مشاركة

تحضير ودراسة خصائص الكاشف الهجين In2O3/Si ذو التركيب النانوي بواسطة الاكسدة الحرارية السريعة لـ In2S3 == Preparation and Characteristic Study of Nanostructured In2O3/Si Heterojunction Photodetector by Rapid Thermal Oxidation of Sprayed In2S3

اسم المؤلف: محمود موفق عبود حسن
اسم المشرف: نادر فاضل حبوبي | رائد عبد الوهاب اسماعيل
الموضوع العام: علوم الفيزياء
السنة: 2016
الموضوع الدقيق: الفيزياء
الدرجة: دكتوراه
الجامعة: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: بغداد
الصفحات الاولى: 26T2277 - p.pdf