عرض: 25 50 75 100 النتائج

نتائج البحث: 9 من أصل 9

ديناميكية الالكترون في كيوبت مقترن بنقطة اتصال كمية The Electron Dynamics in Qubit Coupled to Quantum Point Contact

اسم المؤلف: ايات طاهر ابراهيم
اسم المشرف: جنان نجيد المخ
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2023
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: البصرة
الكلمات الدلالية:
  • فيزياء الالكترونيات
الصفحات الاولى:

تعزيز الفوتون لنقل الالكترون خلال النظام النانوي QD - QW - QD Photon – Assisted Electron Transport through QD – QW – QD Nanostructure System

اسم المؤلف: هشام يوسف المهدي
اسم المشرف: Shakir I . Easa Jenan M. Al – Mukh
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2017
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: البصرة
الصفحات الاولى:

تصميم وتصنيع عدسة شيئية مركبة لمعالجة الزيغ اللوني في المجهر الالكتروني الماسح ذي الفولتيات الواطئة Design and fabrication a chroma corrected objective compound lens for low beam energies scanning electron microscope

اسم المؤلف: فائز احمد محمد سلطان الجميلي
اسم المشرف: منى عبد الكريم الخشاب
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2010
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
الجامعة: جامعة الموصل
اللغة: العربية
مكان الجامعة: الموصل
الصفحات الاولى:

The Effects Of Ni,Cu,And Cb Additives On The Electrical,Optical, And Machanical Properties Of Pmma

اسم المؤلف: Al - Delaiami Mehdi Naji J .
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 1996
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
الجامعة: جامعة بغداد
مكان الجامعة: بغداد
الكلمات الدلالية:
  • Mechanics - Electric analogies%Thesis

دراسة نظرية لتاثير مجال خارجي معتمد على الزمن على قناتي البرم لنظام نقطتين كميتين على هيئة T Theoretical Treatment for the Time Dependent External Field Effect on the Spin Channels of T-shaped Double Quantum Dots System

اسم المؤلف: ماجد عبد الله ناطق
اسم المشرف: جنان مجيد المخ جبار منصور خلف
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2019
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: البصرة
الصفحات الاولى:
المستخلص: ان دراسة نقل البرم المعتمد على الزمن خلال انظمة النقاط الكمية له اهمية في الدراسات النظرية
والعملية, و عليه تم دراسة وتحليل نقل البرم المدعوم بمجال خارجي معتمد على الزمن خلال
موضوعتين بين قطبين غير اعتياديين. T نقطتين كميتين على هيئة
ان الهاملتونين المعتمد على الزمن, الذي يصف هذا النظام يتبع اسلوب الترابط المتين في اخذ
تفاعلات الاقتران المعتمدة على البرم لكل اجزاء النظام بنظر الاعتبار. المعالجة النظرية تمت
باستخدام اسلوب مؤثر زمن–النمو حيث تم اشتقاق معادلات الحركة لعناصر مصفوفة مؤثر زمن–
النمو. تم باستخدام تمثيل التفاعل حل اثنان وثلاثون معادلة تفاضلية– تكاملية للبرم الاعلى والبرم
الاسفل, حلاً عددياً باستخدام طريقة رانج – كوتا من الرتبة السادسة, حيث تم تدقيق الخطا عند كل
خطوة زمنية. اما بالنسبة الى الحسابات المعتمدة على الطاقة فقد انجزت باخذ كثافة الحالات
للاقطاب الفيرومغناطيسية بنظر الاعتبار. بينما استخدم التقريب الاديباتيكي لمعالجة تاثيرات
مميزات المجال الخارجي معتمد على الزمن )التردد والسعة( نظري اً.
الملخص:
المصادر:

التراكيب الالكتروني بعض المعقدات المعدنية المختارة

اسم المؤلف: فائق عبد الله محمد التميمي
اسم المشرف: حامد ابراهيم عبود محمد التميمي
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2018
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: بابل
الصفحات الاولى:
المستخلص: The aim of the present work entitled " Electronic Structure of SomeSelected Metal Complexes " is to present a theoretical study based on thehybrid function of three parameters Lee - Yang - Parr B3LYP of the densityfunctional theory DFT quantum mechanical approach together with theStuttgart Dresden triple zeta SDD basis sets. All calculations are carried outby employing the used method at the Gaussian 09 package of programs.The studied metal complexes are twenty four divided into three groups : Platinum metal complexes, Vanadium metal complexes and Aluminummetal complexes. The electronic structure of the complexes includes thestructural, electronic, spectroscopic and excitation states properties.The results show that the SDD basis sets are efficient stronglysuggested for heavy metals and give good relax for the structures of thestudied metal complexes, where the geometrical parameters for cis - platinare in a good agreement with experimental results. Cis - platin has a largeabsolute value of chemical potential with low value of electrophilic index.Cis - platin has high ability to chemically interact with big molecules and ittakes place either in a clinical use or under clinical trials. Some platinummetal complexes and compounds have high symmetric distribution ofelectron density and electrostatic potential and others make variousbehaviors for electron transfer. Platinum metal complex isomers have thesame behavior of platinum centered compounds such as carboplatine andoxaliplatin used as drugs in clinical uses, where the ammine or bidentateammine ligands and either chlorides or carboxylate are leaving groups.The platinum metal complexes have high ability to interact with largemolecules due to their symmetric in the space and to participate either inclinical use or under clinical trials as agents. All platinum metal complexcompounds have electrophilic index greater than that for cis - platin and theyIIare soft compounds, they can easily interact with big soft molecules suchas enzymes or DeoxyriboNucleic Acid DNA.The results state that the vanadium metal complexes have low LUMOHOMOenergy gap and they are more biological activity. Moreover, theoxygen and chlorine atoms in vanadium metal complexes have an ability tointeract with the receptor reactive sites. The results of quantum chemicalparameters indicate that the vanadium metal complexes are soft and caneasily interact with enzymes. The results of nuclear magnetic resonancecalculations illustrate the central vanadium metal ion in all complexes thathave the lowest value of magnetic shielding and chlorine atoms whosemagnetic shielding values depend on the coordination for each complex.The molecular polarizability calculations showed that the vanadium metalcomplexes have chemical activity and high ability to interact with speciesespecially the enzymes in which they are soft big molecules. For aluminum metal complexes, the results reinforce that they have various electronic applications with different LUMO - HOMO energy gaps.The differences of the HOMOs and LUMOs energies distribution make the aluminum metal complexes to have chemical reactivity as Ziegler - Natta catalysts in the chemical applications such as polymerization processes.The results also prove that the electron density distribution is made from the aluminum metal complexes to have low electrophilic index in which they play a significant role as catalysts in many chemical reactions especially the polymerization processes.

تاثير الفلور على الخواص التركيبية الالكترونية والكهربائية لشريط الكرافين باستخدام النموذج الهاملتوني الرياضي The Effect of Fluorine on the Structural, Electronic and Electrical Properties of Graphene Sheet by Using the Mathematical Hamiltonian Model

