البحث — المستودع الرقمي العراقي

المستخلص: حضرت اغشـيــة ( Bi2O3 ) على قواعد زجاجية بسمــك مختلـف( 450 , 350 , 250 ) nm وبـدقـة تصـل الـى ( ∓ 20 ) nm والمشـوب بمادة الالمنيـوم ( Al ) وبنسـب تشـويب مختلفة ( 3 , 2 , 1 ) % عنـد السمك ( 20 ∓ 450 ) nm والمحضرة بطريقـة التبخـر الحـراري في الفراغ وقد كان معدل ترسيب ( 1.20 nm / sec ) ,اضافة الى ذلك تم اكسدة اغشية البزموث ( Bi ) بدرجة حرارة ( 523 ) K وبزمن لا يزيد عن ساعة واحدة بوجود الهواء , وتـم دراسـة تاثيـر التلديـن علـى الخـواص التركيبيـة والبصـرية للاغشيـة النقيـة والمشـوبـة بـدرجات حــرارة ( 773 , 673 , 573 , R.T ) K ولمدة ساعة واحدة . استخـدمـت تقنية حيـود الاشعة لدراسـة الخصائص التركيبية للاغشية المحضرة واظهرت نتائج قياس حيود الاشعة السينية ( X - ray ) ان جميـع الاغشيـة المحضـرة النقيـة والمشوبـة تكون ذات تركيب متعـدد التبلـور ومـن النـوع الرباعـي والاتجاه السائد (201) لكل الاغشية المحضرة وزيادة معدل الحجم الحبيبي بزيادة سمك الغشاء , وهذا ما اشارت اليه قياسات مجهر القوة الذرية (AFM) كذلك يزداد معـدل الحجـم الحبيبي بزيادة نسب التشويب ما عدا النسبة ( 3 ) % . اظهرت الخصائص البصـرية ان النفاذية تتغير مع تغيـر كـل من سمك الغشاء ودرجة حرارة التلدين ونسب التشويب بالالمنيوم , وكذلـك تـم ايجاد فجـوة الطاقـة البصـرية للاغشيـة كافة فتبيـن انها مـن النـوع المباشـر المسموح لجميع الاغشية المحضرة وتزداد مع زيادة سمـك الغشاء, بينما تقـل مـع زيادة كـل من درجة حرارة التلدين ونسب التشويب عدا النسبة ( 3 % ) . اضافـة الى ذلـك تم حساب قيـم الثـوابـت البصريـة مثـل (معامل الامتصاص ومعامل الانكسار ومعامـل الخمـود وثابـت العـزل المعقد (الحقيقي والخيالي ) والتوصيلية الضـوئية ) كدالة الاطوال الموجية ( 1100 - 300 ) nm للاغشـية المحضرة . | This research includes studying the structural and optical properties of pure Bismuth Oxide ( Bi2O3 ) thin film at different thicknesses ( 250 , 350 and 450 ± 20 ) nm and doped by Aluminum ( Al ) of ( 450 ± 20 ) nm thickness with different doping ratios ( 1 , 2 , 3 ) % which is prepared by thermal evaporation method from depositing Bismuth film on glass substrates at R.T ( 300 ) K with deposition rate ( 1.20 nm / sec ) then oxidation Bismuth films at ( 523 ) K for one hour in air , Also it includes studing the effect of annealing temperature at ( R.T , 573 , 673 and 773 ) K for one hour on structural and optical properties for pure and doped films . The results of x - ray diffraction have been showed that pure and doped prepared films have polycrystalline structure with tetragonal phase with preferred orientation ( 201 ) for all prepared films the grain size increases with the increase of film thickness and this is in agreement with ( AFM ) measurements also it increases after doping except at ratio ( 3 % ) . This research also includes studing the optical properties of prepared pure and doped films . The transmission and absorption values changed with the changing of film thickness , annealing temperature and doping ratio with ( Al ) , the optical energy gap for allowed direct transition was evaluated and it increases with the increase of film thickness while it decreases with annealing temperature and doping percentage by ( Al ) except ratio ( 3 % ) . The optical properties results include calculating the optical constant (absorption coefficient , refractive index ,extinction coefficient, dielectric Constant with two parts real and imaginary and optical conductivity ) in the range of wave length ( 300 - 1100 ) nm for pure and doped films before and after annealing

تحضير ودراسة مفرق هجين من مادة (CuInTe2) Preparation and Study Heterojunction From CuInTe2 Material

