Share
دراسة تاثير التشعيع ل PMMA المشععة الكترونيا بواسطة SEM == Investigation of Charging Effect in Electron Irradiated PMMA by SEM
Author name:
علي سعد مهدي
Supervisor name:
حسن نوري عبد الوهاب العبيدي
General topic:
Physics
Specific topic:
Physics
Degree:
Doctorate
University:
Mustansiriyah University - Faculty Of Education
Language:
English
University location:
Baghdad
First pages:
26T1881 - p.pdf
Abstract:
تم انجاز اجراء تحليلي لقياس الشحنة التي يمكن ان تحقن في نموذج لمادة عازلة في المجهر الالكتروني الماسح. يعتمد هذا الاجراء بالاساس على تحديد شحنة الاستقطاب بواسطة ظاهرة المراة الالكترونية. من خلال ذلك تم تطوير عدة علاقات مرتبطة بهذا الموضوع لتكون قابلة للتطبيق فيما يخص بالطبع شحنات الاستقطاب للمواد الخطية والموحدة الخواص . استنادا الى ذلك تم تحديد الجهد الذي ينشا كنتيجة لتاثير كلا من الشحنات المحقونة الحرة والشحنات المستقطبة. ومع ذلك فهذا العمل تم انجازه وفقا لمنطلق من الناحية النظرية وقد تم اعتماد منحنى التاثير المراتي بمثابة مقياس تقييم لجودة الصورة المراتية. لذلك فان هذا الاجراء قد تم استخدامه لدراسة منحنيات التاثير المراتي التجريبية لمادة PMMA ولجهود تشعيع مختلفة ومن ثم معرفة اهم المعلمات التي تؤثر على هذه المنحنيات. من ناحية اخرى تم دراسة محاكاة مسار الحزمة الالكترونية في داخل غرفة المجهر الالكتروني الماسح فيما يتعلق بتفاعل هذه الحزمة مع المادة ضمن الغرفة. في الواقع وقد استند التعامل الرياضي على الميكانيك الكلاسيكي باستخدام مفاهيم استطارة روذرفورد. في الواقع فان هذه الدراسة قد تم انجازها اولا باستخدام مجال التربيع العكسي اما المرحلة الثانية فهي تتعلق بمجال التربيع والتكعيب العكسي. اهمية الصيغ التي تم الحصول عليها لهذه المسارات تاتي من ارتباطها بين بعض من اهم المعلمات التي تتحكم في ظاهرة التاثير المراتي. هذه المعلمات في الواقع هي الشحنات المحقونة، زاوية السقوط، جهد المسح، ومسافة التشغيل، وثابت العزل الكهربائي لمادة العينة. اوضحت النتائج بشكل جلي ان شحنة الاستقطاب تؤثر على قوة كولوم التي تعاني منها الكترونات المسح. علاوة على ذلك فان التغير في جهد العينة يعتمد بصورة رئيسية على ثابت العزل لمادة العينة. | An analytical procedure has been carried out to measure the charge that may trapped in an insulator sample of scanning electron microscope. It is mainly concerning with the determination of the deduced polarization charges by means of mirror effect phenomenon. Several relations related to such issue have been modified so as to be applicable for regarding charges due to polarization in linear and isotropic material. Consequently, the potential arises as a result for both trapped free and polarization charges is set up. However, this work has been carried out concerning the theoretical point of view, the mirror plot curve has been adopted as an evaluation scale for the quality of the mirror image. Therefore, this procedure had been used to investigate the experimental mirror plot curves for PMMA material with different accelerating potential and then study the most important parameters that affects in these curves. From other hand, a simulation for the electron beam trajectory inside SEM chamber have been investigated regarding the interaction of this beam with material that chamber involves. Actually, the mathematical manipulation has been based on classical mechanics using Rutherford’ scattering aspects. This investigation, in fact, have been accomplished by using an inverse - square field in the first step while the second step has been concerned with an inverse - square and cubic field. The importance of the obtained formulas for these paths comes from its correlation among some of the most important parameters that control the mirror effect phenomenon. These parameters, in fact, are the trapped charges, incident angle, scanning potential, working distance, and dielectric constant of sample material. Results have clearly shows that the polarization charge significantly influences the Coulomb’s force that incoming electrons suffer from. Furthermore, the variation in the sample potential is mainly depend on the dielectric constant of the specimen material.
