوع السداسي ولها اتجاه تفضيلي هو (002). اشتملت دراسة الخواص البصرية على قياس طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية)nm 900(390 - ، وجد ان الامتصاصية تزداد بينما تقل النفاذية بزيادة سمك الغشاء لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. ووجد ايضا عند حساب الانعكاسية انها تزداد بزيادة السمك لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. حسبت قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر المسموح وكانت تتراوح من eV (2.8 - 3.05) ، اذ انها تقل بزيادة سمك الغشاء . اما قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر الممنوع فكانت تتراوح من eV (2.68 - 2.83) . وايضا درس تاثير السمك على معامل الانكسار ، معامل الخمود ، معامل الامتصاص ، ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي ، والتوصيلية الضوئية ، وجد ان تغير السمك يؤثر على قيم هذه المعلمات. | In this research , the study of structural properties and the effect of thickness on the optical properties of (ZnO) thin films prepared by chemical spray pyrolysis . The thickness of the prepared thin films (2000,3000,4000,5000,6000,7000) Ǻ , which were deposited on glass substrate at a temperature of (400 ) . The optical properties including the measuring of absorbance and transmission spectra in the wavelength range (390 - 900) nm . It was found that absorbance increases while transmission decrease as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . And it was found that reflectance increases as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . The forbidden energy gap for direct allowed transition were calculated and it was in the range (2.8 - 3.05) eV , it decrease as the film thickness increase , and their values of the direct forbidden transition were in the range (2.68 - 2.83) eV . The effect of thickness on the refractive index , extinction coefficient , real and imaginary part of dielectric constant and optical conductivity were also studied , it was found that thickness variation affect on the values of these parameters .

تاثير اغشية (SnO2) كالكترود على كفاءة الخلية الشمسية == The effect of SnO2 thin film as an electrode on the efficiency of solar cells

Author name: انغام زهير نجم
Supervisor name: بتول درعم بلاوه
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Science
Language: English
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: في هذاالبحث حضرت اغشية 2) SnO) النانوية الرقيقة بطريقة الرش الكيميائي الحراري لمحلول كلوريدات القصدير المائية (Sncl2.2H2O ) وبتركيز (0.05 ) مولاري وبدرجة حرارة ثابتة تقريبا وباسماك مختلفة وعلى نوعين من القواعد النوع الاول هي القواعد الزجاجية وذلك من اجل دراسة الخصائص البصرية والتركيبية للغشاء . اما النوع الثاني فكان قواعد من خلايا شمسية سليكونية من نوع اتصال (p - n) لدراسة تاثير الغشاء كقطب توصيل على كفاءة الخلية الشمسية . تم في هذا البحث تشخيص الاغشية من خلال حيود الاشعة السينية وتبين بان الغشاء ذات طبيعة متعددة التبلور وباتجاهية سائدة (110,101,211 ) .اوضحت قياسات الخواص البصرية من خلال دراسة سلوك منحني النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ان الاغشية ذات نفاذية عالية للاطوال الموجية في المنطقة الطيفية nm(900 - 600) وهذا مايؤهلها للاستخدام كقطب توصيل مضاد للانعكاس ضمن هذه المنطقة وان النفاذية تزداد بنقصان السمك وان منحني الامتصاصية والانعكاسية يسلك سلوكا معاكسا لمنحني النفاذية .اظهرت دراسة الانتقالات الالكترونية حدوث جميع الانتقالات الالكترونية .ومن خلال دراسة قيم معامل الامتصاص اتضح بان الانتقالات الالكترونية المباشرة المسموحة هي الانتقالات السائدة وان قيمة فجوة الطاقة تتراوح بين 3.1 - 2.7)eV) وتم حساب بعض الثوابت البصرية والتي شملت معامل الانكسار ومعامل الخمود. اظهرت قياسات (تيار - فولتية) تحسن ملحوظا في كفاءة الخلية الشمسية بعد الطلاء بغشاء SnO2 كقطب توصيل.تزداد كفاءة الخلية الشمسية مع زيادة تركيز الغشاء حيث كانت اعلى كفاءة 16.43% عند السمك (100) nm و15.97% عند السمك (90)nm . | Nanostructure SnO2 thin films have been prepared by the thermal - chemical technique for (SnCl2.2H2O) watery tin chloride solution in(0.05)M concentration at constant temperature and different thickness on two kinds of substrates ,first type the glass substrate for the study optical and structural properties of the films ,while the second type was silicon solar cell of p - n junction to study the effect of the films as electrode on the efficiency of solar cell. From the diffraction of X - Ray it was appear that the films has poly crystalline and directionality is prevalent in (110,101,211).Through the study of the transmittance and absorbance as a function of wavelength shows that the films have high transmittance in spectrum regional (600 - 900)nm and that is make it ready to use as anti - reflection electrode. Transmittance is increasing while the thickness is reduced,reflectance and absorbance curve act in opposite direction to the transmittance curve. The study of electron transition shown that all the electron transition is happened and through the study of the values of absorbant coefficient shown that the allowed direct electronic transitions is the prevalent transition, and the value of energy gap is (2.7 - 3.1 ) eV. Also optical constant like refractive index (n) and extinction coefficient (ko) have been calculated. The efficiency of solar cell increased with the increased the thickness of the films, maximum efficiency of the solar cell is 16.43% corresponding to (100)nm and 15.97% corresponding to (90)nm

الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية Bi2 (Te1 - x Sex) 3 الرقيقة == Structural and electrical properties of Bi2 (Te 1 - x Se x) 3 thin films

Author name: هديل فاضل حسين عمران
Supervisor name: اخلاص هميم شلال
General topic: Physics
Specific topic: Thin Films
Degree: Master
University: Mustansiriyah University - College Of Education For Pure Sciences
Language: English
University location: Baghdad
First pages:
Abstract: تم تحضير عينات لسبائك Bi2(Te1 - xSex)3بنسب مختلفة من محتوى (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,and 1.0) Se ,وحضرت الاغشية الرقيقة باستخدام منظومة التبخير الحراري على قواعد من مادة الزجاج وعند ضغط واطئ ( (10 - 5 تور وبمعدل ترسيب (12) نانومتر بالدقيقة عند درجة حرارة الغرفة وبسمك ثابت مقداره (450±30) نانومتر. تم التحقق من تراكيز كل من العناصر المكونة للسبائك البزموث والتيلريوم والسلينيوم من خلال الفحص بجهاز فلورة الاشعة السينية حيث تعتمد هذه التقنية على القيم القياسية لهذه العناصر .وذلك للتاكد من ان السبائك Bi2(Te1 - xSex)3 هي ذات نقاوة جيدة. اظهرت قياسات حيود الاشعة السينية لسبائك واغشيةBi2(Te1 - xSex)3 بانها تمتلك تركيب متعدد التبلور بالمنشور السداسي المنتظم، بمجموعة الفضاء R3m، مع التوجيه القوي للسطح (015). لوحظ ان هناك قمم حيود اضافية، تتوافق مع الانعكاسات عن السطوح البلورية ، (006) و(0015)، نلاحظ ان هناك العديد من الانعكاسات عن السطوح البلورية( 015) (006)، (1010) وانعكاس قوي وحاد عن السطح (015) ، وهذا يعني ان جميع الاغشية ذات تركيب جيد على طول المستوى (015) بشدات مختلفة لكل غشاء رقيق وكما اظهرت قياسات بجهاز AFM او مورفولوجية السطح للاغشية Bi2(Te1 - xSex)3 ان هناك زيادة في حجم الحبيبة ومتوسط خشونة السطح مع زيادة نسبة (x). اظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية المستمرة وجود طاقتي للتنشيط، وبالتالي ظهور اليتين للنقل للحاملات في الاغشيةBi2(Te1 - xSex)3الرقيقة ولجميع مديات درجات الحرارة , حيث ان الطاقة التنشيط الاولى (Ea1) تحدث في درجة الحرارة المنخفضة للمدى (323 - 383) K في حين ان طاقة التنشيط الثانية (Ea2) تحدث في درجة الحرارة المرتفعة للمدى (383 - 433). تشير نتائج قياسات تاثير هول ان جميع الاغشية الرقيقة ولجميع قيم x تمتلك توصيلية كهربائية من النوع p والتي تتطابق مع توصيلية المركبات الاصلية Bi2Te3 وBi2Se3 مما يعني عدم وجود انحراف في نسبة السلينيوم Se / او التليريوم Te في السبائك المصنعة، حيث ان هذا الانحراف يؤدي الى تغيير نوع التوصيلية في الاغشية الرقيقة لBi2(Te1 - xSex)3. تقل تراكيز حاملات الشحنة مع ارتفاع نسبة Se للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3، من القيمة 2.32*1019cm - 3)) عند x=0 الى القيمة) ( 9.40*1017cm - 3 عند x=1 , في حين اظهرت حركية هول μH سلوكا مغايرا حيث تزداد مع زيادة نسبة السلينيوم Se في الاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3 من 3.51*10 - 1 cm2/V.s) ) الى القيمة 7.54 cm2/V.s) ) عند تغير قيم x من (0) الى (1) على التوالي. تم قياس الخصائص الكهروحرارية للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3 للمدى الحراري من K ( 383 - 433) , حيث ان قيم معامل سيباك ، تنخفض مع زيادة نسبة Se لجميع العينات للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3، بينما انخفض معامل القدرة مع زيادة نسبة السلينيوم Se في الاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3. التوصلية الحرارية Kel للاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3 كما تم ترسيبها , تنخفض بشكل ملحوظ مع زيادة نسبة Se, من القيمة (1.031*10 - 5 ( w/cm.k)) الى القيمة 8.96*10 - 6 ) (w/cm.k))) اخيرا وجدنا ان هذا العامل (ZT) يقل مع زيادة نسبة (Se) في الاغشية الرقيقة Bi2(Te1 - xSex)3, من (0.704) الى القيمة(0.129) عند عند تغير قيم x من (0) الى (1) على التوالي. | The Bi2(Te1 - x Sex)3 alloys with different values of the percentage of Se (x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9 and 1)have been prepared, Thinfilms of these alloys were prepared using thermal evaporation technique under vacuum of (10 - 5 ) Torr on glass substrates, at room temperature with deposition rate (12nm/min) with constant thickness (450±30 nm). The concentrations of Bi, Se and Te in the Bi2(Te1 - x Sex)3 alloys were identified by X - ray Fluorescence (XRF) technique , to be ensure that they are in good stoichiometric percentage in the Bi2(Te1 - x Sex)3 alloys. The X - ray diffraction measurements for bulk and thin films of Bi2(Te1 - xSex)3 indicate the polycrystalline structure with rohmbohedral structure, with space group R3m, and with a strong (015) preferred orientation. and it can be noticed that there are additional peaks, (0015) and (006 ) reflections planes, which is meaning that all films present a very good texture along the (015) plane axis, different intensities for each thin film. AFM measurements or The surface morphology for the thin films of Bi2(Te1 - x Sex)3,show that the average crystallite size and the average surface roughness increasing with increasing of the percentage Se(x). The D.C measurements showed two stages of activation energy and hence two transport mechanisms for thin films under study, in the temperature range, (Ea1) occurs within range (323 - 383)K , while (Ea2) within range (383 - 433) K. The values of Ea1 increase from (0.0066627at x=0 - 0.0073361 at x=1) eV The values of Ea2 increase from (0.011 - 0.013) eV The results Hall Effect measurements show that all thin films have p - type conductivity and that coincide with the original compounds Bi2Te3 and Bi2Se3, indicating there is no deviation in the percentage of Se and/or Te in our fabricated alloys, then this will be changing the type of thin films conductivity. The carrier concentrations of charge carriers nH decrease with increasing of Se percentage, from (2.32*1019cm - 3 ) at x=0 to(9.40*1017cm - 3 ) at x=1, while the mobility μH showed opposite manner which increases with increasing of Se percentage from (3.51*10 - 1 cm2/V.s) when x=0 to (7.54cm2/V.s) at x=1. Thermoelectric properties of Bi 2 (Te 1 - X Se X) 3 thinfilm were measured from (383 K to 433 K) The values of Seebeck coefficient, decreases as increasing of Se percentage in all samples of Bi 2 (Te 1 - X Se X) 3 thinfilm, while the power factor was decrease when we increase the (Se) percentage in Bi 2 (Te 1 - X Se X) 3 thinfilm. Thermal conductivity Kel for the as deposited Bi2(Te1 - x Se x)3 thinfilm, decreases sharply by increasing Se percentage from (1.03*10 - 5 w/cm.k).to (8.95*10 - 6 w/cm.k) .Finally we found that the figure of Merit (ZT) decreases by increasing (Se) percentage for all investigated Bi2(Te1 - xSex)3 thin films, from (0.704) at x= 0 to (0.129) at x=1.
1 2