المستودع الرقمي العراقي
Iraqi Digital Repository
انموذج موحد لترانزستور نوع التاثير المجالي يستعمل لمحاكاة الدوائر ذات التكامل العالي جدا == A Unified MOSFET Model for VLSI Circuit Simulation
اسم المؤلف:
نوار باسل سعد
اسم المشرف:
مازن عبد الحميد | علي عبد الجبار
الموضوع العام:
هندسة الكهرباء والالكترون والاتصالات
السنة:
2001
الموضوع الدقيق:
هندسة الالكترونيك والاتصالات
الدرجة:
ماجستير
الجامعة:
جامعة النهرين - كلية الهندسة
اللغة:
الانكليزية
مكان الجامعة:
بغداد