اسم المؤلف: شيماء قاسم عبد الحسن

اسم المشرف: بشرى كاظم حسون الميالي فلاح ابراهيم مصطفى العطار

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2017

الموضوع الدقيق: الفيزياء

الدرجة: دكتوراه

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: العربية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: حضرت سبيكة CuInTe2(CIT) بطريقة التبخير الحراري في الفراغ بعد ها تم تحضير اغشية هذه المادة على قواعد من الزجاج بدرجات حرارة تلدين K((673,473 وسمك nm(900,600,300).تم فحص تركيب كل من سبيكة واغشية CIT المحضرة بظروف مختلفة بواسطة تقانة حيود الاشعة السينية .XRD وقد اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان السبيكة وجميع الاغشية الملدنة عند درجة حرارة تلدين K(673 and 473) كانت تمتلك تركيبا متعدد التبلور من النظام الرباعي (Tetragonal) بالاتجاه البلوري السائد (112)، في حين كانت الاغشية المحضرة في درجة حرارة الغرفة (300)K ذات تركيب عشوائي. اما دراسة خصائص سطح اغشية CIT بواسطة مجهر القوة الذرية AFM فقد بينت زيادة الحجم الحبيبي مع زيادة كل من درجة حرارة التلدين والسمك.واظهرت القياسات البصرية لاغشية CIT انها تمتلك فجوة طاقة مباشرة، اذ تزداد فجوة الطاقة بزيادة درجة حرارة التلدين لجميع الاغشية المحضرة، وكذلك تم حساب النفاذية والثوابت البصرية مثل معامل الانكسار ومعامل الخمود وثابت العزل بجزئيه حقيقي والخيالي ضمن مدى الاطوال الموجيةnm (600 - 2700) .واظهرت نتائج الخصائص الكهربائية للاغشية المحضرة على قواعد الزجاج ان التوصيلية الكهربائية المستمرة D.C كانت تمتلك حاملات شحنة من النوع الموجب، وانها تزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين لجميع الاغشية المحضرة في حين كانت تقل مع زيادة السمك .وان لهذه الاغشية طاقتي تنشيط، اي انها تملك اليتين للانتقال الالكتروني.كما بينت ايضا نتائج تاثير هول ان الاغشية كانت تمتلك حاملات شحنة من النوع (p - type).في هذا البحث ايضا تم تصنيع خلايا شمسية من ترسيب اغشية CITعلى قواعد سليكونية مكونة من المفارق الهجينةSi/CIT) ) الملدنة بدرجات حرارة وسمـــك مختلفة، واخرى على قواعد مكونة من زجاجFTO , ITO للمفارق الهجينة ITO/ CdS/ CIT)) و(FTO/CdS/CIT)، وكذلك ITO/ZnO/CdS/CIT)) و(FTO/ ZnO/CdS/CIT) المرسبة بطريقة التبخير الحراري . تم قياس سعة الانحياز العكسي كدالة لفولتية الانحياز عند التردد الافضل 10)KHz) وبينت هذه النتائج ان المفارق من النوع الحاد، كما قلت السعة بزيادة جهد الانحياز العكسي وهبوط جهد البناء الداخلي بزيادة درجة حرارة التلدين .واظهرت دراسة خواص (تيار - جهد) في حالة الاضاءة للمفارق الهجينة المحضرة بان افضل مفرق لتصنيع خلية شمسية على القواعد السليكونية كان للمفرق المحضر بسمك 600)nm (بدرجة حرارة تلدين (673)K. اذ بلغت الكفاءة التحويلية (%1.8) وعند طلاء هذه الخلية بطبقة مضادة للانعكاس من مادة TiO2 بسمك 600)nm) ازدادت الكفاءة لتصل الى (2.4%). | CuInTe2 (CIT) alloy prepared by thermal evaporation technique then prepared thin film from this alloy on glass substrate of different thickness (300,600 and 900 ±20)nm and at different annealing temperature (473 and 673)K.The structure of the alloy and CIT films which prepared at different deposition condition are examined using x - ray diffraction (XRD) technique.XRD analysis show that the alloy and the films prepared at (473 and 673)K have polycrystalline structure of tetragonal type with preferred orientation[112],while films prepared at R.T(300)K show amorphous structure. CIT films morphology were studied using AFM techniques, the results show that increase in grain size with increase thickness and annealing temperature .The optical measurement show that CIT films have a direct energy gap and it increase the increasing annealing temperature ,the transmittance and optical constant such as refractive index ,extinction coefficient and the dielectric constant with both part real and imaginary within the wavelengths in the range (600 - 2700)nm were calculated too.Electrical properties results for films prepared on glass substrate as a function of thickness and annealing temperature show that the electrical conductivity D.C were p - type and it with increasing annealing temperature while it decrease with increasing thickness, all films have two activation energies with two mechanisms of transport of free carriers .Hall effect results show that all films were p - type.In this research, fabrication solar cells from deposition CIT films with different thickness and different annealing temperature on silicon substrate (Si/CIT) heterojunction and another deposition on FTO,ITO substrate to fabricated solar cell from (ITO/CdS/CIT) ,) FTO/CdS/CIT) heterojunction and (ITO/ZnO/CdS/CIT) , (FTO/ZnO/CdS/CIT) heterojunction by using thermal evaporation technique.The C - V measurements as a function of reverse bias voltage at frequency (10KHz) show that the heterojunctions are abrupt type, the capacitance decrease as reverse bias voltage increase and the value of built - in potential decrease with increasing annealing temperature. The current - voltage characterization study for heterojunction prepared under illumination shows that the solar cell which have optimum condition deposition on silicon substrate with the thickness 600nm at annealing temperature 673K, have best efficiency (1.8%) among other cells, and after coating this cell by antireflection coating (TiO2) with thickness (600)nm, the value of efficiency increase to(2.4%)

