Share
تصنيع ودراسة خواص كاشف ضوئي لمادة الجرمانيوم المحضر بتقنية التبخير الحراري الفراغي == Fabrication and Studying Photodetector Propertise for Garmainum Material prepared by Technical thermal evaporation Vacancy
Author name:
ندى ضمد ماذي
Supervisor name:
زياد طارق الدهان | عبد الكريم حسين داغر
General topic:
Physics
Specific topic:
Physics
Degree:
Master
University:
Mustansiriyah University - College Of Science
Language:
Arabic
University location:
Baghdad
First pages:
26T1955 - p.pdf
Abstract:
تم تصنيع كواشف من الجرمانيوم (Ge ) بواسطة عملية التطعيم الجرمانيوم من نوع (n - type) بعد طلاءه بمادة النحاس بطريقة التبخيرالحراري في الفراغ وذلك بقصف سطح الجرمانيوم بنبضات من ليزر(Nd - YAG) بطاقات مختلفة وهي mJ ( (40 , 60 , 80 وتم دراسة اثر التطعيم في الخصائص التركيبية والبصرية لسطوح العينات والخصائص العامة للكواشف . اظهرت نتائج فحوصات الاشعة السينية ان الجرمانيوم قبل وبعد التطعيم تركيبة البلوري ذا تركيب احادي التبلوروان اعلى مستوى هو بالاتجاة (111)وقد ادى التطعيم الى ان تقل شدة القمة عند المستوى (111), كما ان عرض المنحني لمنتصف القمة قد ازداد عن قيمته قبل التشويب . وقد تمت دراسة الخصائص البصرية للنماذج من خلال قياس طيفي النفاذية والامتصاصية ولمدى الاطوال الموجية mμ 2.5 - 22.5)) وقد وجد ان الامتصاصية تقل كلمزاادت طاقة القصف لسطح وتزداد فجوة الطاقة البصرية للانتقال المباشرة المسموحة eV 0.6 - 0.65)) وكذلك فجوة الطاقة البصرية للانتقال المباشر الممنوع eV (0.55 - 0.58 ) وبزيادة طاقة القصف بالليزر . والخصائص العامة للكواشف Ge : Cu)) وقد تم ايجاد الاستجابية الطيفية التي تحددالمنطقة الطيفية التي يعمل بها الكاشف وقد تبين انها تعمل ضمن مدى الطيفيللمنطقة تحت الحمراء (IR) وقد وجد افضل استجابية طيفية تم الحصول عليها هي ( 0.36 A/W) للشريحة التي قصفت بطاقة قدرها(80mJ ) عند الطول الموجي (808nm) . وكذلك حساب الكفاءة الكمية للكواشف وكانت اعلى كفاءة تم الحصول عليها (56%) وللشريحة نفسها ايضا كما تم حساب القدرة المكافئة للضوضاء والكشفية والكشفية النوعية وكانت اعلى كشفية كانت (1.610 - 10 W - 1 ) . | Fabrication of Ge detector of n - type by doping Ge with Copper Material in Vacumm evaporation method .Where the surface of Ge is projected by Nd - YAG Laser pulses of different energies (40,60,80 mJ) Studying the effect of doping on the Structur and Optical Propurties models Surface , Genral Properties of the detectors. Result of checking x - ray appear the Ge before and after crystal structure have single crystal structure and higher level in the direction (111) doping cause reduce to intensity at (111) , full width of halfe maximum is increased after doping . Optical properties of models have been studied throughmeasuring transmittance and absorpance spectroscope with range (2.5 - 22.5) μm , we find that the absorpance is reduced with any increase in projected energy to the surface . opticalenergy gab of direct transferences is increased (0.6 - 0.65) eV also forbidden optical energy gab for direct transferences(0.55 - 0.58) eV with Laser projected energy . Genral properties of the detectors Ge : Cu we are finding the Spectral responsivity which determine the spectral area in which detector this detectors are doing within the spectral range near IR rengion the optimums responsivity is (0.36) A/W for sample which is projected by Laser energy of (80) mJ at wavelength 808 nm . Also the quantum efficiency was calculated where the high efficiency is (56%) for the same sample , Also calculated the minimum equevilent power for noise and detection and the specific detection The high detection is(1.610 - 10 ) W - 1 .
