تصنيع كاشف المفرق الهجين CdO/p - Si بطريقة الرش الكيميائي الحراري == PREPARATION OF CdO/p - Si HETEROJUNCTION DETECTOR BY CHEMICAL SPRAY PYROLYSIS
Author name:
محمد غفار فرج
Supervisor name:
رائد عبد الوهاب اسماعيل | سلوان كمال جميل
General topic:
Physics
Specific topic:
Solid State and Materials Physics
Degree:
Master
University:
Mustansiriyah University - College Of Science
Language:
Arabic
University location:
Baghdad
First pages:
26T1927 - p.pdf
Abstract:
في هذا البحث، تم لاول مرة تصنيع كاشف يعمل بنمط الفولتائية الضوئية من المفرق الهجين غير المتماثل n - CdO/p - Si والمصنع بطريقة الرش الكيميائي الحراري وباسماك 50, 100 and 150 nm وتم استخدام عدة فولتيات انحياز تراوحت بين 1 - 5 Volts. لقد اوضحت النتائج ان هذا الكاشف يعمل بالمدى الطيفي 400 - 1000 nm.بينت نتائج قياسات تاثير هول ان الطبقة المرسبة من CdO ذات توصيلية مانحة لذلك فان المفرق المتكون هو من النوع غير المتماثل.اظهرت نتائج خصائص تيار - جهد ان كل من تيار الظلام وتيار الضوضاء يزدادان بزيادة سمك CdO. كشفت هذه النتائج ايضا ان عامل المثالية يزداد بزيادة سمك غشاء CdO مما يعطي مؤشرا واضحا على زيادة تركيز العيوب.بينت نتائج قياس سعة - جهد ان المفرق المصنع من النوع الحاد وان قيمة جهد البناء الداخلي تقل بزيادة سمك CdO.ان الدراسات الخاصة بالاستجابة الطيفية بينت ان لهذه الكواشف استجابية تتميز بقمتين : الاولى عند الطول الموجي 600 nm والثانية عند الطول الموجي 800 nm. وبلغت اعلى قيمة للاستجابية 0.46 A/W عند الطول الموجي 800 nm وباستخدام جهد انحياز 3 Volts وان الكفاءة الكمية القصوى بلغت 71% واعلى قيمة للكشفية كانت بحدود 3.6 x 1011 cm.Hz1/2.W - 1 كما ابدت الكواشف المصنعة استجابة لليزر He - Ne. وقد وجد ان الاستجابية الطيفية تقل بزيادة سمك غشاء CdO وان افضل سمك في هذا البحث هو 50 nm
