نموذج تمثيل ثنائي الابعاد لنبائط AlGaN/GaN لترانزستور ذي الكترونات ناقلة عالية السرعة == Two - Dimensional Device Simulation Of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT)
اسم المؤلف:
ياسر محمد علي العبيدي
الجامعة:
جامعة النهرين - كلية الهندسة
اسم المشرف:
رعد سامي فياض
الموضوع العام:
هندسة الكهرباء والالكترون والاتصالات