اسم المؤلف: حكيمة سلمان جبر مرشد
اسم المشرف: حامد ابراهيم عبود محمد التميمي
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2017
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: بابل
الصفحات الاولى:
المستخلص: هذه الاطروحة دراسة نظرية للخواص التركيبية, الالكترونية والكهربائية لشريحة الكرافين النقي باستعمال النموذج الهاملتوني الرياضي, وتحديد تاثير عدد مختلف من ذرات الفلور المضافة بدلا من ذرات الكاربون في الشريحة على تلك الخواص. ابتداءا تم الحصول على استرخاء للتراكيب المدروسة بتطبيق الدالة الهجينة ذات المعاملات الثلاث لي - يانغ - بار من نظرية دالة الكثافة في حزمة برامج كاوس 09 تم الحصول على استرخاء التراكيب بتطبيق تقريب الكثافة الموضعية في برنامج .SIESTA trunk - 462 ان جميع حسابات الخواص الكهربائية تم اجراؤها باستعمال برنامج .Gollum وتم الحصول على استرخاء جيد للتراكيب المدروسة, حيث ان قيم الزوايا C - C, C - C=C ,C=C في شريحة الكرافين النقية تتفق مع تلك في تراكيب الحلقات الكاربونية. ان اضافة ذرات الفلور بدلا من ذرات الكاربون لتشكيل الشرائح المطعمة ليس له تاثير واضح على تلك الزوايا مع ملاحظة التفاف طفيف في حلقات الفينيل عند مناطق الارتباط مع الحلقات المطعمة والتي سببهزاوايا انحناء بين الذرات المختلفة نتيجة لاختلاف الكتل الذرية والكهروسالبية لذرات الفلور والكاربون. تبين النتائج ان الطاقة الكلية لشرائح الكرافين المدروسة تتناقص مع زيادة العدد الكلي للالكترونات في الشريحة, ان الطاقة الكلية هي انعكاس لطاقة الترابط لكل شريحة. ان فجوة الطاقة المحسوبة نظريا لشريحة الكرافين النقية هي فجوة طاقة صفرية, وان جميع الشرائح المطعمة تمتلك فجوة طاقة صغيرة مع عدم وجود اي قاعدة لخفض او ارتفاع فجوة الطاقة مع زيادة عدد ذرات الفلور في الشريحة. ان حسابات المدار الجزيئي العلوي المشغول والمدار الجزيئي السفلي غير المشغول تبين ان طاقات المدار الجزيئي السفلي غير المشغول هي اعلى من طاقات المدار الجزيئي العلوي المشغول وهذا يعطي هذه التراكيب المدروسة ان تمتلك قابلية عالية لنقل الالكترون. كما ان طاقة المدار الجزيئي العلوي المشغول تزداد خطيا مع زيادة عدد ذرات الفلور في الشريحة. وبينت النتائج ان شريحة الكرافين النقي تمتلك قيم كبيرة للتوصيلية الكهربائية والحرارية مقارنة مع الشرائح المطعمة وذلك لكون الكرافين النقي يمتلك قنوات مفتوحة متعددة لنقل الالكترون, هذه القنوات تتناقص خطيا مع زيادة عدد ذرات الفلور في الشريحة. لقد لاحظنا ان شريحة الكرافين النقي هي اكثر مرونة من الشرائح المطعمة نتيجة العدد المحدد من الحالات والناشئ من كثافة الحالات غير الصفرية لشريحة الكرافين النقية, وهذا ياتي نتيجة للاختلاف في الاتحاد الخطي للمدارات الذرية لتشكيل مدارات جزيئية في كل من الشريحة النقية والشرائح المطعمة. ان شريحة الكرافين النقي تمتلك معامل انتقال قيمته واحد نتيجة لعدم وجود منطقة استطارة في شريحة الكرافين النقي, ان جميع موجة الالكترون الساقطة سوف تنتقل من القطب الايسر الى القطب الايمن, وان اضافة ذرات الفلور سيقود الى ظهور مساحات كمناطق استطارة تخفض معامل انتقال الالكترون. في الدراسة الحالية, تم تحليل قياسات تيار - فولتية للشرائح النقية والمطعمة, لقد لاحظنا ان شريحة الكرافين النقية تبين مميزات تيار - فولتية مشابهة بشكل كبير الى نوع الممانعة, وان هذا السلوك لمثل هذا التركيب النانوي يخفض تماما تاثيرات الحرارة العالية التي تظهر في الاجهزة الماكروية. ان الشرائح المطعمة تمتلك تقريبا منحني تيار - فولتية مشابهة بالسلوك الى الشريحة النقية مع استجابة واطئة للتيار المقابل لفولتية الانحياز الامامي والعكسي. | This dissertation is a theoretical study of structural, electronic and electrical properties of pure graphene sheets using a mathematical Hamiltonian model, and determine the effect of various number of fluorine atoms added in place of carbon atoms in the sheet on these properties. The studied structures are initially relaxed by employing the hybrid functional three parameter Lee - Yang - Parr B3LYP density functional theory at Gaussian 09 package of programs, and then the structures are relaxed by employing the local density approximation LDA/Single Zeta SZ at the SIESTA - trunk - 462 program. All calculations of electrical properties are carried out using Gollum program. The results showed good relaxation obtained for the studied structures, the values angles C - C, C=C and C - C=C in pure graphene sheet are agree with those for carbon rings structures. Adding the fluorine atoms in place of carbon atoms to form the doped sheets has not significant effect on these bonds with few screw observed in phenyl rings at the contact areas with the doped rings comes from the twist angles between different atoms due to the difference of atomic mass and electronegativity of fluorine and carbon atoms. The results showed the total energy of the studied graphene sheets was decreased with increasing the total number of electrons in the sheet, total energy is a reflection of, binding energy of each sheet. The LUMO - HOMO energy gap calculated theoretically for pure graphene sheet is zero energy gap, and the other doped sheets all have small energy gap with no role of reducing or raising the energy gap with increasing the number of fluorine atoms in the sheet. The calculations of HOMO and LUMO showed LUMO energies are greater than the HOMO energies and this gave these studied structures to have high ability to electron transfer. Also, the HOMO energy is linearly increasing with increase of the number of fluorine atoms in the sheet. The results showed the pure graphene sheet has the greater values of electrical and thermal conductivity than those for doped sheets due to that the pure graphene sheet has multi open channels for electron transfer, these channels are linearly reducing with increasing the number of fluorine atoms in the sheet . Observed the pure graphene sheet is more solvability than the doped sheets due to a finite number of states from the non - zero density of states for pure graphene sheet, this comes according to the difference in the linear combination of atomic orbitals to form the molecular orbital in both pure and doped sheets . Pure graphene sheet has transmission coefficient is unity due to absent of the scattering regions in pure graphene sheet. All incident electron wave function was transmitted from left electrode to right electrode, adding fluorine atoms leads to appearing areas as scattering regions reduces the electron transmission coefficient. In present study, the I - V measurements were analyzed for pure and doped sheets, observed the pure graphene sheet show I - V characteristics very much similar to resisting type, this behavior of such nano - structure material completely reduces the high temperature effect that appeared in the old macro devices. Doped sheets have approximately I - V curve similar to behavior pure sheet with low sensing of current corresponds to bias and reverse voltages

تاثير المنطقة البينية على اداء الكاشف الضوئي نوع حاجز شوتكي EFFECT OF INTERFACIAL LAYER ON PERFERMANCE OF SCHOTTKY BARRIER PHOTODETECTOR

اسم المؤلف: عايد نجم صالح الجبوري
اسم المشرف: وكاع فرمان محمد
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2003
الموضوع الدقيق: فيزياء الالكترونيات
الدرجة: دكتوراه
الجامعة: جامعة الموصل
اللغة: العربية
مكان الجامعة: الموصل
الصفحات الاولى: