Search — Iraqi Digital Repository

Search results: 6 out of 6

تصميم وبناء انابيب اوكسيد التيتانيوم النانوية المطعم بالفضة، البلاديوم والبلاتين كمتحسس غازي == Design and Construction of Ag, Pd and Pt doped TiO2 nanotubes as Gas Sensor

Author name: حيدر حميد حمدان

Supervisor name: غصون حميد محمد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: University of Baghdad

Language: English

University location: Baghdad

Study The Optical , Electrical And Structural Properties Of Silicon Based Solte Solar Cell

Author name: Al - Husseini . Mustafa Mohammed Ali Hussein

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: University of Baghdad

University location: Baghdad

Key words:

Thin films - optical properties

دراسة الخواص الضوئية والكهربائية لاغشية ثنائي اوكسيد القصدير المحضرة بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي CVD == Study of the Optical and Electrical Properties of Tin Oxide Films Prepared by Chemical Vapour Deposition Method (CVD)

Author name: سناء محمود حسين الدليمي

Supervisor name: ميخائيل عيسى منصور

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: University of Al Mosul - College Of Science - Physics Department

Language: Arabic

University location: Mosul

First pages:

Abstract: تم تصميم وتنفيذ منظومة الترسيب البخاري الكيميائي ذي المفاعل الافقي(Chemical Vapor Deposition, CVD) لتحضير اغشية رقيقة من املاحها. تم استخدام المنظومة لتحضير اغشية اوكسيد القصدير SnO2 من كلوريده على ارضيات من الزجاج على شكل مجموعات بعوامل ترسيب مختلفة (درجة حرارة الارضية ،معدل انسياب الهواء، زمن الترسيب وموقع النموذج) ومن ثم دراسة الخواص الفيزيائية لتلك الاغشية.درست البنية البلورية لمجموعة من الاغشية باستخدام طريقة حيود الاشعة السينية(X - Ray Diffraction) وتبين بان الاغشية تمتلك تركيبا بلوريا متعدد البلورات (Polycrystalline) من النوع الرباعي القائم (Tetragonal) وان الاتجاهات المفضلة لنمو الحبيبات البلورية هي (110) و(200) وان حجم الحبيبات يتراوح ما بين (465 - 159)A ويعتمد ذلك على ظروف الترسيب. درس ايضا تاثير عوامل الترسيب على معدل الترسيب، ووجد بانه لا يتغير مع الزمن بتثبيت بقية العوامل ولكنه يزداد مع ارتفاع درجة حرارة الارضيات ومع زيادة معدل انسياب الهواء ثم يستقر عند قيم معينة تعتمد على ظروف الترسيب. ومن خلال دراسة تاثير موقع النموذج على الخواص الفيزيائية لاغشية SnO2 وجد بان افضل موقع داخل المفاعل لترسيب تلك الاغشية يبعد عن نهايته حوالي 17 cm. درست ايضا الخواص البصرية للاغشية وذلك بقياس النفاذية ضمن مدى الطول الموجي(300 - 1100)nm وتم حساب معامل الامتصاص، طاقة حافة الامتصاص وفجوة الطاقة البصرية، وتبين بان اغشية SnO2 تمتلك نفاذية تتراوح ما بين (95 - 80)% ومعامل امتصاص  > 104 cm - 1 وطاقة فجوة بصرية Eopt  4 eV ضمن منطقة الطيف المرئي. ومن خلال دراسة العلاقة بين معامل الامتصاص وطاقة الفوتون الساقط تبين بان الانتقالات الالكترونية كانت مباشرة. تمت دراسة الخواص الكهربائية للاغشية المرسبة بدرجات حرارة ارضيات مختلفة وكذلك بمعدلات انسياب هواء مختلفة وتثبيت بقية العوامل، ووجد بان افضل توصيلية كهربائية كانت عند درجة حرارة ارضية 475C وعند معدل انسياب هواء 2.3 L/mins.. ومن خلال دراسة تاثير ارتفاع درجة حرارة الغرفة على التوصيلية الكهربائية للاغشية تبين بان هناك مستويي طاقة للشوائب قريبين من حزمة التوصيل.تم تحضير خلايا شمسية من نوع SnO2/n - Si ونوع SnO2/SiO2/n - Si بتكوين سمك مختلفة من مادة SiO2 بطريقة الاكسدة الحرارية للسليكون. تمت دراسة خواص التيار - فولتية في الظلام وعند الاضاءة بقدرة 11.7 mW/cm2 ، وتبين بان كفاءة التحويل للخلية بدون اوكسيد كانت بحدود 5.01% ، اما للخلية ذات طبقة SiO2 < 20 A فكانت بحدود 5.9% .درست ايضا الاستجابة الطيفية بقياس التيار الضوئي للخلية SnO2/n - Si للمدى (300 - 1200) nm ووجد بان افضل استجابة كانت عند الطول الموجي  = 600 nm . | A chemical vapour deposition system with horizontal reactor has been designed and executed for preparing thin films from its salts. It was used to deposit groups of tin oxide (SnO2) films from its chloride on glass substrates with different deposition factors (substrate temperature, air flow rate, deposition time and sample position in the reactor), then their physical properties were studied.Crystal structure of group of SnO2 films was studied using X - Ray diffraction method, it appears that the films have polycrystalline structure of tetragonal type, with (110) and (200) as preferred directions and grain size between (159 - 465) A, depend on deposition condition.The effect of deposition factors on deposition rate was studied, it was found that the deposition rate does not change with increasing time and fixing other factors but it increases with the increase in substrate temperature and with the increase in air flow rates up to specific values depend on deposition condition. By studying the effect of sample position or physical properties it was found that the best position inside the reactor is about 17 cm from its end. Optical properties were also studied by measuring the transmission percent within the wavelength range (300 - 1100) nm, it was found that SnO2 films have a transmission percent  (80 - 95)%, absorption coefficient  > 104 cm - 1 and optical energy gap Eopt  4 eV within the visible region. Studying the relation between absorption coefficient and the energy of incident light verified that the electronic transition is direct. Electrical properties of films deposited at different substrate temperature as well as, different air flow rates, with fixing other factors shows that the highest electrical conductivity is at substrate temperature 475 C and air flow rate 2.3 L/min. The effect of temperature on electrical conductivity has been studied and it was found that there are two impurity energy levels closer to conduction band.The solar cells type SnO2/n - Si and SnO2/SiO2/n - Si with different SiO2 thickness made by silicon thermal oxidation, have been prepared. Current - voltage characteristics for those cells in dark and under 11.7 mw/cm2 illumination were studied.It was found that the efficiency for the cell without oxide layer was 5.01% while for cell with SiO2 < 20 A was 5 - 9%. The spectral response study at wavelength range (300 - 1200) nm show that the highest photocurrent was at  = 600 nm.

دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية ZnO الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Author name: كامران ياسين قادر

Supervisor name: نادر فاضل حبوبي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education

Language: Arabic

University location: Baghdad

First pages:

Abstract: تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية وتاثير السمك على الخصائص البصرية لاغشية (ZnO) الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري ، اذ ان الاغشية المحضرة هي بسمك(2000,3000,4000,5000,6000,7000)Ǻ مرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية لاغشية اوكسيد الخارصين ان هذه الاغشية متعددة التبلور ومن النوع السداسي ولها اتجاه تفضيلي هو (002). اشتملت دراسة الخواص البصرية على قياس طيفي الامتصاصية والنفاذية للاغشية المحضرة لمدى الاطوال الموجية)nm 900(390 - ، وجد ان الامتصاصية تزداد بينما تقل النفاذية بزيادة سمك الغشاء لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. ووجد ايضا عند حساب الانعكاسية انها تزداد بزيادة السمك لغاية سمك (Ǻ6000) ولا يوجد تاثير ملحوظ للسمك ((7000Ǻ. حسبت قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر المسموح وكانت تتراوح من eV (2.8 - 3.05) ، اذ انها تقل بزيادة سمك الغشاء . اما قيم فجوة الطاقة الممنوعة للانتقال المباشر الممنوع فكانت تتراوح من eV (2.68 - 2.83) . وايضا درس تاثير السمك على معامل الانكسار ، معامل الخمود ، معامل الامتصاص ، ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي ، والتوصيلية الضوئية ، وجد ان تغير السمك يؤثر على قيم هذه المعلمات. | In this research , the study of structural properties and the effect of thickness on the optical properties of (ZnO) thin films prepared by chemical spray pyrolysis . The thickness of the prepared thin films (2000,3000,4000,5000,6000,7000) Ǻ , which were deposited on glass substrate at a temperature of (400 ) . The optical properties including the measuring of absorbance and transmission spectra in the wavelength range (390 - 900) nm . It was found that absorbance increases while transmission decrease as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . And it was found that reflectance increases as the thickness increased up to (6000 Ǻ) , there is no any noticeable effect for thickness (7000 Ǻ) . The forbidden energy gap for direct allowed transition were calculated and it was in the range (2.8 - 3.05) eV , it decrease as the film thickness increase , and their values of the direct forbidden transition were in the range (2.68 - 2.83) eV . The effect of thickness on the refractive index , extinction coefficient , real and imaginary part of dielectric constant and optical conductivity were also studied , it was found that thickness variation affect on the values of these parameters .

تحضير غشاء رقيق لخلية شمسية لاساس (CZT(S,Se) == Synthesis of Thin Film Solar Cell Based on CZT(S,se)

Author name: عدنان مرموص منصور

Supervisor name: ميسون فيصل احمد الياس | اقبال سهام ناجي

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: University of Baghdad

Language: English

University location: Baghdad

First pages:

دراسة تاثير تشويب اغشية ثاني اوكسيد القصدير بالهالوجينات على الخواص الفيزياوية بطريقة الرش الكيميائي الحراري == Study The Effect Of Doped SnO2 With Halogen On The Physical Properties Prepared By Chemical Spray Pyrolysis Technique

Author name: نداء عبد الاله محمود

Supervisor name: عبد المجيدعيادة ابراهيم | عبد الله احمد رشيد

General topic: Physics

Specific topic: Thin Films

Degree: Doctorate

University: Mustansiriyah University - College Of Science

Language: English

University location: Baghdad

First pages: