Share

تحضير ودراسة خصائص الكاشف الهجين In2O3/Si ذو التركيب النانوي بواسطة الاكسدة الحرارية السريعة لـ In2S3 == Preparation and Characteristic Study of Nanostructured In2O3/Si Heterojunction Photodetector by Rapid Thermal Oxidation of Sprayed In2S3

Author name: محمود موفق عبود حسن
Supervisor name: نادر فاضل حبوبي | رائد عبد الوهاب اسماعيل
General topic: Physics
Specific topic: Physics
Degree: Doctorate
University: Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language: English
University location: Baghdad
First pages: 26T2277 - p.pdf
Logo