العلم العراقي

مشاركة

انموذج موحد لترانزستور نوع التاثير المجالي يستعمل لمحاكاة الدوائر ذات التكامل العالي جدا == A Unified MOSFET Model for VLSI Circuit Simulation

اسم المؤلف: نوار باسل سعد
اسم المشرف: مازن عبد الحميد | علي عبد الجبار
الموضوع العام: هندسة الكهرباء والالكترون والاتصالات
السنة: 2001
الموضوع الدقيق: هندسة الالكترونيك والاتصالات
الدرجة: ماجستير
الجامعة: جامعة النهرين - كلية الهندسة
اللغة: الانكليزية
مكان الجامعة: بغداد