تاثير استبدال Sr على بعض الخواص الفيزيائية للمركب Ba2 - xSrxCa2Cu3O7+? Effect of Sr Substitution on some of Physical Properties of (Ba2 - xSrxCa2Cu3O7+?) Compound.

اسم المؤلف: حسين عبد الوهاب توفيق

اسم المشرف: سوسن عبد الحسين مهدي

الموضوع العام: علوم الفيزياء

السنة: 2017

الموضوع الدقيق: الفيزياء

الدرجة: دكتوراه

الجامعة: جامعة بغداد - كلية التربية ابن الهيثم للعلوم الصرفة - قسم الفيزياء

اللغة: الانكليزية

مكان الجامعة: بغداد

الصفحات الاولى:

المستخلص: لقد تم في هذه الدراسة تحضير المركب الفائق التوصيل Ba2 - x SrxCa2Cu3O7+δ ذا درجة حرارة حرجة عالية ولقيم x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 0.6 وباستخدام طريقة تفاعل الحالة الصلبة لغرض دراسة التغيرات الحاصلة في التركيب البلوري ودرجة حرارة التحول والخواص الفيزيائية والخواص العزلية.حيث تم فحص التركيب البلوري باستخدام تقنية حيود الاشعة السينية (XRD) واوضحت نتائج تحليل حيود الاشعة السينية ان جميع العينات للمركبات المحضرة لها تركيب معيني متعامد المحاورويمتلك اطوارتركيبية رئيسية عالية ومنخفضة مع تغير ثوابت الشبيكة ونسبة c/a والكثافة الكتلية والنسب الطورية نتيجة لزيادة تركيز Sr . اما قياسات السطح فتمت باستخدام المجهر الالكتروني حيث اظهرت صور المجهر الالكتروني الماسح ان العينات لها ترتيب طبقي متجانس ثم ان زيادة تركيز Sr ادى الى تغير الاحجام الحبيبية .واشارت النتائج الى ان هناك زيادة في محتوى الاوكسجين نتيجة زيادة نسبة Sr المضافة للمركب من خلال الزيادة في محور c والذي بدوره يؤثر على مقدار Tc للمركب .اما المقاومة الكهربائية فتمت دراستها باستخدام تقنية الاقطاب الاربعة وتم ايجاد درجة الحرارة الحرجة Tc للمركبات الفائقة التوصيل من خلال منحنيات اعتماد المقاومية الكهربائية على درجة الحرارة وقد تبين ان اعلى نسبة درجة حرارة حرجة للمركب الفائق التوصيل Ba2 - xSrxCa2Cu3O7+δ Tcoff=140k وباستخدام مقياس ال LCR فقد تم قياس ثابت العزل الكهربائي كدالة للتردد ضمن المدى من 50Hz الى 1MHz في درجة حرارة الغرفة. وقد وجد ان زيادة تركيز Sr يؤدي الى تغير في ثابت العزل الكهربائي .اما بالنسبة للخصائص الفيزيائية فاوضحت النتائج ان زيادة نسبة Sr ادت الى زيادة في المسامية يقابلها نقصان في التقلص الحجمي والكثافة.