Share
غشاء ZnO - SnO2 وخصائصه التحسسية == ZnO - SnO2) Thin Film and Their Sensing properties
Author name:
خالد وليد صابر
Supervisor name:
علي جاسم محمد الجابري
General topic:
Physics
Specific topic:
Physics
Degree:
Master
University:
Mustansiriyah University - College Of Science
Language:
English
University location:
Baghdad
First pages:
26T1819 - p.pdf
Abstract:
ZnO,SnO2,Zno - Sno2 composite( ل في هذا البحث تم دراسة الخصائص التركيبية والتحسسية على توالي والمحضرة على قواعد قواعد زجاجية بظروف ترسيب مختلفة من نسب المواد (100% : 0%,0% : 100%, 50% : 50%, 30% : 70% , 10% : 90% ) وبدرجة حرارة القاعدة ( 400 & 450 ) سيليزية وبزاوية رش ( 0& 45 ) درجة. بينت فحوصات تقنية حيود الاشعة السينية (XRD) لتشخيص طبيعة تبلور الاغشية المحضرة, ان جميع الاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور من نوع سداسي hexagonal)).مع اتجاهيه (002 ) للعينات المحضرة ل) ( ZnO,ZnO : SnO2 compositeما عدا (SnO2 ) فهو ذو تركيب متعدد التبلور من النوع الرباعي ( tetragonal ) مع اتجاهية ( 110 ) ، كما اظهرت النتائج الحصول على التركيب نانوي بمعدل حجم حبيبي ( من 2.4 الى 46 نانو) وتجانس منتظم بواسطة اضافة اوكسيد القصدير الى اوكسيد الزنك ، وهذا اعطى تبلور عالي مع ظروف الترسيب المختلفة. بواسطة تحليل السطح بواسطة المجهر الالكتروني الماسح ( SEM ) ومجهر القوة الذرية ( AFM ) تم التعرف على تاثير ظروف الترسيب المختلفة على خصائص تشكل العينات ، اظهرت صور (SEM ) تراكيب مختلفة مثل الابر والالياف والقضبان السداسية النانوية و(rich particle ) كما اظهرت النتائج التجانس والتوزيع المنتظم والنمو العالي ، كذلك زيادة معدل الحجم الحبيبي وزيادة الخشونة وهذا يقود الى الحصول على مساحة سطحية عالية وتاثير كبير على التحسسية .كل القياسات التحسسية اظهرت تحسسية عالية عند درجة حرارة القاعدة ( 450 ) سيليزية بزاوية رش (45 ) درجة ونسبة (SnO2 50% : % 50 ZnO) وعند زيادة نسبة ( ZnO ) لتصبح (100 % ) فان التحسسية تقل. ان العامل المؤثر على التحسسية هو نسبة المواد الداخلة في تركيب الاغشية الرقيقة كافضل نسبة حجمية 50)٪ 50 : ٪( وعند زيادة نسبة لتصبح 100٪ اوكسيد الزنك فان التحسسية تقل . اوكسيد الزنك لديه تحسسية عالية، ولكن عندما يخلط مع SnO2، وهذا يؤدي الى زيادة تحسسية وهذا واضح من خلال النتائج المستحصلة. | In this work, structural and sensing properties have been studied for ZnO, SnO2 compound and ZnO - SnO2 composite thin films. They were prepared by spray pyrolysis technique deposition at substrate glass, were used different deposition conditions, volume ratios(100% : 0%, 0% : 100%,50% : 50%, 70% : 30%, 90% : 10%,), Substrate temperature ( 400)&(450) oC , incident angle spray of spray pyrolysis (0) & (45) .. The X - ray diffraction technique has showed that all prepared films are polycrystalline structure with hexagonal type that preferred orientation of plan (002) direction for all thin film prepared for ( ZnO compound, ZnO - SnO2 composite thin films) except SnO2 thin films are polycrystalline structure with tetragonal type with preferred orientation of plan (110) , the results obtained by X - ray diffraction showed that we get the installation of nano structure with average grain size between ( 2.4 to 46 nm) and uniform Homogeneity by added tin oxide to zinc oxide, the results show high crystalline with deferent conditions deposition. Surface analysis by SEM and AFM have been used to understand the effect of the different conditions deposition on morphology properties of the samples. The SEM micrographs show needle - like, fiber - like , hexagonal nano rods, rich particles ( high growth) and homogeneity , uniform distribution, high growth. The results showed an increase of the average grain size with increasing roughness and this leads to obtain a high surface area and large effect on sensitivity. Overall measurements sensing showed that the highest of sensitivity at substrate temperature (450 oC) ,incident angle spray pyrolysis (45) with ratio ( 50% : 50%) . The influencing factor on sensitivity is the ratio of materials involved in the structure of thin - film as the best volume ratio its (50% : 50%) and when you increase the ratio to become 100%ZnO the sensitivity decreases. ZnO has high sensitivity, but when mixed with SnO2, this leads to increase sensitivity and this is clear from the results that were obtained.
